剪切波模式压电谐振器的制作方法

实施例涉及压电谐振器。

背景技术：

1、压电谐振器(也就是说，基于压电材料的电谐振器)已用于各种应用，诸如传感器和射频(rf)滤波器。已见到相当大的商业利益的一种类型的压电谐振器是所谓的薄膜体声谐振器(fbar)，所述fbar包括使用薄膜制造方法在两个导电(金属)电极之间制造的压电材料(通常是aln、zno或scxal1-xn)。

2、在一些应用(诸如，感测和致动)中，经常期望具体地激发薄膜体声谐振器的压电膜的厚度剪切波模式。在剪切波模式下，压电膜的运动垂直于波的传播的方向，没有局部体积变化。众所周知，例如，晶体结构的c轴(晶体z轴)相对于衬底的表面倾斜特定角度(大致39°)的zno的薄膜导致与zno的薄膜中的剪切波模式的最佳耦合，而同时使与纵波模式的耦合最小化。因此，如果形成薄膜的压电材料能够被沉积在衬底上从而压电晶体将会被按照所述预定义规则方式取向，则这将会对于许多应用而言是有益的。例如，通过使将要沉积薄膜的晶片相对于溅射器材中的溅射靶偏斜或者将偏斜盲板或薄板引入到溅射器材以用于引导溅射粒子，可实现这一点。然而，所述解决方案两者都需要对溅射工具进行某种修改。换句话说，利用标准溅射器材制造具有偏斜晶体的压电膜是不可能的。

技术实现思路

1、根据方面，提供独立权利要求的主题。在从属权利要求中定义实施例。

2、以下在附图和描述中更详细地阐述实现的一个或多个示例。通过描述和附图并且通过权利要求，其它特征将会变得清楚。

3、一些实施例提供一种用于薄膜体声谐振器的结构、薄膜体声谐振器和用于制造薄膜体声谐振器的方法。

技术特征：

1.一种用于薄膜体声谐振器的结构，包括：

2.如权利要求1所述的结构，其中所述至少一个歪斜平坦表面的第一表面与所述衬底的平面形成第一角度，所述第一角度具有25°和55°之间的值，优选地32°和50°之间的值。

3.如任一前面权利要求所述的结构，其中所述压电体材料层表现出六方纤锌矿晶体结构，并且具有c轴，所述c轴不垂直于所述至少一个歪斜平坦表面。

4.如权利要求3所述的结构，其中所述压电体材料层的所述c轴基本上垂直于所述衬底的平面。

5.如权利要求3或4所述的结构，其中所述压电体材料层的所述c轴相对于所述衬底的平面倾斜第二角度，所述第二角度具有25°和55°之间的值，优选地32°和50°之间的值。

6.如任一前面权利要求所述的结构，其中所述至少一个腔中的每个腔具有颠倒截头锥体或颠倒棱锥的形状。

7.如任一前面权利要求所述的结构谐振器，其中所述衬底是沿着第一晶面取向的晶片或其一部分，并且所述至少一个歪斜平坦表面基本上对应于不同于所述第一晶面的第二晶面或对应于不同于所述第一晶面的多个第二晶面的组合。

8.如任一前面权利要求所述的结构，其中所述压电体材料层包括zno、aln和scxal1-xn之一，和/或所述衬底包括硅。

9.一种薄膜体声谐振器，包括：

10.一种薄膜体声谐振器，包括：

11.如权利要求9或10所述的薄膜体声谐振器，还包括：

12.如权利要求9至11中任一项所述的薄膜体声谐振器，还包括：

13.如权利要求9至12中任一项所述的薄膜体声谐振器，还包括：

14.一种制造的方法，包括：

15.如权利要求14所述的方法，其中，在所述溅射期间，溅射靶被取向为基本上平行于所述衬底的平面以用于产生基本上与所述衬底的所述平面正交的粒子通量。

16.如权利要求14或15所述的方法，还包括：

技术总结
根据一方面，提供一种用于薄膜体声谐振器的结构。所述结构包括：衬底(101)，包括腔(104)，所述腔(104)具有至少一个歪斜平坦表面(103)，所述至少一个歪斜平坦表面(103)朝向离开该腔的方向；和压电体材料层(102)，被沉积在所述至少一个歪斜平坦表面上。

技术研发人员：J·凯蒂拉
受保护的技术使用者：拜奥曼西欧有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/7/9