一种5G通讯电源抗干扰装置的制作方法

文档序号:32463607发布日期:2022-12-07 04:45阅读:29来源:国知局
一种5G通讯电源抗干扰装置的制作方法
一种5g通讯电源抗干扰装置
技术领域
1.本实用新型涉及5g基站技术领域,尤其是一种5g通讯电源抗干扰装置。


背景技术:

2.5g网络通讯技术有诸多优点,近年来已逐步替代4g网络。5g网络通讯技术的核心来自5g基站,5g基站的能耗大幅增长,对电源的性能和功能提出了新的要求。5g基站电源选择高驱动功率电源,高驱动功率电源的pfc电路由ic芯片驱动工作,可提高电力的利用率。pfc电路包括由功率放大模块,可增大输入电流,pfc电路会产生强磁场,在5g基站内需要安装防干扰装置,防止强磁场干扰弱电电路。目前多采用屏蔽罩来防干扰,屏蔽罩的结构比较单一,多采用单一的片体或罩盖。5g基站需要持续工作,且功率较大,产生的热量也较多,需要及时散热,方可保证5g基站能稳定持续工作。针对上述问题,我们发明了一种5g通讯电源抗干扰装置。


技术实现要素:

3.本实用新型提出了一种5g通讯电源抗干扰装置,该抗干扰装置用在5g基站内,5g基站使用高驱动功率电源,5g基站机箱内的底座1上安装有高驱动功率电源的pfc电路2;该抗干扰装置包括有自下而上分布的底圈3、中圈4和顶盖5,底圈3、中圈4和顶盖5均为金属板,底圈3套在pfc电路2外侧。依靠底圈3、中圈4和顶盖5可完全罩住pfc电路2,可防止pfc电路2的强磁场干扰5g基站机箱内的弱电电路。
4.本实用新型的技术方案是这样实现的:一种5g通讯电源抗干扰装置,该抗干扰装置用在5g基站内,5g基站使用高驱动功率电源,5g基站机箱内安装有底座,所述底座上安装有高驱动功率电源的pfc电路;所述抗干扰装置包括有矩形的底圈,套设在底圈顶口上的中圈,以及盖在中圈顶口上的顶盖,所述底圈、中圈和顶盖均为金属板,所述底圈套在pfc电路外侧;所述底圈沿四角位置设有安装板,所述底圈依靠安装板固定在底座上;所述底圈上还开设有进线口和出线口;所述底圈沿顶口周边朝外设有若干位置间隔分布的支撑块;所述中圈呈凸台结构,所述中圈沿底口朝下设有矩形的唇圈,所述中圈依靠唇圈套在支撑块上;所述顶盖沿周边朝下设有侧圈,所述侧圈上开设有若干间隔分布的出风口。
5.进一步的有,所述抗干扰装置还包括有底板,所述底板位于pfc电路的下方并陷于底圈内,所述底板顶面上铺设有绝缘硅胶层。
6.进一步的有,所述中圈沿顶口朝内设有内圈;所述侧圈沿底面里侧朝下内唇,所述内唇卡在内圈内。
7.进一步的有,所述中圈的外侧面上设有若干凸点。
8.进一步的有,所述底圈沿底边分别在进线口和出线口位置朝外设有安装块;所述安装块上活动安装有金属材质的小盖,所述小盖呈拱形结构并与进线口或出线口位置对齐。
9.采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果为:
10.1.该抗干扰装置用在5g基站内,5g基站使用高驱动功率电源,5g基站机箱内的底座上安装有高驱动功率电源的pfc电路。该抗干扰装置包括有自下而上分布的底圈、中圈和顶盖,底圈、中圈和顶盖均为金属板,底圈套在pfc电路外侧。依靠底圈、中圈和顶盖可完全罩住pfc电路,可防止pfc电路的强磁场干扰5g基站机箱内的弱电电路。
11.2.底圈顶口的相邻支撑块之间保持有间隙,顶盖的侧圈上开设有若干间隔分布的出风口,可有效解决高驱动功率电源的散热问题。
附图说明
12.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1为本实用新型的结构示意图;
14.图2为本实用新型的剖切结构示意图;
15.图3为本实用新型的拆分结构示意图;
16.其中:1.底座、2.pfc电路、3.底圈、4.中圈、5.顶盖、6.安装板、7.进线口、8.出线口、9.支撑块、10.唇圈、11.侧圈、12.出风口、13.底板、14.绝缘硅胶层、15.内圈、16.内唇、17.凸点、18.安装块、19.小盖。
具体实施方式
17.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
18.如图1-3所示,一种5g通讯电源抗干扰装置,该抗干扰装置用在5g基站内,5g基站使用高驱动功率电源,5g基站机箱内安装有底座1,底座1上安装有高驱动功率电源的pfc电路2。抗干扰装置包括有矩形的底圈3,套设在底圈3顶口上的中圈4,以及盖在中圈4顶口上的顶盖5,底圈3、中圈4和顶盖5均为金属板,底圈3套在pfc电路2外侧。底圈3沿四角位置设有安装板6,底圈3依靠安装板6固定在底座1上。底圈3上还开设有进线口7和出线口8。底圈3沿顶口周边朝外设有若干位置间隔分布的支撑块9。中圈4呈凸台结构,中圈4沿底口朝下设有矩形的唇圈10,中圈4依靠唇圈套在支撑块9上。顶盖5沿周边朝下设有侧圈11,侧圈11上开设有若干间隔分布的出风口12。
