体声波BAW谐振器的制作方法

本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种体声波baw谐振器。

背景技术：

1、体声波(bulk acoustic wave，baw)谐振器包括由压电材料制成并设置于两个电极之间的薄膜。baw谐振器设备通常使用半导体微加工技术制造而成。

2、baw滤波器可以包括两个或两个以上的baw谐振器，现亟需制造质量和性能优异的baw滤波器和/或baw谐振器。

技术实现思路

1、根据本公开的一个方面，提供了一种体声波baw谐振器，包括：基板；压电层，设置在基板的上方；第一电极，设置在压电层的下方，并且包括彼此间隔的第一部分和第二部分；第二电极，设置在压电层的上方；第一介电层、第二介电层和第三介电层，按照从压电层到基板的顺序依次设置在基板和压电层之间；空腔，设置在第一电极的第一部分的下方；第一接地通孔，设置在第二介电层和第三介电层中，并暴露第一电极的第二部分的第一表面；键合金属层，设置在第三介电层和基板之间，且键合金属层的一部分设置在第一接地通孔中；第二接地通孔，设置在压电层中，并暴露第一电极的第二部分的第二表面；和，地垫金属层，设置在压电层的上方，且地垫金属层的一部分设置在第二接地通孔中；其中，地垫金属层位于第二接地通孔中的部分与键合金属层位于第一接地通孔中的部分通过第一电极的第二部分电连接。

2、根据本公开的另一个方面，提供了一种体声波baw谐振器，包括：基板；压电层，设置在基板的上方；第一电极，设置在压电层的下方；第二电极，设置在压电层的上方；第一介电层、第二介电层和第三介电层，按照从压电层到基板的顺序依次设置在基板和压电层之间；空腔，设置在第一电极的下方；键合金属层，设置在第三介电层和基板之间；接地通孔，设置在压电层、第二介电层和第三介电层中，并暴露键合金属层；和，地垫金属层，设置在压电层的上方且位于接地通孔中，并与键合金属层电连接。

技术特征：

1.一种体声波baw谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的baw谐振器，其特征在于，所述第一接地通孔与所述第二接地通孔错位设置。

3.根据权利要求2所述的baw谐振器，其特征在于，所述键合金属层包括第一粘附层、第一键合层、第二粘附层以及第二键合层；其中，所述第二键合层通过共晶键合或金属扩散键合与所述第一键合层键合。

4.根据权利要求3所述的baw谐振器，其特征在于，所述第一粘附层和所述第二粘附层由铬cr、钛ti、氮化钛tin、钛钨tiw、钽ta和氮化钽tan中的一种或两种以上材料的叠层组合形成。

5.根据权利要求3所述的baw谐振器，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层由金au、铜cu、铝al、铟in、镍ni和锡sn中的一种或两种以上材料的叠层组合形成。

6.根据权利要求3所述的baw谐振器，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的baw谐振器，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的baw谐振器，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的baw谐振器，其特征在于，还包括：

10.一种体声波baw谐振器，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述的baw谐振器，其特征在于，所述键合金属层包括第一粘附层、第一键合层、第二粘附层以及第二键合层；其中，所述第二键合层通过共晶键合或金属扩散键合与所述第一键合层键合。

12.根据权利要求11所述的baw谐振器，其特征在于，所述第一粘附层和所述第二粘附层由铬cr、钛ti、氮化钛tin、钛钨tiw、钽ta和氮化钽tan中的一种或两种以上材料的叠层组合形成。

13.根据权利要求11所述的baw谐振器，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层由金au、铜cu、铝al、铟in、镍ni和锡sn中的一种或两种以上材料的叠层组合形成。

14.根据权利要求11所述的baw谐振器，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的baw谐振器，其特征在于，

16.根据权利要求14所述的baw谐振器，其特征在于，所述第一介电层由氧化硅形成。

17.根据权利要求14所述的baw谐振器，其特征在于，所述第二介电层由多晶硅、非晶硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓和氮化钽中的一种或两种以上材料的叠层组合形成。

18.根据权利要求14所述的baw谐振器，其特征在于，所述第三介电层由氧化硅、氮化硅和氮化铝中的一种或两种以上材料的叠层组合形成。

19.根据权利要求10所述的baw谐振器，其特征在于，还包括：

20.根据权利要求10所述的baw谐振器，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请提供一种体声波BAW谐振器，包括：基板；压电层，设置在基板的上方；第一电极，设置在压电层的下方，包括彼此间隔的第一部分和第二部分；第二电极，设置在压电层的上方；第一介电层、第二介电层和第三介电层，按从压电层到基板的顺序依次设置在基板和压电层之间；空腔，位于第一电极的第一部分的下方；键合金属层，设置在第三介电层和基板之间；以及地垫金属层，设置在压电层的上方，并与键合金属层电连接。

技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11