具有带有多个密度的补偿层的表面声波（SAW）滤波器的制作方法

本公开总体上涉及使用滤波器的无线收发器和其他组件，更具体地涉及一种具有补偿层的表面声波(saw)滤波器，该补偿层具有多个密度。

背景技术：

1、电子设备使用射频(rf)信号来传送信息。这些射频信号使得用户能够与朋友交谈，下载信息，共享图片，远程控制家用设备并且接收全球定位信息。为了在给定频带内发射或接收射频信号，电子设备可以使用滤波器来传递频带内的信号，并且抑制(例如衰减)具有频带外的频率的干扰或噪声。然而，设计一种为高频应用提供滤波的滤波器可能是具有挑战性的，包括利用2千兆赫(ghz)以上频率的那些应用，同时防止或减少跨滤波器的频率响应的杂散模式。

技术实现思路

1、公开了一种实现具有补偿层的表面声波(saw)滤波器的装置，该补偿层具有多个密度。在示例实现方式中，表面声波滤波器包括被定位在压电层和衬底层之间的补偿层。补偿层的不同部分具有不同的密度。接近压电层的部分具有比接近衬底层的另一部分低的密度。这些密度抑制了由于表面边界处的反射而在压电层、补偿层和衬底层之间谐振的杂散模式的激励。通过定制(tailor)补偿层的多个密度，可以抑制至少一种杂散模式，而不会显著增加另一杂散模式的激励。利用直接抑制杂散模式中的一种杂散模式的能力，设计者具有在表面声波滤波器的频率响应上抑制杂散模式的更多灵活性和选项。

2、在示例方面中，公开了一种用于滤波的装置。该装置包括至少一个表面声波(saw)滤波器，该saw滤波器具有压电层、衬底层和被定位在压电层和衬底层之间的补偿层。补偿层包括具有第一密度的第一部分和具有第二密度的第二部分。第二密度比第一密度大。第一部分被定位得与第二部分相比更靠近压电层。第二部分被定位得与第一部分相比更靠近衬底层。

3、在示例方面中，公开了一种用于滤波的装置。该装置包括具有压电层和衬底层的至少一个表面声波(saw)滤波器。表面声波滤波器还包括补偿部件，用于抑制由补偿部件的第一表面处的反射和补偿部件的第二表面处的反射引起的表面声波滤波器的杂散模式。补偿部件在第一表面处具有第一密度，并且在第二表面处具有第二密度。第二密度比第一密度大。补偿部件被定位在压电层与衬底层之间，使得第一表面接近压电层，并且第二表面接近衬底层。

4、在示例方面中，公开了一种制造表面声波滤波器的方法。该方法包括提供衬底层。该方法还包括在衬底层的表面上提供补偿层。补偿层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。补偿层的提供包括形成补偿层，使得补偿层的密度相对于第一表面在第二表面处更高。

5、在示例方面中，公开了一种装置。该装置包括衬底层和被设置在衬底层的一侧的补偿层。补偿层包括在补偿层的相对侧上的两个表面。该两个表面包括第一表面和第二表面。第一表面具有第一密度。第二表面具有比第一密度大的第二密度。与第一表面相比，第二表面更靠近衬底层。

技术特征：

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述补偿层包括被定位在所述第一子层与所述第二子层之间的第三子层，所述第三子层具有比所述第一密度大并且比所述第二密度小的第三密度。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

5.根据权利要求1所述的装置，其中：

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少20％。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少40％。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述补偿层的所述第一部分和所述补偿层的所述第二部分包括相同的材料。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述补偿层的所述第一部分和所述补偿层的所述第二部分包括不同的材料。

10.根据权利要求1所述的装置，其中：

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述补偿层包括氧化硅材料。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述补偿层包括氮氧化硅材料。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述补偿层包括氮化硅材料。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述衬底层包括硅材料。

15.根据权利要求1所述的装置，其中：

16.根据权利要求1所述的装置，还包括：

17.根据权利要求1所述的装置，其中所述表面声波滤波器包括薄膜表面声波滤波器。

18.一种装置，包括：

19.根据权利要求18所述的装置，其中所述补偿部件包括用于使得所述表面声波滤波器能够实现目标频率温度系数的部件。

20.根据权利要求18所述的装置，其中所述第一密度和所述第二密度比所述压电层的密度小。

21.根据权利要求18所述的装置，其中所述第二密度比所述第一密度大至少20％。

22.一种制造表面声波滤波器的方法，所述方法包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述补偿层的所述形成包括形成所述补偿层的多个子层，所述多个子层与不同密度相关联。

24.根据权利要求22所述的方法，其中所述补偿层的所述形成包括使所述补偿层具有梯度密度，所述梯度密度跨所述补偿层的厚度从所述第二表面到所述第一表面减小。

25.根据权利要求22所述的方法，其中所述补偿层的所述形成包括执行以下至少一项：

26.根据权利要求22所述的方法，还包括：

27.一种装置，包括：

28.根据权利要求27所述的装置，其中：

29.根据权利要求28所述的装置，其中：

30.根据权利要求27所述的装置，还包括表面声波滤波器，所述表面声波滤波器包括：

技术总结
公开了一种用于具有补偿层(128)的表面声波滤波器(402)的装置，该补偿层(128)具有多个密度(130‑1至130‑N)。在示例方面中，该装置包括至少一个表面声波滤波器，该至少一个表面声波滤波器具有压电层(304)、衬底层(306)和被定位在该压电层(304)和该衬底层(306)之间的补偿层(128)。该补偿层包括具有第一密度的第一部分和具有第二密度的第二部分。该第二密度比该第一密度大。该第一部分被定位得与该第二部分相比更靠近该压电层。该第二部分被定位得与该第一部分相比更靠近该衬底层。

技术研发人员：M·K·迪特里希,I·布莱尔,M·纳普,G·沙恩巴赫,B·布拉施克
受保护的技术使用者：RF360新加坡私人有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/22