背景技术:
技术实现思路
技术特征:pct国内申请,权利要求书已公开。
技术总结一种覆晶薄膜(30)及显示装置,覆晶薄膜(30)包括基底层(31)、导体层(32)、保护层(35)以及多根介电条(33);导体层(32)设于基底层(31)的一侧,导体层(32)包括多根沿第一方向排列的连接导线(321),相邻两根连接导线(321)之间设置有间隙(322);至少部分间隙(322)内设有介电条(33),且介电条(33)的在第二方向长度小于或等于间隙(322)在第二方向的长度,第二方向与第一方向相交;保护层(35)设于导体层(32)和介电条(33)远离基底层(31)的一侧,介电条(33)的介电常数大于保护层(35)的介电常数。该覆晶薄膜(30)可以进行电容补偿。
技术研发人员:冯博,杨炜帆,刘磊,尹晓峰
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:技术公布日:2024/1/5