无STUB残留的电路板背钻孔制作方法与流程

本发明涉及电路板制作领域，特别涉及一种无stub残留的电路板背钻孔制作方法。

背景技术：

1、通信与服务产品，其产品主要特性体现在高速传输、信号稳定、大容量与高速运算等特性，在通信领域，随着5g信号市场普及常态化，ems或odm为了保证信号在高速传输过程中的稳定性，在对pcb制板设计中，多采用背钻设计，而背钻设计因其加工工艺限制会存在stub残留，残留的多少将会直接影响到信号的传输稳定性，所以一般会要求stub残留越小越好。

2、目前，部分ems或odm产品设计中，要求pcb对孔信号传输中的部分孔内层连接位置ring环进行保留，对突出位置孔壁铜进行蚀刻去除，露出内层ring用于焊接，而未蚀掉的需孔金属化，同时插件部分孔径加大，设计成阶梯孔形状，此设计无stub残留，更好的保证了孔信号的完整性，现有做法都是采用背钻方式，以一个多层板为例，现有做法都是采用背钻方式，钻到目标层，此制作方法无法满足ring环的完整性，或存在内层孔stub残留，导致信号的损失，本文主要围绕对应目标内层ring环的完整性做法，更好的改善信号及内层插件做法，有效满足客户需求。

3、现有技术中的流程方法为：内层图形(制作内层线路图形)→压合(压合成多层板)→外层钻孔(钻导通孔)→沉铜板电(板电闪镀6-8μm)→外层图形(制作外层线路图形)→图形电镀(镀到客户所需铜厚)→背钻(通过钻孔方式，钻到目标层)→外层蚀刻(制作线路图形，通过碱性蚀刻可以降低背钻后的stub，降低信号损耗)→外层aoi→后工序。

4、缺点为：此办法无法满足保留内层ring环，且无法做到零stub，无法满足不了客户需求，影响型号及焊接效果。

技术实现思路

1、本发明提供了一种无stub残留的电路板背钻孔制作方法，以解决至少一个上述技术问题。

2、为解决上述问题，作为本发明的一个方面，提供了一种无stub残留的电路板背钻孔制作方法，包括：

3、步骤1，制作l1-l4层电路板，包括步骤11-17：

4、步骤11，开料：根据产品配方将覆铜板开料至所需尺寸；

5、步骤12，l2-l3层内光成像；

6、步骤13，在l2-l3层上压合形成l1-l4层(4层板)；

7、步骤14，钻孔：使用高速钻机钻出l1-l4层导通孔；

8、步骤15，孔金属化(沉铜+电镀)；

9、步骤16，对l4层内光成像；

10、步骤17，丝印离型油膜：对应l4层背钻孔位置，按钻孔径+4mil设计，用丝印机丝印离型油墨盖住，经过烤炉75℃烘烤60min进行固化，然后准备后工序制作；

11、步骤2，制作l5-l8层电路板，包括步骤21-24：

12、步骤21，开料：根据产品配方将覆铜板开料至所需尺寸；

13、步骤22，l6-l7层内光成像；

14、步骤23，在l6-l7层上压合形成l5-l8层(4层板)；

15、步骤24，对l5层内光成像；

16、步骤3，制作l1-l8层，包括步骤31-35：

17、步骤31，将l1-4层与l5-l8层压合形成l1-l8层(8层板)；

18、步骤32，钻孔：使用高速钻机钻出l1-l8层导通孔；

19、步骤33，孔金属化(沉铜+电镀)；

20、步骤34，控深钻孔：使用成型ccd钻机，将对应l5-l8层的阶梯孔加工成型；

21、步骤35，激光开盖：使用uv激光机，将l4层ring环层上离型油膜进行激光去除，保证l1-4层背钻孔及其它位置孔完整，且满足l4层ring环保留，l5-8层无铜，做到零stub。

22、优选地，步骤3还包括：

23、步骤36，除胶：

24、通过水平/垂直除胶线，利用高温高锰酸钾或者高猛酸钠强氧化性清除残胶，避免l4层离型油膜残留；

25、步骤37，外层成像:

26、在一定温度、压力下，在板面贴上干膜，再用底片对位，最后在曝光机上利用紫外光的照射，使底片未遮蔽的干膜发生反应。在板面形成所需线路图形，然后通过显影段在显影液的作用下，将没有被光照射的膜溶解掉，将需要蚀刻的区域露出来；

27、步骤38，外层酸性蚀刻：

28、通过蚀刻段，在酸性蚀刻液的作用下，将露出的铜蚀掉，最后通过退膜段，在退膜液的作用下，将膜去掉，露出外层线路图形。

29、本发明可完全解决背钻stup残留工艺技术问题，同时可保证背钻stup目标内层ring环的完整性，更好的改善信号及内层插件做法，以满足客户需求。

技术特征：

1.一种无stub残留的电路板背钻孔制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的无stub残留的电路板背钻孔制作方法，其特征在于，步骤3还包括：

技术总结
本发明提供了了一种无STUB残留的电路板背钻孔制作方法，包括：步骤1，制作L1‑L4层电路板：对应L4层背钻孔位置，按钻孔径+4mil设计，用丝印机丝印离型油墨盖住，经过烤炉75℃烘烤60min进行固化，然后准备后工序制作；步骤2，制作L5‑L8层电路板；步骤3，制作L1‑L8层：使用高速钻机钻出L1‑L8层导通孔，使用成型CCD钻机，将对应L5‑L8层的阶梯孔加工成型，使用UV激光机，将L4层Ring环层上离型油膜进行激光去除，保证L1‑4层背钻孔及其它位置孔完整，且满足L4层Ring环保留，L5‑8层无铜，做到零Stub。本发明可完全解决背钻stup残留工艺技术问题，同时可保证背钻stup目标内层Ring环的完整性，更好的改善信号及内层插件做法，以满足客户需求。

技术研发人员：赵林飞,张仁德,何发庭
受保护的技术使用者：深圳市迅捷兴科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13