19.本实用新型的抗干扰装置还包括有底板13,底板13位于pfc电路2的下方并陷于底圈3内,底板13顶面上铺设有绝缘硅胶层14。底板13设置在pfc电路2的下方,pfc电路2外侧设有底圈3、中圈4和顶盖5,可全方位的阻挡pfc电路2产生的磁场向外泄露。
20.本实施例的中圈4沿顶口朝内设有内圈15。侧圈11沿底面里侧朝下内唇16,内唇16卡在内圈15内。侧圈11的内唇16朝内开设,可阻挡pfc电路2产生的磁场穿过出风口12。
21.本实施例的中圈4的外侧面上设有若干凸点17,凸点17可有效增加中圈4外侧面的表面积,可提高中圈4的散热效果。
22.本实施例的底圈3沿底边分别在进线口7和出线口8位置朝外设有安装块18。安装块18上活动安装有金属材质的小盖19,小盖19呈拱形结构并与进线口7或出线口8位置对齐。小盖19可用于固定线缆,同时也可阻挡pfc电路2的磁场从进线口7或出线口8向外泄露。
23.一种5g通讯电源抗干扰装置,该抗干扰装置用在5g基站内,5g基站使用高驱动功率电源,5g基站机箱内的底座1上安装有高驱动功率电源的pfc电路2。该抗干扰装置包括有自下而上分布的底圈3、中圈4和顶盖5,底圈3、中圈4和顶盖5均为金属板,底圈3套在pfc电路2外侧。依靠底圈3、中圈4和顶盖5可完全罩住pfc电路2,可防止pfc电路2的强磁场干扰5g基站机箱内的弱电电路。底圈3顶口的相邻支撑块9之间保持有间隙,顶盖5的侧圈11上开设有若干间隔分布的出风口12,可有效解决高驱动功率电源的散热问题。
24.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征:
1.一种5g通讯电源抗干扰装置,该抗干扰装置用在5g基站内,g基站使用高驱动功率电源,5g基站机箱内安装有底座(1),所述底座(1)上安装有高驱动功率电源的pfc电路(2);其特征在于,所述抗干扰装置包括有矩形的底圈(3),套设在底圈(3)顶口上的中圈(4),以及盖在中圈(4)顶口上的顶盖(5),所述底圈(3)、中圈(4)和顶盖(5)均为金属板,所述底圈(3)套在pfc电路(2)外侧;所述底圈(3)沿四角位置设有安装板(6),所述底圈(3)依靠安装板(6)固定在底座(1)上;所述底圈(3)上还开设有进线口(7)和出线口(8);所述底圈(3)沿顶口周边朝外设有若干位置间隔分布的支撑块(9);所述中圈(4)呈凸台结构,所述中圈(4)沿底口朝下设有矩形的唇圈(10),所述中圈(4)依靠唇圈(10)套在支撑块(9)上;所述顶盖(5)沿周边朝下设有侧圈(11),所述侧圈(11)上开设有若干间隔分布的出风口(12)。2.根据权利要求1所述的一种5g通讯电源抗干扰装置,其特征在于,所述抗干扰装置还包括有底板(13),所述底板(13)位于pfc电路(2)的下方并陷于底圈(3)内,所述底板(13)顶面上铺设有绝缘硅胶层(14)。3.根据权利要求1所述的一种5g通讯电源抗干扰装置,其特征在于,所述中圈(4)沿顶口朝内设有内圈(15);所述侧圈(11)沿底面里侧朝下内唇(16),所述内唇(16)卡在内圈(15)内。4.根据权利要求1所述的一种5g通讯电源抗干扰装置,其特征在于,所述中圈(4)的外侧面上设有若干凸点(17)。5.根据权利要求1所述的一种5g通讯电源抗干扰装置,其特征在于,所述底圈(3)沿底边分别在进线口(7)和出线口(8)位置朝外设有安装块(18);所述安装块(18)上活动安装有金属材质的小盖(19),所述小盖(19)呈拱形结构并与进线口(7)或出线口(8)位置对齐。

技术总结
本实用新型提出了一种5G通讯电源抗干扰装置,该抗干扰装置用在5G基站内,5G基站使用高驱动功率电源,5G基站机箱内的底座上安装有高驱动功率电源的PFC电路。该抗干扰装置包括有自下而上分布的底圈、中圈和顶盖,底圈、中圈和顶盖均为金属板,底圈套在PFC电路外侧。依靠底圈、中圈和顶盖可完全罩住PFC电路,可防止PFC电路的强磁场干扰5G基站机箱内的弱电电路。底圈顶口的相邻支撑块之间保持有间隙,顶盖的侧圈上开设有若干间隔分布的出风口,可有效解决高驱动功率电源的散热问题。效解决高驱动功率电源的散热问题。效解决高驱动功率电源的散热问题。


技术研发人员:朱斌 赵艳需 游张华 张恒涛 徐鹏飞 何家财
受保护的技术使用者:深圳市华海联能科技有限公司
技术研发日:2022.07.22
技术公布日:2022/12/6
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