包含弹性波装置的模块及其制造方法与流程

文档序号:34602682发布日期:2023-06-29 01:33阅读:27来源:国知局
包含弹性波装置的模块及其制造方法与流程

本公开涉及一种包含弹性波装置的模块及其制造方法。


背景技术:

1、日本专利文献1(特开2017-157922)示例一种弹性波装置等电子装置的封装方法,所述封装方法将芯片以正面朝下安装于电路基板上,并以密封材料覆盖所述芯片的外周。

2、例如,将表面声波(surface acoustic wave,saw)滤波器、功率放大器及开关等元件搭载于基板上而成的功率放大器集成双向器模块(power amplifier moduleintegrated duplexer,pamid),其芯片的安装与模块的制作适合小型化与薄型化。然而,在saw滤波器芯片下方保留空间的同时,其他芯片的下方必须填入底部填充树脂。

3、并且,为了达到散热与屏蔽的效果,可以采用金属层覆盖整个模块,但会在芯片电容器等端子与金属层间形成短路。因此,在全部采用芯片安装的情况下,必须分别采用不同的树脂密封方法。换句话说,必须分别形成密封所述saw滤波器芯片的树脂与密封其他芯片的树脂,因此不利于低背化与降低成本。


技术实现思路

1、本公开有鉴于上述问题,目的在于提供一种适于低背化及降低成本的模块。

2、本公开的包含弹性波装置的模块,包含:

3、封装基板;

4、弹性波装置,以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板,并安装于所述封装基板;

5、光固化薄膜,与所述封装基板一起将所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封;

6、半导体装置,安装于所述封装基板;

7、填充材料,设置于所述封装基板与所述半导体装置间;及

8、金属层,覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置。

9、本公开的包含弹性波装置的模块,包含:

10、封装基板;

11、弹性波装置,以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板,并安装于所述封装基板;

12、光固化薄膜,与所述封装基板一起将所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封;

13、半导体装置,安装于所述封装基板;

14、无源元件,安装于所述封装基板;

15、填充材料,设置于所述封装基板与所述半导体装置间,和所述封装基板与所述无源元件间;及

16、金属层,覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜、所述半导体装置及所述无源元件。

17、本公开的一种形态,所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的中央区域以外的部分。

18、本公开的一种形态,所述金属层将所述无源元件与所述半导体装置气密密封。

19、本公开的一种形态,所述无源元件呈长方体,所述无源元件的两个端子分别形成在其两端,每一端子横跨五个面。

20、本公开的一种形态,所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的两个端子。

21、本公开的一种形态,所述金属层与所述无源元件的端子电绝缘。

22、本公开的一种形态,所述光固化薄膜的厚度为25μm~75μm。

23、本公开的一种形态,所述光固化薄膜经过光固化及热固化,所述填充材料经过热固化。

24、本公开的一种形态,所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面,至少一部分的所述第二主面不被所述光固化薄膜覆盖,至少一部分的所述第二主面被所述金属层覆盖。

25、本公开的一种形态,所述填充材料具有从所述半导体装置的外缘突出的突出部,所述突出部被所述金属层覆盖。

26、本公开的一种形态,所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面,所述半导体装置具有远离所述封装基板的非对向面,所述弹性波装置的整个所述第二主面及所述半导体装置的整个所述非对向面被所述光固化薄膜覆盖,所述金属层形成于所述光固化薄膜上。

27、本公开的一种形态,所述光固化薄膜为聚酰亚胺,所述光固化薄膜的上表面设有保护膜。

28、本公开的一种形态,所述光固化薄膜为聚酰亚胺,所述光固化薄膜的下表面设有基底膜。

29、本公开的一种形态,所述包含弹性波装置的模块还包含设置于所述金属层上的绝缘层。

30、本公开的一种形态,所述弹性波装置包含由弹性表面波滤波器与声薄膜共振器形成的滤波器、双工器和对偶滤波器的其中任一。

31、本公开的一种形态,所述半导体装置为功率放大器、低噪声放大器和开关的其中任一。

32、本公开的包含弹性波装置的模块的制造方法,包含:

33、在封装基板上安装弹性波装置及半导体装置的步骤;

34、在所述封装基板上设置至少覆盖所述弹性波装置的光固化薄膜的步骤;

35、至少使覆盖所述弹性波装置的所述光固化薄膜光硬化的光照射步骤;及

36、至少去除覆盖所述弹性波装置以外的区域的所述光固化薄膜的步骤。

37、本公开的包含弹性波装置的模块的制造方法,包含:

