一种高散热性能的散热屏蔽铜箔的制作方法

文档序号:33927404发布日期:2023-04-22 08:29阅读:112来源:国知局
一种高散热性能的散热屏蔽铜箔的制作方法

本技术涉及铜箔,具体为一种高散热性能的散热屏蔽铜箔。


背景技术:

1、压延铜箔是利用塑性加工原理通过对高精度铜带(厚度通常小于150微米)反复轧制—退火而成的产品(厚度通常介于4-100微米,宽度通常<800毫米),其延展性、抗弯曲性和导电性等都优于电解铜箔,铜纯度也高于电解铜箔,目前使用的压延铜箔散热及屏蔽效果差,这不仅降低了压延铜箔的实用性,而且给使用人员增加了麻烦。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种高散热性能的散热屏蔽铜箔,具备散热效果好且屏蔽效果好的优点,解决了目前使用的压延铜箔散热及屏蔽效果差,这不仅降低了压延铜箔的实用性,而且给使用人员增加了麻烦的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高散热性能的散热屏蔽铜箔,包括压延铜箔本体,所述压延铜箔本体的表面设置有散热层,所述散热层的表面设置有屏蔽层,所述散热层包括石墨烯、辐射散热涂料、高导热硅脂和氧化铝涂层,所述氧化铝涂层的顶部设置有高导热硅脂,所述高导热硅脂的顶部设置辐射散热涂料,所述辐射散热涂料的顶部设置有石墨烯,所述屏蔽层包括导电橡胶、吸波材料和导电复合剂,所述导电复合剂的顶部设置有吸波材料,所述吸波材料的顶部设置有导电橡胶,所述导电橡胶的厚度小于吸波材料的厚度,所述吸波材料的厚度大于导电复合剂的厚度,所述石墨烯的厚度小于辐射散热涂料的厚度,所述辐射散热涂料的厚度大于氧化铝涂层的厚度。

3、与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

4、1、本实用新型通过设置压延铜箔本体可作为导电材料,通过设置散热层增加压延铜箔本体的散热系数,通过设置屏蔽层增加压延铜箔本体的屏蔽系数,同时解决了目前使用的压延铜箔散热及屏蔽效果差,这不仅降低了压延铜箔的实用性,而且给使用人员增加了麻烦的问题。

5、2、本实用新型通过设置石墨烯是由单层碳原子以正六边形结构紧密排列构成的呈蜂窝状的二维平面结构,先已在手机、平板电脑、电气设备等高端电子消费终端产品的设计和制造被广泛应用,通过设置辐射散热涂料是一种辐射走物体热量并隔热防水的涂料,耐温幅度零下50~600℃,通过设置高导热硅脂203是一种高导热绝缘有机硅材料,几乎永远不固化,广泛应用于电器设备中的发热体与散热设施之间的接触面,利于发热体的导热、散热,从而保证电子仪器、仪表等的电气性能的稳定,例如,功率放大器、晶体管、电子管和cpu等电子原器件,通过设置导电橡胶其制作的时候会使用硅酮、硅酮氟化物等粘合剂结合纯银、或者镀银材料作为导电填料制成,通过设置吸波材料其一般都是片状的吸波纸、吸波垫等,这一类的屏蔽材料会把合金粉借助特殊工艺和高分子树脂混合制成片状,通过吸收电磁波的形式来达到一个屏蔽的效果,通过设置导电复合剂主要指的就是导电粘合剂以及导电涂料,导电粘合剂的话其中除了基料以外,还会放入银微粒或镀银微粒,这种屏蔽材料可以用于粘合或者填缝上,导电涂料主要是以喷涂的方式,为设备提供相应的屏蔽。



技术特征:

1.一种高散热性能的散热屏蔽铜箔,包括压延铜箔本体(1),其特征在于:所述压延铜箔本体(1)的表面设置有散热层(2),所述散热层(2)的表面设置有屏蔽层(3),所述散热层(2)包括石墨烯(201)、辐射散热涂料(202)、高导热硅脂(203)和氧化铝涂层(204),所述氧化铝涂层(204)的顶部设置有高导热硅脂(203),所述高导热硅脂(203)的顶部设置辐射散热涂料(202),所述辐射散热涂料(202)的顶部设置有石墨烯(201),所述屏蔽层(3)包括导电橡胶(301)、吸波材料(302)和导电复合剂(303),所述导电复合剂(303)的顶部设置有吸波材料(302),所述吸波材料(302)的顶部设置有导电橡胶(301),所述导电橡胶(301)的厚度小于吸波材料(302)的厚度,所述吸波材料(302)的厚度大于导电复合剂(303)的厚度,所述石墨烯(201)的厚度小于辐射散热涂料(202)的厚度,所述辐射散热涂料(202)的厚度大于氧化铝涂层(204)的厚度。


技术总结
本技术公开了一种高散热性能的散热屏蔽铜箔,包括压延铜箔本体,所述压延铜箔本体的表面设置有散热层,所述散热层的表面设置有屏蔽层,所述散热层包括石墨烯、辐射散热涂料、高导热硅脂和氧化铝涂层,所述氧化铝涂层的顶部设置有高导热硅脂,所述高导热硅脂的顶部设置辐射散热涂料,所述辐射散热涂料的顶部设置有石墨烯,所述屏蔽层包括导电橡胶、吸波材料和导电复合剂。本技术通过设置压延铜箔本体可作为导电材料,通过设置散热层增加压延铜箔本体的散热系数,同时解决了目前使用的压延铜箔散热及屏蔽效果差,这不仅降低了压延铜箔的实用性,而且给使用人员增加了麻烦的问题。

技术研发人员:侯海洋,赵晓辉,邵松才,焦新,孟祥文,尚严涛,张灏,郭东革,王少辉,王冰瑶,余高升,秦为钊,杨江波,阳展飞,赵磊
受保护的技术使用者:灵宝金源朝辉铜业有限公司
技术研发日:20220918
技术公布日:2024/1/11
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