等离子体发生器以及镀膜设备的制作方法

本发明涉及薄膜沉积，尤其涉及等离子体发生器以及镀膜设备。

背景技术：

1、基于等离子体法的镀膜方法能够在低温下发生化学反应并获得相应的薄膜，因此能够降低对基材沉积温度的要求，可以实现在低温甚至在常温下进行沉积。此外，射频等离子体化学气相沉积法是等离子体增强化学气相沉积法中的一种，其特点在于等离子体是在高真空度下气体在射频交变电场的作用下发生电离而产生的。

2、现有技术当中，为了使等离子体的分布均匀，可能会选择中心射频馈电以使射频信号在上电极板上更加均匀。并且，为了提高气体扩散时的均匀性，会在上电极板的前面设置气体均流装置，以提高从上电极板喷淋出去的气体的均匀性，并由此提高所产生的等离子体的均匀性。

技术实现思路

1、然而，尽管通过提高气体扩散时的均匀性，能够提高等离子体的均匀性，但是在有些情况下，仍然存在由于气体的进气不均匀等原因，而导致产生的等离子体分布不均匀。

2、本发明针对于此，提出了一种等离子体发生器，能够至少一定程度上提高进气的均匀性，并由此提高产生的等离子体的均匀性。此外，本发明还提出了具有该等离子体发生器的镀膜设备。

3、根据本发明第一方面的等离子体发生器，包括：第一电极部，具有至少一个第一电极板，在俯视视角下，所述第一电极板的中部与射频电极连接，所述第一电极板上具有多个出气孔；第二电极板，所述第二电极板被接地，所述第二电极板设置在所述第一电极部的一侧并与所述第一电极板隔开而对置；进气部，设置在所述第一电极部的另一侧并朝向所述第一电极部进气，所述进气部具有多个绝缘板，多个所述绝缘板沿所述第一电极板和所述第二电极板的对置方向层叠，各所述绝缘板上分别具有多个进气孔，在多个所述绝缘板相互层叠的状态下，各所述绝缘板的所述进气孔相互连通，并且，在俯视视角下，相邻的两个所述绝缘板上的所述进气孔相互错位。

4、根据本发明第一方面的等离子体发生器，具有如下有益效果：能够至少一定程度上提高进气的均匀性，并由此提高产生的等离子体的均匀性。

5、在一些实施方式中，在层叠的状态下，相邻的两个所述绝缘板相对的一面之间形成有第一连通间隙，相邻的两个所述绝缘板的所述进气孔之间，通过所述第一连通间隙连通。

6、在一些实施方式中，所述第一连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。

7、在一些实施方式中，各所述绝缘板上的所述进气孔中形成有第一分布区域以及第二分布区域，所述第一分布区域相比所述第二分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第一分布区域当中的所述进气孔的分布比所述第二分布区域中的所述进气孔的分布密集。

8、在一些实施方式中，各所述进气孔的直径为0.25mm以上且10mm以下。

9、在一些实施方式中，所述进气部和所述第一电极部层叠，所述进气部和所述第一电极部相互之间形成有第二连通间隙，所述进气部中的与所述第一电极部相邻的所述绝缘板上的所述进气孔经由所述第二连通间隙，与所述第一电极板上的所述出气孔连通。

10、在一些实施方式中，所述第二连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。

11、在一些实施方式中，所述第一电极部具有多个所述第一电极板，多个所述第一电极板沿所述第一电极板和所述第二电极板的对置方向间隔排列，以形成均流腔。

12、在一些实施方式中，在俯视视角下，相互相邻的所述绝缘板和所述第一电极板之间，所述进气孔和所述出气孔相互错位。

13、在一些实施方式中，在俯视视角下，相邻的所述第一电极板的所述出气孔相互错位。

14、在一些实施方式中，各所述第一电极板当中，一个所述第一电极板的所述出气孔的直径，分别大于相比于该第一电极板位于与所述第二电极板相反的一侧的另一个所述第一电极板的所述出气孔的直径。

15、在一些实施方式中，各所述第一电极板上的所述出气孔中形成有第三分布区域和第四分布区域，所述第三分布区域相比所述第四分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第三分布区域当中的所述出气孔的分布比所述第四分布区域中的所述出气孔的分布密集。

