一种微波屏蔽结构和一种半导体器件的加工设备的制作方法

本技术涉及微波屏蔽领域，具体涉及了一种微博屏蔽结构和一种半导体器件的加工设备。

背景技术：

1、在半导体的化学气相沉积过程中，通常采用紫外固化设备来去除水等会牺牲材料的热不稳定的有机成分。

2、然而，紫外固化设备中的紫外(ultraviolet，uv)灯在工作时除了产生机台工作所需要的紫外线外，还会产生其他波段的光，例如红外光线。这些其他波段的光线会对机台要进行的工艺造成干扰，因此需要对这些其他波段的光线进行屏蔽和过滤。但是现有技术中，在机台运转的过程中，对其他波段的光进行过滤，会导致接收到的紫外光线的光学效果也不稳定。

3、为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种微波屏蔽技术，对光路系统进行调整，不仅能够增强滤光功能，加大紫外线的透过率并减少其他波段的光线的干扰，而且能够获得更均匀的紫外光线的光谱分布。

技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

2、为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本实用新型的一方面提供了一种微波屏蔽结构，包括金属屏蔽网，其中，该金属屏蔽网设置于反应腔室内的光源下方的开口处，其外部覆盖支撑板，该支撑板具有调光结构，用以调整经过该微波屏蔽结构的光线的光谱和/或光路。通过采用上述一方面提供的微波屏蔽结构，对光路系统进行调整，不仅增强了滤光功能，加大了紫外线的透过率并减少了其他波段的光线的干扰，而且能够获得更均匀的紫外光线的光谱分布。

3、可选地，在一些实施例中，该调光结构包括滤光层，该滤光层覆盖该支撑板的上表面和/或下表面，用于增强紫外光线的透过率和/或降低非紫外波段的光线的透过率。

4、可选地，进一步地，该支撑板由石英材料制成，和/或该滤光层由氧化铝或氧化铪制成。

5、可选地，进一步地，该滤光层由光学镀层工艺覆盖在该支撑板的上表面和/或下表面。

6、可选地，进一步地，石英材料制成的该支撑板经过加氢工艺处理，以增加其透光度。

7、可选地，在一些实施例中，该调光结构包括弧形透镜结构、凹透镜结构和/或凸透镜结构，其中，该弧形透镜结构、该凹透镜结构和/或该凸透镜结构由对应形状的该支撑板构成，该弧形透镜结构及该凸透镜结构用于会聚经过该微波屏蔽结构的紫外光线，该凹透镜结构用于发散经过该微波屏蔽结构的紫外光线。

8、可选地，在一些实施例中，该调光结构还包括位置调节机构，用于调节该微波屏蔽结构到该光源的距离，以调节该光线在该反应腔室内的光路分布。

9、可选地，进一步地，该光源的下方设有多组安装孔，该位置调节机构包括适配该安装孔的一组突起部，其中，各组该安装孔到该光源的距离不同，该支撑板经由该突起部及任意一组该安装孔被安装到该光源的下方，并经由该突起部及另一组该安装孔来调节该微波屏蔽结构到该光源的距离。

10、可选地，进一步地，该光源的下方设有滑轨，该位置调节机构包括驱动电机及适配该滑轨的滑动部，其中，该支撑板经由该滑动部被安装到该光源的下方，并经由该驱动电机驱动该滑动部来调节该微波屏蔽结构到该光源的距离。

11、本实用新型的另一方面还提供了一种半导体器件的加工设备，包括：反应腔室；光源；以及上述任一项所述的微波屏蔽结构，其中，该微波屏蔽结构设于该光源及该反应腔室之间，以调整经过该微波屏蔽结构的光线的光谱和/或光路。通过采用上述半导体器件的加工设备，对光路系统进行调整，不仅增强了滤光功能，加大了紫外线的透过率并减少了其他波段的光线的干扰，而且能够获得更均匀的紫外光线的光谱分布。

技术特征：

1.一种微波屏蔽结构，包括金属屏蔽网，其中，所述金属屏蔽网设置于反应腔室内的光源下方的开口处，其外部覆盖支撑板，其特征在于，所述支撑板具有调光结构，用以调整经过所述微波屏蔽结构的光线的光谱和/或光路。

2.如权利要求1所述的微波屏蔽结构，其特征在于，所述调光结构包括滤光层，所述滤光层覆盖所述支撑板的上表面和/或下表面，用于增强紫外光线的透过率和/或降低非紫外波段的光线的透过率。

3.如权利要求2所述的微波屏蔽结构，其特征在于，所述支撑板由石英材料制成，和/或所述滤光层由氧化铝或氧化铪制成。

4.如权利要求3所述的微波屏蔽结构，其特征在于，所述滤光层由光学镀层工艺覆盖在所述支撑板的上表面和/或下表面。

5.如权利要求3所述的微波屏蔽结构，其特征在于，石英材料制成的所述支撑板经过加氢工艺处理，以增加其透光度。

6.如权利要求1或2所述的微波屏蔽结构，其特征在于，所述调光结构包括弧形透镜结构、凹透镜结构和/或凸透镜结构，其中，

7.如权利要求1或2所述的微波屏蔽结构，其特征在于，所述调光结构还包括位置调节机构，用于调节所述微波屏蔽结构到所述光源的距离，以调节所述光线在所述反应腔室内的光路分布。

8.如权利要求7所述的微波屏蔽结构，其特征在于，所述光源的下方设有多组安装孔，所述位置调节机构包括适配所述安装孔的一组突起部，其中，各组所述安装孔到所述光源的距离不同，所述支撑板经由所述突起部及任意一组所述安装孔被安装到所述光源的下方，并经由所述突起部及另一组所述安装孔来调节所述微波屏蔽结构到所述光源的距离。

9.如权利要求7所述的微波屏蔽结构，其特征在于，所述光源的下方设有滑轨，所述位置调节机构包括驱动电机及适配所述滑轨的滑动部，其中，所述支撑板经由所述滑动部被安装到所述光源的下方，并经由所述驱动电机驱动所述滑动部来调节所述微波屏蔽结构到所述光源的距离。

10.一种半导体器件的加工设备，其特征在于，包括：

技术总结
本技术公开了一种微波屏蔽结构和一种半导体器件的加工设备。该微波屏蔽结构包括金属屏蔽网，其中，所述金属屏蔽网设置于反应腔室内的光源下方的开口处，其外部覆盖支撑板，其特征在于，所述支撑板具有调光结构，用以调整经过所述微波屏蔽结构的光线的光谱和/或光路。通过采用上述微波屏蔽结构，对光路系统进行调整，不仅增强了滤光功能，加大了紫外线的透过率并减少了其他波段的光线的干扰，而且能够获得更均匀的紫外光线的光谱分布。

技术研发人员：李蓬勃,谭华强,谈太德
受保护的技术使用者：拓荆科技股份有限公司
技术研发日：20221213
技术公布日：2024/1/13