一种MOS多并联米勒尖峰吸收电路的制作方法

本技术涉及米勒尖峰吸收电路，具体为一种mos多并联米勒尖峰吸收电路。

背景技术：

1、众所周知，随着随着电子电力技术的发展，功率mosfet以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等,得到了越来越广泛的应用。功率mosfet在低压大功率的许多应用场合,例如如电动三轮车、旅游观光电动汽车、小型电动叉车等,而这些非道路车辆由于需要大电流以使得电机输出大扭矩，单一mosfet的输出电流无法满足这些车辆电机控制器的需求，因此为增大电机控制器所能输出的相电流，电机控制器采用的都是多mos管并联的方法。但是随着mos管并联数量的增多，驱动信号线路驱动信号分布不均匀，mos管的分布电容易导致mos管误开通，在三相桥式电路中，当上管正常开通，下管误触发开通则易导致mos管桥臂上下直通过流损坏。在当前多mos管并联主要采用降低mos管的开关频率、增大驱动电阻或者采用负压关管来降低因mos管分布电容带来的米勒尖峰电压以防止mos管误导通。

2、上述技术还存在如下缺点，通过降低开关频率来减小mos管的米勒尖峰，在一些特定的条件下不能满足电机控制精度的要求；加大mos管栅极的驱动电阻，会导致mos管开启时间增加，加大开关损耗；通过增加负压来关断mos管，需要增加负压关断电路，会加大硬件成本。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、由于当前新能源的发展低压电机控制器所需的功率越来越大，并联的mos管越来越多pwm驱动信号线越来越长，会随着回路加长关断时mos的米勒尖峰会越来越高，当mos的米勒尖峰过高时就容易导致上下管直通，过大的电流损坏mos管，导致控制器的故障率增大。为了解决这个问题，本实用新型提供了一种mos多并联米勒尖峰吸收电路。

3、(二)技术方案

4、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种mos多并联米勒尖峰吸收电路，包括电机控制器三相输出端、电机控制器负端和吸收电路组件，所述电机控制器三相输出端通过所述吸收电路组件与所述电机控制器负端连接，所述吸收电路组件包括mos管、mos管驱动电阻、pwm信号控制器和米勒尖峰吸收阻容，所述mos管设置为若干组并联，每组所述mos管均与对应的mos管驱动电阻连接，每组所述mos管驱动电阻输出端均与pwm信号控制器连接，所述mos管的栅极以源极输出端均设置有米勒尖峰吸收阻容，所述米勒尖峰吸收阻容输出端与所述电机控制器负端连接。

5、优选的，所述pwm信号控制器输出信号为矩形波。

6、(三)有益效果

7、与现有技术相比，本实用新型提供了一种mos多并联米勒尖峰吸收电路，具备以下有益效果：

8、该mos多并联米勒尖峰吸收电路，在mos管的漏极和栅极间的电容就是常说的米勒电容，对器件开关特性具有较大影响，也是mos管开启时出现电流尖峰的罪魁祸首。器件的开启或关断过程，就是器件的电压/电流发生变化的过程，电感两端的感应电动势与电感大小有关，即vi＝l*di/dt。在关断瞬间电压上升，上升到一定值时电流开始下降，存在di/dt。如果寄生电感和di/dt都比较大，会产生较大的感应电动势。当感应电动势大于器件关断后的稳定电压时，将形成一个电压尖峰。本设计在mos管的栅极与源极之间加上阻容吸收尖峰电压，并在pcblayout中减少回路长度来减小走线的寄生电感。使得可以大幅度的减小尖峰电压且可以使并联电路中每个mos管的米勒尖峰电压比较平均。

技术特征：

1.一种mos多并联米勒尖峰吸收电路，包括电机控制器三相输出端(1)、电机控制器负端(2)和吸收电路组件，其特征在于：所述电机控制器三相输出端(1)通过所述吸收电路组件与所述电机控制器负端(2)连接，所述吸收电路组件包括mos管(3)、mos管驱动电阻(4)、pwm信号控制器(5)和米勒尖峰吸收阻容(6)，所述mos管(3)设置为若干组并联，每组所述mos管(3)均与对应的mos管驱动电阻(4)连接，每组所述mos管驱动电阻(4)输出端均与pwm信号控制器(5)连接，对应的所述mos管(3)的栅极以源极输出端设置有米勒尖峰吸收阻容(6)，所述米勒尖峰吸收阻容(6)输出端与所述电机控制器负端(2)连接。

2.根据权利要求1所述的一种mos多并联米勒尖峰吸收电路，其特征在于：所述pwm信号控制器(5)输出信号为矩形波。

技术总结
本技术涉及米勒尖峰吸收电路技术领域，具体为一种MOS多并联米勒尖峰吸收电路，包括电机控制器三相输出端、电机控制器负端和吸收电路组件，所述电机控制器三相输出端通过所述吸收电路组件与所述电机控制器负端连接，所述吸收电路组件包括MOS管、MOS管驱动电阻、PWM信号控制器和米勒尖峰吸收阻容，当感应电动势大于器件关断后的稳定电压时，将形成一个电压尖峰。本设计在MOS管的栅极与源极之间加上阻容吸收尖峰电压，并在PCBlayout中减少回路长度来减小走线的寄生电感。使得可以大幅度的减小尖峰电压且可以使并联电路中每个MOS管的米勒尖峰电压比较平均。

技术研发人员：林少川,李灵志,李昭代,董磊,郭新华
受保护的技术使用者：厦门唯质电气科技有限公司
技术研发日：20221008
技术公布日：2024/1/13