半导体存储器装置的制作方法

实施例涉及一种半导体存储器装置。

背景技术：

1、由于半导体装置的小尺寸、多功能性和低成本特性，半导体装置被认为是电子产业中的重要元件。半导体装置可以包括用于存储数据的半导体存储器装置、用于处理数据的半导体逻辑装置以及包括存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体装置。

2、随着电子装置的高速和低功耗的最新趋势，嵌入在电子装置中的半导体装置也可以具有高工作速度和/或低工作电压，并且可以提高半导体装置的集成密度。

技术实现思路

1、可以通过提供一种半导体存储器装置来实现实施例，所述半导体存储器装置包括：基底，包括存储器单元区域、包围存储器单元区域的外围区域以及存储器单元区域与外围区域之间的中间区域；器件隔离图案，在存储器单元区域上并且限定存储器单元区域中的有源部分；分隔图案，在中间区域上；多条位线，在存储器单元区域和中间区域上并且在第一方向上延伸，位线延伸到中间区域与外围区域之间的边界部分；存储节点接触件，在存储器单元区域上并且填充位线中的一些位线之间的空间的下部分；接合垫，分别在存储节点接触件上；虚设存储节点接触件，在中间区域上并且填充位线中的其他位线之间的空间的下部分；虚设接合垫，分别在虚设存储节点接触件上；以及至少一个坝结构，在中间区域上并且沿第一方向延伸，当在平面图中观看时，至少一个坝结构具有条形状，其中，虚设接合垫在垂直于第一方向的第二方向上与至少一个坝结构的边缘部分间隔开，并且虚设存储节点接触件与分隔图案接触。

2、可以通过提供一种半导体存储器装置来实现实施例，所述半导体存储器装置包括：基底，包括存储器单元区域、包围存储器单元区域的外围区域以及存储器单元区域与外围区域之间的中间区域；器件隔离图案，在基底上并且限定存储器单元区域中的有源部分；多条位线，在存储器单元区域和中间区域上并且在第一方向上延伸，位线延伸到中间区域与外围区域之间的边界部分；存储节点接触件，在存储器单元区域上并且填充位线中的一些位线之间的空间的下部分；接合垫，分别在存储节点接触件上；虚设存储节点接触件，在中间区域上并且填充位线中的其他位线之间的空间的下部分；虚设接合垫，在虚设存储节点接触件上；坝结构，在中间区域上并且在垂直于第一方向的第二方向上与虚设接合垫间隔开；以及第一金属线图案，在外围区域上、连接到位线并且在第一方向上延伸，其中，当在平面图中观看时，虚设接合垫距第一金属线图案比距坝结构近。

3、可以通过提供一种半导体存储器装置来实现实施例，所述半导体存储器装置包括：基底，包括存储器单元区域、包围存储器单元区域的外围区域以及存储器单元区域与外围区域之间的中间区域；器件隔离图案，在基底上并且限定存储器单元区域中的有源部分；分隔图案，在中间区域上；多条位线，在存储器单元区域和中间区域上并且在第一方向上延伸，多条位线延伸到中间区域与外围区域之间的边界部分；虚设存储节点接触件，在中间区域上并且填充位线之间的空间的下部分；虚设接合垫，分别在虚设存储节点接触件上；以及一对坝结构，在中间区域上并且在第一方向上延伸，其中，当在平面图中观看时，一对坝结构中的每一个具有条形状，虚设接合垫在垂直于第一方向的第二方向上与一对坝结构的边缘部分间隔开，当在平面图中观看时，所述一对坝结构彼此间隔开且虚设接合垫、接合垫以及位线置于所述一对坝结构之间，并且虚设接合垫和所述一对坝结构与分隔图案竖直叠置。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述至少一个坝结构包括在第二方向上彼此间隔开的一对坝结构，且存储单元区域置于所述一对坝结构之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述至少一个坝结构的顶表面与虚设接合垫的顶表面位于同一水平处，并且与接合垫的顶表面位于同一水平处。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述至少一个坝结构与分隔图案竖直叠置。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，当在平面图中观看时，所述至少一个坝结构与位线间隔开。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括位于外围区域上的金属线图案，

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，虚设接合垫中的至少一个虚设接合垫距金属线图案比距所述至少一个坝结构的边缘部分近。

10.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，当在平面图中观看时，坝结构具有条形状，并且位于第二金属线图案与虚设接合垫之间。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，虚设接合垫中的最靠近第二金属线图案的一个虚设接合垫位于第一金属线图案与坝结构之间。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，坝结构不在虚设接合垫中的最靠近第二金属线图案的一个虚设接合垫与第二金属线图案之间。

15.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，坝结构、虚设接合垫以及接合垫均包括钨。

16.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，虚设接合垫中的一个虚设接合垫位于在第二方向上与其相邻的虚设存储节点接触件上，并且与虚设存储节点接触件竖直叠置。

17.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

18.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，器件隔离图案和分隔图案均包括相同的绝缘材料。

19.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：金属线图案，位于外围区域上、连接到位线并且在第一方向上延伸，

20.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中：

技术总结
提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括存储器单元、外围区域和中间区域；器件隔离图案；分隔图案；位线，在第一方向上延伸到中间区域与外围区域之间的边界；存储节点接触件，在存储器单元区域上并且填充位线之间的空间的下部分；接合垫，在存储节点接触件上；虚设存储节点接触件，在中间区域上并且填充位线之间的空间的下部分；虚设接合垫，在虚设存储节点接触件上；以及坝结构，在中间区域上、在所述第一方向上延伸并且具有条形状，其中，虚设接合垫在第二方向上与坝结构的边缘间隔开，并且虚设存储节点接触件与分隔图案接触。

技术研发人员：郑湖璇,金珉宇,宋正宇,李垣哲
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13