一种功率放大器及移动终端的制作方法

本申请涉及功率放大器，尤其涉及一种功率放大器和移动终端。

背景技术：

1、射频功率放大器(power amplifier，pa)广泛应用于第二代移动通讯(secondgeneration，2g)/第三代移动通讯(third generation，3g)/第四代移动通讯(fourthgeneration，4g)/第五代移动通讯(fifth generation，5g)的移动通讯装置中，为了提高数据传输速率，3g/4g/5g通讯通过采用高阶调制的方式，如正交相移键控(quadrature phaseshift keying，qpsk)、正交振幅调制(quadrature amplitude modulation，qam)等，其输出信号为非恒包络信号，因此为了降低信号失真，需要使用线性射频功率放大器。

2、射频功率放大器通常使用化合物半导体工艺如砷化镓异质结双极晶体管gaashbt，其虽具有高效率、高线性度的优点，但其成本较高。若采用成本较低的互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，cmos)工艺中的沟道场效应晶体管nfet，其在大信号下线性度较低而难以设计为高功率高线性度的功率放大器，使设计的功率放大器在大功率时表现为较低的线性度。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例期望提供一种功率放大器和移动终端，能够改善cmos功率放大器的线性度，且能够降低移动终端的成本。

2、为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例提供一种功率放大器，该功率放大器包括：偏置电路和放大电路；放大电路包括：第一晶体管以及分流电路；

4、偏置电路，用于为放大电路提供偏置电流；

5、放大电路，用于对输入的射频信号进行放大，并输出放大后的射频信号；

6、第一晶体管的栅极与偏置电路相连接，第一晶体管的源极接地，第一晶体管的漏极与电源连接；

7、分流电路的输入端与第一晶体管的栅极相连接，分流电路的输出端，用于将偏置电路输出的第一偏置电流导出，以利用第一偏置电流驱动第一晶体管。

8、在上述功率放大器中，分流电路包括：第二晶体管；

9、第二晶体管的栅极、第二晶体管的漏极分别与第一晶体管的栅极相连接；第二晶体管的源极，用于将偏置电路输出的偏置电流导出。

10、在上述功率放大器中，分流电路包括：二极管；

11、二极管的阳极与第一晶体管的栅极相连接；二极管的阴极，用于将偏置电路输出的偏置电流导出。

12、在上述功率放大器中，分流电路包括：第一电阻；

13、第一电阻的一端与第一晶体管的栅极相连接；第一电阻的另一端，用于将偏置电路输出的偏置电流导出。

14、在上述功率放大器中，分流电路的输出端接地。

15、在上述功率放大器中，偏置电路包括第三晶体管和第一电容；

16、第三晶体管的栅极与第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第三晶体管的源极与第一晶体管的栅极连接；第三晶体管的漏极与电源连接；

17、第三晶体管，用于向第一晶体管的栅极提供偏置电流；

18、第一电容，用于将第三晶体管的漏极和第三晶体管的栅极所在通路中传输的射频信号导入地。

19、在上述功率放大器中，偏置电路还包括第四晶体管和第五晶体管；

20、第四晶体管的栅极与第三晶体管的栅极连接；第四晶体管的漏极分别与第三晶体管的栅极和直流电源连接；第四晶体管的源极与第五晶体管的栅极和第五晶体管的漏极连接；第五晶体管的源极接地。

21、在上述功率放大器中，偏置电路还包括第二电阻；

22、第二电阻的一端与第一晶体管的栅极连接；第二电阻的另一端与第三晶体管的源极连接；

23、在第一晶体管的栅极传输的电流随第一晶体管的温度变化时，利用第二电阻对电流进行调节，以调节第一晶体管的偏置电压。

24、在上述功率放大器中，偏置电路还包括第三电阻；

25、第三电阻的一端与第四晶体管的漏极连接；第三电阻的另一端与第三晶体管的栅极连接；

26、利用第三电阻将泄漏的射频信号与电源隔离。

27、在上述功率放大器中，功率放大器为cmos功率放大器。

28、第二方面，本申请实施例提供一种移动终端，移动终端包括如权利要求1-10任一项所述的功率放大器。

29、本申请实施例提供一种功率放大器和移动终端，该功率放大器包括：偏置电路和放大电路；放大电路包括：第一晶体管以及分流电路；偏置电路，用于为放大电路提供偏置电流；放大电路，用于对输入的射频信号进行放大，并输出放大后的射频信号；第一晶体管的栅极与偏置电路的输出端相连接，第一晶体管的源极接地，第一晶体管的漏极与电源连接；分流电路的输入端与第一晶体管的栅极相连接；分流电路的输出端，用于将偏置电路输出的第一偏置电流导出，以利用第一偏置电流驱动第一晶体管。采用上述实现方案，在对输入的射频信号的功率进行放大的过程中，通过对现有的cmos功率放大器进行改进，其偏置电路中输出的偏置电流随着射频信号功率的增大而增大，从而影响放大电路的输入端的偏置电压也会随着偏置电路中输出的偏置电流的增大而增大，利用变化的偏置电压，改善放大电路中进行射频信号放大的晶体管的线性度，本申请中通过利用变化的偏置电压对放大射频信号的晶体管的线性度做出了调节，其针对于成本较低的cmos放大器的线性度进行改进，不仅提高了大信号条件下cmos功率放大器的线性度，而且改进了cmos功率放大器的线性度之后，利用改进的cmos放大器替换成本较高的gaas hbt，其移动终端成本更低。

技术特征：

1.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括：偏置电路和放大电路；所述放大电路包括第一晶体管以及分流电路；

2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述分流电路包括第二晶体管；

3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述分流电路包括二极管；

4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述分流电路包括第一电阻；

5.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述分流电路的输出端接地。

6.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置电路包括第三晶体管和第一电容；

7.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置电路还包括第四晶体管和第五晶体管；

8.根据权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置电路还包括第二电阻；

9.根据权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述偏置电路还包括第三电阻；

10.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器为cmos功率放大器。

11.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括如权利要求1-10任一项所述的功率放大器。

技术总结
本申请实施例提供一种功率放大器和移动终端，该功率放大器包括：偏置电路和放大电路；放大电路包括第一晶体管以及分流电路；偏置电路，用于为放大电路提供偏置电流；放大电路，用于对输入的射频信号进行放大，并输出放大后的射频信号；第一晶体管的栅极与偏置电路相连接，第一晶体管的源极接地，第一晶体管的漏极与电源连接；分流电路的输入端与第一晶体管的栅极相连接；分流电路的输出端，用于将偏置电路输出的第一偏置电流导出，以利用第一偏置电流驱动第一晶体管。

技术研发人员：彭振飞,苏强
受保护的技术使用者：广州慧智微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13