38、在封装基板上安装弹性波装置、半导体装置及无源元件的步骤;

39、在所述封装基板上设置至少覆盖所述弹性波装置及所述无源元件的光固化薄膜的步骤;

40、至少使覆盖所述弹性波装置及所述无源元件的中央区域以外的区域的所述光固化薄膜光硬化的光照射步骤;及

41、至少去除覆盖所述弹性波装置以外的区域及覆盖所述无源元件的中央区域的所述光固化薄膜的步骤。

42、本公开的一种形态,所述包含弹性波装置的模块的制造方法还包含:

43、在所述封装基板与所述半导体装置之间及在所述封装基板与所述无源元件之间填充填充材料的步骤;及

44、形成覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置的金属层的步骤。

45、本公开的一种形态,在去除所述光固化薄膜的步骤中,去除一部分形成于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面上的所述光固化薄膜。

46、本公开的一种形态,在形成所述金属层的步骤中,于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面中未形成所述光固化薄膜的区域形成所述金属层。

47、本发明的有益的效果在于:根据本公开,可以提供一种适于低背化与降低成本的包含弹性波装置的模块。



技术特征:

1.一种包含弹性波装置的模块,其特征在于包含:

2.一种包含弹性波装置的模块,其特征在于包含:

3.根据权利要求2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的中央区域以外的部分。

4.根据权利要求2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述金属层将所述无源元件与所述半导体装置气密密封。

5.根据权利要求2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述无源元件呈长方体,所述无源元件的两个端子分别形成在其两端,每一端子横跨五个面。

6.根据权利要求5所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述光固化薄膜覆盖所述无源元件的两个端子。

7.根据权利要求5或6所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述金属层与所述无源元件的端子电绝缘。

8.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述光固化薄膜的厚度为25μm~75μm。

9.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述光固化薄膜经过光固化及热固化,所述填充材料经过热固化。

10.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面,至少一部分的所述第二主面不被所述光固化薄膜覆盖,至少一部分的所述第二主面被所述金属层覆盖。

11.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述弹性波装置具有与所述第一主面相反的第二主面,所述半导体装置具有远离所述封装基板的非对向面,所述弹性波装置的整个所述第二主面及所述半导体装置的整个所述非对向面被所述光固化薄膜覆盖,所述金属层形成于所述光固化薄膜上。

12.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述光固化薄膜为聚酰亚胺,所述光固化薄膜的上表面设有保护膜。

13.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述光固化薄膜为聚酰亚胺,所述光固化薄膜的下表面设有基底膜。

14.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述包含弹性波装置的模块还包含设置于所述金属层上的绝缘层。

15.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述填充材料具有从所述半导体装置的外缘突出的突出部,所述突出部被所述金属层覆盖。

16.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述弹性波装置包含由弹性表面波滤波器与声薄膜共振器形成的滤波器、双工器和对偶滤波器的其中任一。

17.根据权利要求1或2所述的包含弹性波装置的模块,其特征在于:所述半导体装置为功率放大器、低噪声放大器和开关的其中任一。

18.一种包含弹性波装置的模块的制造方法,其特征在于包含:

19.一种包含弹性波装置的模块的制造方法,其特征在于包含:

20.根据权利要求19所述的包含弹性波装置的模块的制造方法,其特征在于还包含:

21.根据权利要求18至20中任一项所述的包含弹性波装置的模块的制造方法,其特征在于:在去除所述光固化薄膜的步骤中,去除一部分形成于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面上的所述光固化薄膜。

22.根据权利要求20所述的包含弹性波装置的模块的制造方法,其特征在于:在形成所述金属层的步骤中,于所述弹性波装置的不对向所述封装基板的主面中未形成所述光固化薄膜的区域形成所述金属层。


技术总结
一种包含弹性波装置的模块,包含:封装基板;弹性波装置,以设有功能元件的第一主面面向所述封装基板,并安装于所述封装基板;光固化薄膜,将所述封装基板连同所述封装基板与所述功能元件间的间隙密封;半导体装置,安装于所述封装基板;填充材料,设置于所述封装基板与所述半导体装置间;及金属层,覆盖所述封装基板、所述光固化薄膜及所述半导体装置。借此,可以提供一种适于低背化与降低成本的模块。

技术研发人员:中村博文,熊谷浩一,门川裕,金原兼央,塩井伸一
受保护的技术使用者:三安日本科技株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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