存储器件、存储设备和存储器件制备方法与流程

本公开涉及存储，更具体地，涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。

背景技术：

1、存储器件是一种具有记忆功能的器件，其电学状态可以被控制，从而用于记录相应的数据。随着信息技术的快速发展，存储器件的应用越来越广泛，对其性能的需求也越来越高。因此，存在对现有的存储器件进行改进的需要。

技术实现思路

1、本公开的目的之一在于提供一种存储器件和存储器件制备方法，以通过增大存储器件的有效面积来改善存储器件的性能。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种存储器件，包括：

3、第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；

4、存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及

5、第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；

6、其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。

7、在一些实施例中，至少一个鳍状部的至少一个侧表面与底表面之间的夹角小于或等于90°。

8、在一些实施例中，相邻两个鳍状部之间的最小距离大于所述存储材料部与所述第二电极部的厚度之和的两倍，其中，所述相邻两个鳍状部处于同一个存储器件中或分别处于不同的存储器件中。

9、在一些实施例中，所述第一电极部和所述第二电极部中的至少一者包括钛、氮化钛、氮化钛硅、氮化钛铝、碳氮化钛、氮化钽、氮化钽硅、氮化钽铝、氮化钨、硅化钨、掺杂多晶硅和透明导电氧化物中的至少一者。

10、在一些实施例中，所述存储材料部包括相变存储材料。

11、在一些实施例中，所述存储材料部包括铁电材料。

12、在一些实施例中，所述铁电材料包括氧化锆、氧化铪、氧化钛、氧化铝、氧化镍和氧化铁中的至少一者。

13、在一些实施例中，所述存储器件的所述第一电极部被配置为经由位于电介质部内部的第一导电通孔电连接至第一金属布线层；以及

14、所述存储器件的所述第二电极部被配置为经由位于所述电介质部内部的第二导电通孔电连接至第二金属布线层，其中，所述第一金属布线层和所述第二金属布线层分别位于所述电介质部的相对两侧上。

15、在一些实施例中，多个存储器件的多个第一电极部被配置为经由同一个第一导电通孔电连接至第一金属布线层；和/或

16、多个存储器件的多个第二电极部被配置为经由同一个第二导电通孔电连接至第二金属布线层。

17、根据本公开的第二方面，提供了一种存储设备，所述存储设备包括如上所述的存储器件。

18、根据本公开的第三方面，提供了一种存储器件制备方法，包括：

19、提供基底；

20、在所述基底上形成第一电极部，其中，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；

21、在所述第一电极部上形成存储材料部，其中，所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及

22、在所述存储材料部上形成第二电极部。

23、在一些实施例中，通过原子层沉积形成以下中的至少一者：

24、所述第一电极部的与所述存储材料部直接接触的部分；

25、所述第二电极部；

26、所述第二电极部的与所述存储材料部直接接触的部分；以及

27、所述存储材料部的至少一部分。

28、在一些实施例中，通过物理气相沉积形成以下中的至少一者：

29、所述第一电极部；

30、所述第一电极部的不与所述存储材料部直接接触的部分；

31、所述第二电极部；

32、所述第二电极部的不与所述存储材料部直接接触的部分；以及

33、所述存储材料部的至少一部分。

34、通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其他特征及其优点将会变得更为清楚。

技术特征：

1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，至少一个鳍状部的至少一个侧表面与底表面之间的夹角小于或等于90°。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，相邻两个鳍状部之间的最小距离大于所述存储材料部与所述第二电极部的厚度之和的两倍，其中，所述相邻两个鳍状部处于同一个存储器件中或分别处于不同的存储器件中。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一电极部和所述第二电极部中的至少一者包括钛、氮化钛、氮化钛硅、氮化钛铝、碳氮化钛、氮化钽、氮化钽硅、氮化钽铝、氮化钨、硅化钨、掺杂多晶硅和透明导电氧化物中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储材料部包括相变存储材料。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储材料部包括铁电材料。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其特征在于，所述铁电材料包括氧化锆、氧化铪、氧化钛、氧化铝、氧化镍和氧化铁中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述存储器件的所述第一电极部被配置为经由位于电介质部内部的第一导电通孔电连接至第一金属布线层；以及

9.根据权利要求8所述的存储器件，其特征在于，多个存储器件的多个第一电极部被配置为经由同一个第一导电通孔电连接至第一金属布线层；和/或

10.一种存储设备，其特征在于，所述存储设备包括根据权利要求1至9中任一项所述的存储器件。

11.一种存储器件制备方法，其特征在于，所述存储器件制备方法包括：

12.根据权利要求11所述的存储器件制备方法，其特征在于，通过原子层沉积形成以下中的至少一者：

13.根据权利要求11所述的存储器件制备方法，其特征在于，通过物理气相沉积形成以下中的至少一者：

技术总结
本公开涉及一种存储器件、存储设备和存储器件制备方法。其中，存储器件包括：第一电极部，所述第一电极部包括一个或多个鳍状部；存储材料部，所述存储材料部设于所述第一电极部上，且所述存储材料部的至少一部分覆盖所述一个或多个鳍状部中的每个鳍状部的顶表面和侧表面；以及第二电极部，所述第二电极部设于所述存储材料部上；其中，所述第一电极部、所述存储材料部和所述第二电极部依次堆叠。

技术研发人员：杜雪珂,张继伟,丁甲,郭秋生
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12