16、在一些实施方式中，多个所述第一电极板之间相互连接，并且，与所述绝缘板相邻的所述第一电极板与所述射频电极连接；与所述射频电极连接的所述第一电极板的所述第三分布区域中的所述出气孔，朝向所述射频电极倾斜。

17、根据本发明第二方面的镀膜设备，包括镀膜室，所述镀膜室内设置有上述任一项的等离子体发生器。

18、根据本发明第二方面的镀膜设备，具有如下有益效果：由于能够提高产生的等离子体的均匀性，因此能够提高膜层的均匀性。

技术特征：

1.等离子体发生器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其特征在于，在层叠的状态下，相邻的两个所述绝缘板相对的一面之间形成有第一连通间隙，相邻的两个所述绝缘板的所述进气孔之间，通过所述第一连通间隙连通。

3.根据权利要求2所述的等离子体发生器，其特征在于，所述第一连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述绝缘板上的所述进气孔中形成有第一分布区域以及第二分布区域，所述第一分布区域相比所述第二分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第一分布区域当中的所述进气孔的分布比所述第二分布区域中的所述进气孔的分布密集。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述进气孔的直径为0.25mm以上且10mm以下。

6.根据权利要求1所述的等离子体发生器，其特征在于，所述进气部和所述第一电极部层叠，所述进气部和所述第一电极部相互之间形成有第二连通间隙，所述进气部中的与所述第一电极部相邻的所述绝缘板上的所述进气孔经由所述第二连通间隙，与所述第一电极板上的所述出气孔连通。

7.根据权利要求6所述的等离子体发生器，其特征在于，所述第二连通间隙的深度为0.25mm以上且10mm以下。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体发生器，其特征在于，所述第一电极部具有多个所述第一电极板，多个所述第一电极板沿所述第一电极板和所述第二电极板的对置方向间隔排列，以形成均流腔。

9.根据权利要求8所述的等离子体发生器，其特征在于，在俯视视角下，相互相邻的所述绝缘板和所述第一电极板之间，所述进气孔和所述出气孔相互错位。

10.根据权利要求9所述的等离子体发生器，其特征在于，在俯视视角下，相邻的所述第一电极板的所述出气孔相互错位。

11.根据权利要求8所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述第一电极板当中，一个所述第一电极板的所述出气孔的直径，分别大于相比于该第一电极板位于与所述第二电极板相反的一侧的另一个所述第一电极板的所述出气孔的直径。

12.根据权利要求10所述的等离子体发生器，其特征在于，各所述第一电极板上的所述出气孔中形成有第三分布区域和第四分布区域，所述第三分布区域相比所述第四分布区域靠近所述射频电极，并且，所述第三分布区域当中的所述出气孔的分布比所述第四分布区域中的所述出气孔的分布密集。

13.根据权利要求12所述的等离子体发生器，其特征在于，多个所述第一电极板之间相互连接，并且，与所述绝缘板相邻的所述第一电极板与所述射频电极连接；

14.镀膜设备，包括镀膜室，其特征在于，所述镀膜室内设置有权利要求1至13中任一项所述的等离子体发生器。

技术总结
本发明提出了一种等离子体发生器以及镀膜设备，其中，该等离子体发生器包括：第一电极部，具有至少一个第一电极板，在俯视视角下，第一电极板的中部与射频电极连接，第一电极板上具有多个出气孔；第二电极板，第二电极板被接地，第二电极板与第一电极板隔开而对置；进气部，朝向第一电极部进气，进气部具有多个绝缘板，多个绝缘板沿第一电极板和第二电极板的对置方向层叠，各绝缘板上分别形成有多个进气孔，在多个绝缘板相互层叠的状态下，各绝缘板的进气孔相互连通，并且，在俯视视角下，相邻的两个绝缘板上的进气孔相互错位。本发明的等离子体发生器能够至少一定程度上提高进气的均匀性，并由此提高产生的等离子体的均匀性。

技术研发人员：请求不公布姓名
受保护的技术使用者：深圳市原速光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13