声表面波器件的制作方法

本发明涉及基于多层膜基底的声表面波器件。

背景技术：

1、随着薄膜技术的推进，基于多层膜下开发的器件也是日益增多，在现有技术中的声表面波器件使用活塞法进行调节进而改变速率达到改善波纹的产生，但在由压电基板，功能层薄膜，基底等多层膜基底下的产品中，由于压电层变薄，增加功能层，多层薄膜的产品较现有技术可以使q值更高，从而得到更好的机电性能，但同样会导致因为不同区域的声速不一样，产生不同的振幅，致使工作区（包含c1，c2以及m区域）的接收到振幅不一样而导致产生高次谐波的问题更加的严重和复杂。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是：为了解决现有技术中缺乏针对多层膜基底下的声表面波器件波纹产生的改善方案，本发明提供了一种声表面波器件来解决上述问题。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种声表面波器件，包括：

3、基底；

4、功能层薄膜，形成于所述基底上；

5、压电基板，形成于所述功能层薄膜上；

6、一对叉指换能器电极，包括：

7、一对汇流条，形成于所述压电基板上；及

8、多个电极指，从这些汇流条的各者朝向相向的汇流条彼此呈梳齿状伸出，

9、所述电极指包括第一电极指膜和第二电极指膜，所述第一电极指膜的基端部与汇流条连接，所述第二电极指膜的基端部与所述第一电极指模层叠，形成低声速区；

10、所述第二电极指膜的前端部相对的汇流条连接有远离所述二电极指膜的前端部的虚指膜。

11、作为优选，所述虚指膜包括多个间隔排列的虚指膜单元块。

12、作为优选，所述虚指膜的厚度小于第二电极指膜的厚度。

13、作为优选，所述第一电极指膜厚度为2%λ~4%λ，所述第二电极指膜厚度为大于5%λ~12%λ。

14、作为优选，所述压电基板的材料为y-x切的litao3，欧拉角(φ，θ，ψ)表述中的其切角为φ=0°±10°，ψ=0°±10°，θ=30°~60°，所述压电基板的厚度为0.2λ~0.5λ。

15、作为优选，所述功能层薄膜的材料为sio2，厚度为0.2λ~0.6λ。

16、作为优选，所述基底的材料为高阻硅，所述基体的电阻率大于10000 ω·cm，欧拉角(φ，θ，ψ)表述中的其切角为φ=0°±10°，θ=90°-120°，ψ=90°-120°，所述基底的厚度大于100um。

17、作为优选，还包括高阻膜，所述高阻膜层叠在基底与功能层薄膜之间。

18、作为优选，所述高阻膜的材料为多晶硅，所述高阻膜的厚度为100nm~1000nm。

19、本发明的有益效果是，这种声表面波器件通过第一电极指膜与第二电极指膜的层叠形成低声速区，虚指区和gap区形成高速区，通过高低速区的调整，使工作区的速率达到一致，进而不产生不同的振幅，使表面声波的散射的损耗降低，与作为现有结构的saw元件相比获得杂散得到压制的良好的特性。

技术特征：

1.一种声表面波器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于：所述虚指膜包括多个间隔排列的虚指膜单元块。

3.如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于：所述虚指膜的厚度小于第二电极指膜的厚度。

4.如权利要求1~3任一项所述的声表面波器件，其特征在于：所述第一电极指膜厚度为2%λ~4%λ，所述第二电极指膜厚度为大于5%λ~12%λ。

5.如权利要求4所述的声表面波器件，其特征在于：所述压电基板的材料为y-x切的litao3，欧拉角(φ，θ，ψ)表述中的其切角为φ=0°±10°，ψ=0°±10°，θ=30°~60°，所述压电基板的厚度为0.2λ~0.5λ。

6.如权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于：所述功能层薄膜的材料为sio2，厚度为0.2λ~0.6λ。

7.如权利要求6所述的声表面波器件，其特征在于：所述基底的材料为高阻硅，所述基体的电阻率大于10000 ω·cm，欧拉角(φ，θ，ψ)表述中的其切角为φ=0°±10°，θ=90°-120°，ψ=90°-120°，所述基底的厚度大于100um。

8.如权利要求7所述的声表面波器件，其特征在于：还包括高阻膜，所述高阻膜层叠在基底与功能层薄膜之间。

9.如权利要求8所述的声表面波器件，其特征在于：所述高阻膜的材料为多晶硅，所述高阻膜的厚度为100nm~1000nm。

技术总结
本发明提供了一种声表面波器件，包括：一对汇流条，形成于所述压电基板上；及多个电极指，从这些汇流条的各者朝向相向的汇流条彼此呈梳齿状伸出，所述电极指包括第一电极指膜和第二电极指膜，所述第一电极指膜的基端部与汇流条连接，所述第二电极指膜的基端部与所述第一电极指模层叠，形成低声速区；所述第二电极指膜的前端部相对的汇流条连接有远离所述二电极指膜的前端部的虚指膜。这种声表面波器件通过第一电极指膜与第二电极指膜的层叠形成低声速区，使表面声波的散射的损耗降低，与作为现有结构的SAW元件相比获得杂散得到压制的良好的特性。

技术研发人员：智树芳,吴凯,吉元進,张元
受保护的技术使用者：合肥芯投微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13