多堆叠式电容器的制作方法

本申请在具有堆叠式电容器的半导体器件和形成堆叠式电容器的方法领域。

背景技术：

1、电容器具有广泛的应用范围，例如与其他部件组合在集成电路中使用。要实施大电容的电容器占据管芯上的大面积。这增加了管芯面积和/或可能需要每个管芯更大，从而减少了可以由单个晶圆制造的管芯的数量。

技术实现思路

1、各种公开的方法和堆叠式电容器可有益地应用于需要在有限面积中增加电容的管芯或芯片。虽然可以期望这样的实施例提供性能的改进，例如增加电容和/或减少面积消耗，但除非在特定权利要求中明确陈述，否则没有特定结果是本发明的必要条件。

2、在本公开的一个方面中，一种堆叠式电容器包括电容器堆叠。电容器堆叠包括具有第一表面和相对的第二表面的基板、在基板上或其上方的第一电介质层，以及在第一电介质上或其上方的第一导电板。第二电介质层在第一导电板上或其上方。第二导电板在第二电介质层上或其上方。电容器堆叠具有至少一个倾斜侧面，该至少一个倾斜侧面相对于基板的第二表面具有至少一个斜率。

3、在本公开的另一方面中，一种集成电路具有堆叠式电容器。堆叠式电容器包括电容器堆叠。电容器堆叠具有至少两个电介质层、至少三个导电板和至少一个倾斜侧面，该至少三个导电板包括基板、第一导电板和第二导电板。基板具有第一表面和相对的第二表面。电容器堆叠的至少一个倾斜侧面相对于基板的第二表面具有至少一个斜率。电容器堆叠的至少一个倾斜侧面包括至少两个电介质层的倾斜侧面和至少三个导电板的第一导电板和第二导电板的倾斜侧面。堆叠式电容器还包括第一电极焊盘和第二电极焊盘。至少三个导电板包括导电地耦合到第一电极焊盘的第一组导电板和导电地耦合到第二电极焊盘的第二组导电板。

4、在本公开的另一方面中，一种形成堆叠式电容器的方法包括通过沉积形成电容器堆叠。电容器堆叠包括至少两个电介质层和包括基板的至少三个导电板，并且基板具有第一表面和相对的第二表面。光刻胶膜涂覆在电容器堆叠上或其上方。通过将光通过灰度掩模引入到光刻胶膜，将光刻胶膜图案化为相对于基板的第二表面具有至少一个倾斜侧面的图案化光刻胶掩模。通过使用蚀刻和相同的图案化光刻胶掩模形成电容器堆叠的并相对于基板的第二表面的至少一个倾斜接触侧面。

技术特征：

1.一种堆叠式电容器，其包括：

2.根据权利要求1所述的堆叠式电容器，其中所述至少一个斜率包括相对于所述基板的所述第二表面具有在十度至八十度范围内的角度的斜率。

3.根据权利要求1所述的堆叠式电容器，其还包括：

4.根据权利要求3所述的堆叠式电容器，其还包括：

5.根据权利要求4所述的堆叠式电容器，其还包括：

6.根据权利要求5所述的堆叠式电容器，其还包括：

7.根据权利要求4所述的堆叠式电容器，其中：

8.根据权利要求7所述的堆叠式电容器，其中：

9.根据权利要求8所述的堆叠式电容器，其中所述第一斜率和所述第二斜率相对于所述基板的所述第二表面具有相同或相等的斜角。

10.根据权利要求8所述的堆叠式电容器，其中所述第一斜率和所述第二斜率相对于所述基板的所述第二表面具有不同的斜角。

11.根据权利要求1所述的堆叠式电容器，其中：

12.根据权利要求1所述的堆叠式电容器，其中：

13.一种具有堆叠式电容器的集成电路，所述堆叠式电容器包括：

14.根据权利要求13所述的集成电路，所述至少一个倾斜侧面包括相对于所述基板的所述第二表面具有在十度至八十度范围内的角度的斜率。

15.根据权利要求13所述的集成电路，其中：

16.一种形成堆叠式电容器的方法，其包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中通过沉积在所述基板上或其上方形成所述电容器堆叠包括：

18.根据权利要求16所述的方法，其中通过使用蚀刻和所述相同的图案化光刻胶掩模来形成所述电容器堆叠的并且相对于所述基板的所述第二表面的所述至少一个倾斜接触侧面包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中：

20.根据权利要求18所述的方法，其中：

技术总结
本申请公开了多堆叠式电容器。一种堆叠式电容器包括电容器堆叠(120)。电容器堆叠(120)包括具有第一表面(111)和相对的第二表面(112)的基板(110)、在基板(110)上或其上方的第一电介质层(121)，以及在第一电介质层(121)上或其上方的第一导电板(122)。第二电介质层(123)在第一导电板(122)上或其上方。第二导电板(124)在第二电介质层(123)上或其上方。电容器堆叠(120)具有至少一个倾斜侧面(120S)，该至少一个倾斜侧面相对于基板(110)的第二表面(112)具有至少一个斜率。

技术研发人员：M·H·恩泽伯格-海姆,J·霍恩伯格
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13