三侧模块的制作方法

本公开大体上涉及用于包含具有互连层的衬底的半导体封装的方法、系统及设备。

背景技术：

1、越来越多地，复杂系统在含有一或多个处理器裸片、相应高带宽存储器(hbm)模块且在一些情况下含有驱动共封装光学器件或共封装铜输出的输入/输出(i/o)裸片的系统级封装模块中实施。随着系统规模的不断扩大，额外计算能力、存储器容量、及计算到存储器带宽以及模块外i/o带宽类似地增加，超过常规技术的能力。

2、在常规的双侧模块中，倒装芯片裸片及无源组件在pcb顶侧的放置一直是x及y方向上的整体模块大小减小的瓶颈。模块高度(z方向)进一步受限于顶侧上的组件高度、底侧上的硅裸片的物理限制以及pcb中的最小布线及接地层计数。

3、因此，提供用于三侧模块的方法、系统及设备。

技术实现思路

1、一方面，本公开提供一种设备，其包括：第一衬底，其包括一或多个第一互连层，其中第一裸片耦合到所述第一衬底的第一侧；及第二衬底，其包括一或多个第二互连层，其中第二裸片耦合到所述第二衬底的第一侧，且第三裸片耦合到所述第二衬底的第二侧；其中所述第一衬底与所述第二衬底堆叠在一起。

2、另一方面，本公开提供一种半导体装置，其包括：第一半导体模块，其进一步包含：第一衬底，其包括一或多个第一互连层；第一裸片，其耦合到所述第一衬底的第一侧；及第二半导体模块，其耦合到所述第一半导体模块，所述第二半导体模块包括：第二衬底，其包括一或多个第二互连层；第二裸片，其耦合到所述第二衬底的第一侧；及第三裸片，其耦合到所述第二衬底的第二侧；其中所述第一半导体模块与所述第二半导体模块堆叠在一起。

3、另一方面，本公开提供一种方法，其包括：形成包括一或多个第一互连层的第一衬底；将第一裸片安装到所述第一衬底的第一侧；形成包括一或多个第二互连层的第二衬底；将第二裸片安装到所述第二衬底的第一侧；将第三裸片安装到所述第二衬底的与所述第二衬底的所述第一侧相对的第二侧；连接所述第一衬底与所述第二衬底，其中所述第一与第二衬底堆叠在一起。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一衬底是第一印刷电路板。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二衬底为重布层。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述第二衬底是第二印刷电路板。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一衬底为重布层。

6.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一衬底经定位使得所述第一衬底的所述第一侧面向所述第二衬底，其中第二衬底经定位使得所述第二衬底的所述第一侧面向所述第一衬底，且其中所述第二衬底的所述第二侧与所述第二衬底的所述第一侧相对定位。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括安装到所述第一衬底的一或多个焊接接头，其中所述一或多个焊接接头经配置以将所述第一衬底耦合到所述第二衬底。

9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括安装到所述第一衬底的一或多个导电互连件，其中所述一或多个导电互连件经配置以将所述第一衬底耦合到所述第二衬底。

10.一种半导体装置，其包括：

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一衬底是第一印刷电路板。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二衬底为重布层。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第二衬底是第二印刷电路板。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一衬底为重布层。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其进一步包括：

16.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一衬底经定位使得所述第一衬底的所述第一侧面向所述第二衬底，其中第二衬底经定位使得所述第二衬底的所述第一侧面向所述第一衬底，且其中所述第二衬底的所述第二侧与所述第二衬底的所述第一侧相对定位。

17.根据权利要求10所述的半导体装置，其进一步包括安装到所述第一衬底的一或多个焊接接头或一或多个导电互连件中的至少一者，其中所述一或多个焊接接头及一或多个导电互连件中的所述至少一者经配置以将所述第一衬底耦合到所述第二衬底。

18.一种方法，其包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：

20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：

技术总结
本公开涉及一种三侧模块。一种设备包含：第一衬底，其包括一或多个第一互连层，其中第一裸片耦合到所述第一衬底的第一侧；以及第二衬底，其包括一或多个第二互连层。所述第二裸片可耦合到所述第二衬底的第一侧，且第三裸片耦合到所述第二衬底的第二侧。所述第一衬底与所述第二衬底可堆叠在一起。

技术研发人员：张丁酉,克里斯托弗·保罗·韦德,孙力,郑基雄
受保护的技术使用者：安华高科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15