体声波谐振器封装件的制作方法

本公开涉及一种体声波谐振器封装件。

背景技术：

1、小且轻量的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等可用于诸如移动通信装置、化学和生物测试装置等的装置中。

2、体声波谐振器可被配置为实现这种小且轻量的滤波器、振荡器、谐振器元件和声波谐振质量传感器的单元，并且与介电滤波器、金属腔滤波器、波导等相比具有非常小的尺寸且非常高的性能，使得体声波谐振器可用于需要高性能(例如，高品质因数、小能量损耗和宽通带)的现代移动装置的通信模块中。

3、以上信息仅作为背景信息呈现，以帮助理解本公开。关于上述内容中的任意内容是否可用作关于本公开的现有技术，没有做出确定，也没有做出断言。

技术实现思路

1、提供本
技术实现要素：
以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

2、在一个总体方面，一种体声波谐振器封装件包括：基板；盖；以及第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，均包括在所述基板与所述盖彼此相对的方向上堆叠并且设置在所述基板与所述盖之间的第一电极、压电层和第二电极，其中，所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器基于彼此不同的第一谐振频率和第二谐振频率以及彼此不同的第一反谐振频率和第二反谐振频率来形成带宽，其中，所述第一谐振频率和所述第二谐振频率之间的差超过200mhz，其中，所述第一体声波谐振器设置为比所述盖更靠近所述基板，并且其中，所述第二体声波谐振器设置为比所述基板更靠近所述盖。

3、所述第一谐振频率和所述第二谐振频率之间的所述差可高于或等于mhz，并且所述第一谐振频率和所述第二谐振频率中的每个可高于3ghz。

4、所述带宽可至少覆盖高于或等于3.3ghz且低于或等于3.8ghz的频率范围。

5、所述第二体声波谐振器可电连接在所述第一体声波谐振器和地之间。

6、所述体声波谐振器封装件还可包括：第三体声波谐振器，包括在所述基板和所述盖彼此相对的所述方向上堆叠并且设置在所述基板和所述盖之间的第一电极、压电层和第二电极；其中，所述第三体声波谐振器的第三谐振频率可高于所述第二体声波谐振器的所述第二谐振频率。

7、所述第三体声波谐振器可串联连接到电感器，并且可电连接在所述第一体声波谐振器和所述地之间。

8、节点过孔可电连接所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器并且在所述基板和所述盖彼此相对的所述方向上延伸。

9、所述体声波谐振器封装件还可包括：第一腔，位于所述基板和所述第一体声波谐振器之间；以及第二腔，位于所述盖和所述第二体声波谐振器之间。

10、所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的一个还可包括质量附加层以比所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的另一个厚，并且所述质量附加层的厚度可以是所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述第一电极和所述第二电极的厚度之和的至少两倍。

11、在另一总体方面，一种体声波谐振器封装件包括：基板；盖；以及第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，均包括在所述基板与所述盖彼此相对的方向上堆叠并且设置在所述基板与所述盖之间的第一电极、压电层和第二电极，其中，所述第一体声波谐振器设置为比所述盖更靠近所述基板，其中，所述第二体声波谐振器设置为比所述基板更靠近所述盖，其中，所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的一个还包括质量附加层以比所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的另一个厚，并且所述质量附加层的厚度是所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述第一电极和所述第二电极的厚度之和的至少两倍。

12、所述体声波谐振器封装件还可包括：腔，设置为比所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个更远离所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述另一个，其中，所述质量附加层可包括金属材料并且可设置在所述腔与所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述压电层之间。

13、所述质量附加层可包括金属材料并且可与所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述第一电极和所述第二电极中的一个或更多个接触。

14、所述质量附加层的一部分可设置在所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述压电层与所述基板之间，并且所述质量附加层的另一部分可设置在所述盖与所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述压电层之间。

15、所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述第一电极和所述第二电极的所述厚度之和可以是400nm或更小。

