显示装置的制作方法

公开涉及发光装置和包括其的显示装置。

背景技术：

1、发光装置为具有其中电能转换成光能的特点的装置。这种发光装置的示例包括使用用于发射层的有机材料的有机发光元件和使用用于发射层的量子点的量子点发光装置。

2、发光装置可包括彼此重叠的第一电极和第二电极、位于第一电极和第二电极之间的空穴传输区、发射层以及电子传输区。来自第一电极的空穴通过空穴传输区移动至发射层，并且来自第二电极的电子通过电子传输区移动至发射层。空穴和电子在发射层中复合以形成激子。当激子从激发态变为基态时生成光。

3、该背景技术章节中公开的上面的信息仅用于增强对公开的背景的理解，并且所以，其可含有在该国中本领域普通技术人员已经已知的不形成现有技术的信息。

技术实现思路

1、公开已经努力提供能够简化制造工艺的发光装置。进一步，公开已经努力提供具有改善的发光效率和寿命的发光装置。公开已经努力提供具有减少的漏电流的发光装置以及包括发光装置并且具有改善的显示质量的显示装置。

2、发光装置可包括：第一电极；与第一电极重叠的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件；以及设置在m个发射部件的相邻的发射部件之间的m-1个电荷生成层，其中电荷生成层中的每一个可包括n-型电荷生成层和p-型电荷生成层，并且n-型电荷生成层可包括由化学式1表示的化合物：

3、

4、在化学式1中，r1和r2可各自独立地包括具有1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团，a1、a2、a3和a4可各自独立地包括：氢、cn、1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团；或各自被cn、f和cf3中的至少一个取代的1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团，并且m可为大于或等于2的自然数。

5、n-型电荷生成层可不含有无机材料。

6、n-型电荷生成层的最低未占分子轨道(lumo)能级可在约-2.8ev至约-3.4ev的范围内。

7、由化学式1表示的化合物可包括由下面的化学式1-1至化学式1-4表示的化合物中的至少一个。

8、

9、

10、n-型电荷生成层可包括至少两个子n-型电荷生成层。

11、n-型电荷生成层可包括第一子n-型电荷生成层和第二子n-型电荷生成层。

12、发射部件中的每一个可包括第一发射部件和第二发射部件，第一子n-型电荷生成层可放置为邻近第一发射部件，并且第二子n-型电荷生成层可放置为邻近第二发射部件。

13、第一子n-型电荷生成层的最低未占分子轨道(lumo)能级可大于第二子n-型电荷生成层的lumo能级。

14、发光装置可包括：第一电极；与第一电极重叠的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件；以及设置在m个发射部件的相邻的发射部件之间的m-1个电荷生成层，其中发射部件中的每一个可包括空穴传输区、电子传输区以及位于空穴传输区和电子传输区之间的发射层，并且电子传输区可包括由化学式1表示的化合物：

15、

16、在化学式1中，r1和r2可各自独立地包括具有1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团，a1、a2、a3和a4可各自独立地包括：氢、cn、1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团；或各自被cn、f和cf3中的至少一个取代的1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团，并且m可为大于或等于2的自然数。

17、电子传输区可包括空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层或其任何组合，并且电子注入层可包括由化学式1表示的化合物。

18、电子注入层可不含有无机材料。

19、电子注入层的最低未占分子轨道(lumo)能级可在约-2.8ev至约-3.4ev的范围内。

20、显示装置可包括：设置在基板上的晶体管；和电连接至晶体管的发光装置，其中发光装置可包括：第一电极；与第一电极重叠的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件；以及设置在m个发射部件的相邻的发射部件之间的m-1个电荷生成层，电荷生成层中的每一个可包括n-型电荷生成层和p-型电荷生成层，并且n-型电荷生成层可包括由化学式1表示的化合物：

21、

22、在化学式1中，r1和r2可各自独立地包括具有1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团，a1、a2、a3和a4可各自独立地包括：氢、cn、1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团；或各自被cn、f和cf3中的至少一个取代的1至30个碳原子的脂族基团、6至30个碳原子的芳族基团或1至30个碳原子的杂环基团，并且m可为大于或等于2的自然数。

23、n-型电荷生成层可不含有无机材料。

24、n-型电荷生成层的最低未占分子轨道(lumo)能级可在约-2.8ev至约-3.4ev的范围内。

25、n-型电荷生成层可包括至少两个子n-型电荷生成层。

26、n-型电荷生成层可包括第一子n-型电荷生成层和第二子n-型电荷生成层。

27、发射部件中的每一个可包括第一发射部件和第二发射部件，第一子n-型电荷生成层可放置为邻近第一发射部件，并且第二子n-型电荷生成层可放置为邻近第二发射部件。

28、第一子n-型电荷生成层的最低未占分子轨道(lumo)能级可大于第二子n-型电荷生成层的lumo能级。

29、发射部件可包括空穴传输区、电子传输区以及位于空穴传输区和电子传输区之间的发射层，电子传输区可包括空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层或其任何组合，并且电子注入层可包括由化学式1表示的化合物。

30、根据实施方式，可能提供能够简化制造工艺的发光装置。进一步，可能提供具有改善的发光效率和寿命的发光装置。可能提供具有减少的漏电流的发光装置，以及包括发光装置并且具有改善的显示质量的显示装置。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述n-型电荷生成层不含有无机材料。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述n-型电荷生成层的最低未占分子轨道能级在-2.8ev至-3.4ev的范围内。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述n-型电荷生成层包括至少两个子n-型电荷生成层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述n-型电荷生成层包括第一子n-型电荷生成层和第二子n-型电荷生成层。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一子n-型电荷生成层的最低未占分子轨道能级大于所述第二子n-型电荷生成层的最低未占分子轨道能级。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中

9.一种显示装置，包括：

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述n-型电荷生成层的最低未占分子轨道能级在-2.8ev至-3.4ev的范围内。

技术总结
本发明涉及显示装置。显示装置包括位于基板上的晶体管和电连接至晶体管的发光装置。发光装置包括：第一电极；与第一电极重叠的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件；以及设置在m个发射部件的相邻的发射部件之间的m‑1个电荷生成层。电荷生成层中的每一个包括n‑型电荷生成层和p‑型电荷生成层，并且n‑型电荷生成层可包括由化学式1表示的化合物：

技术研发人员：金瑟雍,贾允硕,宋河珍,李学忠,黄载薰
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12