驱动电路的制作方法

本申请涉及开关电路，尤其涉及一种驱动电路。

背景技术：

1、mos管(金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管)属于电压驱动型开关管，只要在其栅极和源极的两侧施加阈值范围内的驱动电压，就可以控制mos管快速打开，控制过程简单，开通速度快，可以满足高频开关的需求。因此，mos管成为了开关电源中必不可少的元器件。

2、然而，高压型的开关电源的电压输入范围通常为300-800v，而mos管的驱动电压一般为12-15v，如果采用传统的buck(降压)电路，不但成本高，并且因为压差大以及占空比很小导致控制精度不高。而如果选用反激电源电路，则又因为反激电源需要变压器，而变压器的体积往往比较大，则需占用较大的空间。因此，如果通过传统的buck电路或者反激电源电路搭建mos管的驱动电路，则存在成本高、能量利用率或者空间利用率不高的问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种驱动电路，应用于mos管，用于解决现有技术中采用传统的buck电路或者反激电源电路搭建mos管的驱动电路，存在成本高、能量利用率或者空间利用率不高的技术问题。

2、第一方面，本申请提供一种驱动电路，应用于mos管；所述驱动电路，包括：第一稳压电路、第一分压电路、第二分压电路、第三分压电路以及第二稳压电路；

3、所述第一稳压电路的一端与供电电压的输出端连接，所述第一稳压电路的另一端分别与所述第一分压电路的第一端和所述第二分压电路的第一端连接，所述第一稳压电路包括反向串联的一个或多个稳压管；

4、所述第一分压电路的第二端分别与所述第二稳压电路的一端以及所述第二分压电路的第二端连接，所述第一分压电路的第三端与所述第二稳压电路的另一端连接且分别接地以及连接至所述驱动电路的第一输出端，所述第二分压电路的第三端与所述第三分压电路的第一端连接，所述第三分压电路的第二端分别接地以及连接至所述驱动电路的第一输出端，所述第二分压电路的第四端与所述驱动电路的第二输出端连接，所述第二稳压电路包括反向连接的第三稳压管。

5、在一种可能的设计中，所述第一分压电路包括：第一电阻、第一开关管以及第二电阻；

6、所述第一电阻的一端为所述第一分压电路的第一端，所述第一电阻的另一端与所述第一开关管的发射极连接，所述第一开关管的基极与所述第二电阻的一端连接，所述第一开关管的集电极为所述第一分压电路的第二端，所述第二电阻的另一端为所述第一分压电路的第三端。

7、在一种可能的设计中，所述第二分压电路包括：第三电阻、第二开关管、第三开关管以及第四电阻；

8、所述第三电阻的一端为所述第二分压电路的第一端，所述第三电阻的另一端与所述第二开关管的发射极连接，所述第二开关管的集电极与所述第四电阻的一端连接且为所述第二分压电路的第四端，所述第二开关管的基极与所述第三开关管的集电极连接，所述第三开关管的基极为所述第二分压电路的第二端，所述第三开关管的发射极与所述第四电阻的另一端连接且为所述第二分压电路的第三端。

9、在一种可能的设计中，所述第三分压电路，包括：第五电阻；

10、所述第五电阻的两端分别为所述第三分压电路的第一端和第二端。

11、在一种可能的设计中，所述第一分压电路还包括：第四开关管；

12、所述第四开关管的发射极与所述第一分压电路的第一端连接，所述第四开关管的基极与所述第一开关管的发射极连接，所述第四开关管的集电极与所述第一开关管的基极连接。

13、在一种可能的设计中，所述第二分压电路还包括：第五开关管；

14、所述第五开关管的发射极与所述第二分压电路的第一端连接，所述第五开关管的基极与所述第二开关管的发射极连接，所述第五开关管的集电极与所述第二开关管的基极连接。

15、在一种可能的设计中，所述第二分压电路还包括：第六电阻；

16、所述第六电阻的一端与所述第二开关管的基极连接，所述第六电阻的另一端与所述第三开关管的集电极连接。

17、在一种可能的设计中，所述第一开关管和所述第四开关管为p型三极管或者n沟道场效应晶体管。

18、在一种可能的设计中，所述第二开关管和所述第五开关管为p型三极管或者n沟道场效应晶体管，所述第三开关管为n型三极管或者p沟道场效应晶体管。

19、在一种可能的设计中，所述驱动电路，还包括：电容元件；

20、所述电容元件连接于所述驱动电路的第一输出端和第二输出端之间。

21、在一种可能的设计中，所述第三稳压管的稳压值为5.6v。

22、本申请提供一种驱动电路，应用于mos管。该驱动电路，包括：第一稳压电路、第一分压电路、第二分压电路、第三分压电路以及第二稳压电路。其中，第一稳压电路的一端与供电电压的输出端连接，第一稳压电路的另一端分别与第一分压电路的第一端和第二分压电路的第一端连接，第一稳压电路包括反向串联的一个或多个稳压管。第一分压电路的第二端分别与第二稳压电路的一端以及第二分压电路的第二端连接，第一分压电路的第三端与第二稳压电路的另一端连接且分别接地以及连接至驱动电路的第一输出端，第二分压电路的第三端与第三分压电路的第一端连接，第三分压电路的第二端分别接地以及连接至驱动电路的第一输出端，第二分压电路的第四端与驱动电路的第二输出端连接，第二稳压电路包括反向连接的第三稳压管。通过第一稳压电路、第一分压电路、第二分压电路、第三分压电路以及第二稳压电路搭建的mos管驱动电路，具有电路成本低、体积小，以及电压精度高且输出电压调节方便等特点，可以有效克服现有技术中的mos管驱动电路成本高、控制精度不高以及能量和空间利用率都不高的缺陷。

技术特征：

1.一种驱动电路，其特征在于，应用于mos管；所述驱动电路，包括：第一稳压电路、第一分压电路、第二分压电路、第三分压电路以及第二稳压电路；

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一分压电路包括：第一电阻、第一开关管以及第二电阻；

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第二分压电路包括：第三电阻、第二开关管、第三开关管以及第四电阻；

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述第三分压电路，包括：第五电阻；

5.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第一分压电路还包括：第四开关管；

6.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述第二分压电路还包括：第五开关管；

7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述第二分压电路还包括：第六电阻；

8.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述第一开关管和所述第四开关管为p型三极管或者n沟道场效应晶体管。

9.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述第二开关管和所述第五开关管为p型三极管或者n沟道场效应晶体管，所述第三开关管为n型三极管或者p沟道场效应晶体管。

10.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路，还包括：电容元件；

11.根据权利要求1-10任一项所述的驱动电路，其特征在于，所述第三稳压管的稳压值为5.6v。

技术总结
本申请提供一种驱动电路，包括：第一稳压电路、第一分压电路、第二分压电路、第三分压电路及第二稳压电路。第一稳压电路连接于供电电压的输出端和第一分压电路的第一端。第一分压电路的第二端与第二稳压电路的一端及第二分压电路的第二端连接，第一分压电路的第三端与第二稳压电路的另一端以及驱动电路的第一输出端连接。第二分压电路的第三端与第三分压电路的第一端连接，第三分压电路的第二端分别接地以及连接至驱动电路的第一输出端，第二分压电路的第四端与驱动电路的第二输出端连接。本申请搭建的驱动电路具有电路成本低、体积小、电压精度高且输出电压调节方便等特点，可以有效克服现有技术MOS管驱动电路存在的缺陷。

技术研发人员：徐亮,喻晶,缪冬青,李莉华,缪爱林
受保护的技术使用者：中天宽带技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12