16、所述第一体声波谐振器的谐振频率和所述第二体声波谐振器的谐振频率中的每个可高于3ghz。

17、在另一总体方面，一种体声波谐振器封装件包括：第一体声波谐振器，设置在基板的上表面上；节点过孔，电连接所述第一体声波谐振器和地；第二体声波谐振器，面向所述第一体声波谐振器并且设置在结合到所述基板的盖的下表面上，其中，所述第二体声波谐振器电连接在所述节点过孔和所述地之间。

18、所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器的厚度之间的差可以是所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的一个的电极的总厚度的至少两倍。

19、所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器的谐振频率之间的差可高于或等于200mhz。

20、所述节点过孔可在所述基板和所述盖彼此相对的方向上延伸。

21、根据以下具体实施方式和附图，其它特征和方面将是显而易见的。

技术特征：

1.一种体声波谐振器封装件，包括：

2.如权利要求1所述的体声波谐振器封装件，其中，所述第一谐振频率和所述第二谐振频率之间的所述差高于或等于500mhz，并且所述第一谐振频率和所述第二谐振频率中的每个高于3ghz。

3.如权利要求1所述的体声波谐振器封装件，其中，所述带宽至少覆盖高于或等于3.3ghz且低于或等于3.8ghz的频率范围。

4.如权利要求1所述的体声波谐振器封装件，其中，所述第二体声波谐振器电连接在所述第一体声波谐振器和地之间。

5.如权利要求4所述的体声波谐振器封装件，所述体声波谐振器封装件还包括：

6.如权利要求5所述的体声波谐振器封装件，其中，所述第三体声波谐振器串联连接到电感器，并且电连接在所述第一体声波谐振器和所述地之间。

7.如权利要求1所述的体声波谐振器封装件，其中，节点过孔电连接所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器并且在所述基板和所述盖彼此相对的所述方向上延伸。

8.如权利要求1所述的体声波谐振器封装件，所述体声波谐振器封装件还包括：

9.如权利要求1所述的体声波谐振器封装件，其中，

10.一种体声波谐振器封装件，包括：

11.如权利要求10所述的体声波谐振器封装件，所述体声波谐振器封装件还包括：

12.如权利要求10所述的体声波谐振器封装件，所述体声波谐振器封装件还包括：

13.如权利要求10所述的体声波谐振器封装件，其中，所述质量附加层包括金属材料并且与所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述第一电极和所述第二电极中的一个或更多个接触。

14.如权利要求10所述的体声波谐振器封装件，其中，

15.如权利要求10所述的体声波谐振器封装件，其中，所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的所述一个的所述第一电极和所述第二电极的所述厚度之和为400nm或更小。

16.如权利要求10所述的体声波谐振器封装件，其中，所述第一体声波谐振器的谐振频率和所述第二体声波谐振器的谐振频率中的每个高于3ghz。

17.一种体声波谐振器封装件，包括：

18.如权利要求17所述的体声波谐振器封装件，其中，所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器的厚度之间的差是所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器中的一个的电极的总厚度的至少两倍。

19.如权利要求17所述的体声波谐振器封装件，其中，所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器的谐振频率之间的差高于或等于200mhz。

20.如权利要求17所述的体声波谐振器封装件，其中，所述节点过孔在所述基板和所述盖彼此相对的方向上延伸。

技术总结
本公开提供一种体声波谐振器封装件。所述体声波谐振器封装件包括：基板；盖；以及第一体声波谐振器和第二体声波谐振器，均包括在所述基板与所述盖彼此相对的方向上堆叠并且设置在所述基板与所述盖之间的第一电极、压电层和第二电极，其中，所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器基于彼此不同的第一谐振频率和第二谐振频率以及彼此不同的第一反谐振频率和第二反谐振频率来形成带宽，所述第一谐振频率和所述第二谐振频率之间的差超过200MHz，所述第一体声波谐振器设置为比所述盖更靠近所述基板，并且所述第二体声波谐振器设置为比所述基板更靠近所述盖。

技术研发人员：金烔会,朴润锡,李泰京,金贞儿
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13