磁存储装置的制作方法

本发明的实施方式涉及磁存储装置。

背景技术：

1、已知使用了磁阻效应元件来作为存储元件的磁存储装置(mram：magnetoresistive random access memory，磁阻随机访问存储器)。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题在于，提供一种使外部磁场耐受性提高的磁存储装置。

2、实施方式涉及的磁存储装置包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1铁磁性层、第2铁磁性层、层叠体、第1非磁性层、第2非磁性层以及第3非磁性层。层叠体相对于第2铁磁性层设置在与第1铁磁性层相反一侧。第1非磁性层设置在第1铁磁性层与第2铁磁性层之间。第2非磁性层设置在第2铁磁性层与层叠体之间。第3非磁性层相对于层叠体设置在与第2非磁性层相反一侧，包含金属氧化物。层叠体与第3非磁性层相接，包括包含铂(pt)的第4非磁性层。

技术特征：

1.一种磁存储装置，

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，

4.根据权利要求1所述的磁存储装置，

5.根据权利要求4所述的磁存储装置，

6.根据权利要求1所述的磁存储装置，

7.根据权利要求6所述的磁存储装置，

8.根据权利要求1所述的磁存储装置，

9.根据权利要求1所述的磁存储装置，

10.根据权利要求9所述的磁存储装置，

11.根据权利要求1所述的磁存储装置，

12.根据权利要求1所述的磁存储装置，

13.根据权利要求1所述的磁存储装置，

14.根据权利要求1所述的磁存储装置，

15.根据权利要求14所述的磁存储装置，

技术总结
实施方式提供一种使外部磁场耐受性提高的磁存储装置。实施方式涉及的磁存储装置包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1铁磁性层、第2铁磁性层、层叠体、第1非磁性层、第2非磁性层以及第3非磁性层。层叠体相对于第2铁磁性层设置在与第1铁磁性层相反一侧。第1非磁性层设置在第1铁磁性层与第2铁磁性层之间。第2非磁性层设置在第2铁磁性层与层叠体之间。第3非磁性层相对于层叠体设置在与第2非磁性层相反一侧，包含金属氧化物。层叠体与第3非磁性层相接，包括包含铂即Pt的第4非磁性层。

技术研发人员：北川英二,李永珉
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15