存储器件和包括该存储器件的存储装置的制作方法

本公开涉及存储器件和包括该存储器件的存储装置，更具体地，涉及交叉点存储器件和包括该交叉点存储器件的存储装置。

背景技术：

1、随着电子产品的小型化趋势，对高密度存储器件的需求日益增加。交叉点存储器件具有上电极和下电极彼此竖直地相交布置并且存储单元设置在相交区域中的存储结构。该结构的优点是在平面上具有小存储单元。然而，在寻址存储单元的过程中，可能在相邻的存储单元中生成漏电流。因为可能需要一个开关器件对应于一个存储单元，所以在增加存储器的容量上可能存在限制。

技术实现思路

1、提供了可以用单个组件同时实现存储功能和开关功能的存储器件，以及包括该存储器件的存储装置。

2、提供了具有双向阈值开关特性的存储器件，以及包括该存储器件的存储装置。

3、附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚明白，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。

4、根据示例实施例，一种存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层可以具有双向阈值开关(ots)特性。界面层可以包括阈值电压偏移大于中间层的阈值电压偏移(δvth)的材料。

5、在一些实施例中，中间层的阈值电压变化率(vth_drift)可以小于界面层的阈值电压变化率。

6、在一些实施例中，中间层的阈值电压变化率(vth_drift)可以为60mv/dec或更小。

7、在一些实施例中，中间层和界面层中的每一个可以包括硫族化合物。

8、在一些实施例中，中间层可以包括geassein、geassesin、geastesi和geassetesi中的至少一种。

9、在一些实施例中，界面层可以包括geasse。

10、在一些实施例中，界面层中的锗(ge)的比率可以大于中间层中的ge的比率。

11、在一些实施例中，界面层中的ge的比率可以为20％或更大。

12、在一些实施例中，中间层中的ge的比率可以小于20％。

13、在一些实施例中，中间层可以掺杂有金属。

14、在一些实施例中，金属的掺杂比可以为5％或更小。

15、在一些实施例中，金属可以包括铟(in)、铝(a1)和镓(ga)中的至少一种。

16、在一些实施例中，界面层的金属掺杂比可以小于中间层的金属掺杂比。

17、在一些实施例中，界面层可以不掺杂金属。

18、在一些实施例中，界面层可以在第一电极和中间层之间。

19、在一些实施例中，界面层可以在第二电极和中间层之间。

20、在一些实施例中，界面层可以包括在第一电极和中间层之间的第一界面层、以及在第二电极和中间层之间的第二界面层。

21、根据示例实施例，一种存储装置可以包括：第一电极线，在第一方向上延伸；第二电极线，与第一电极线间隔开，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及在第一电极线和第二电极线的相交处的存储器件。存储器件可以是上述存储器件之一。

22、在一些实施例中，第一电极可以与第一电极线接触，并且第二电极可以与第二电极线接触。

23、在一些实施例中，第一电极可以与第一电极线集成，并且第二电极可以与第二电极线集成。

24、在一些实施例中，存储装置还可以包括被配置为驱动存储器件或执行算术处理的电路部分。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层的阈值电压变化率小于所述界面层的阈值电压变化率。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层的阈值电压变化率为60mv/dec或更小。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层和所述界面层均包括硫族化合物。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层包括geassein、geassesin、geastesi和geassetesi中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层包括geasse。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层中的锗ge的比率大于所述中间层中的ge的比率。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述界面层中的ge的比率为20％或更大。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述中间层中的ge的比率小于20％。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述中间层掺杂有金属。

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述金属的掺杂比为5％或更小。

12.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述金属包括铟(in)、铝(al)和镓(ga)中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层的金属掺杂比小于所述中间层的金属掺杂比。

14.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层不掺杂金属。

15.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层在所述第一电极和所述中间层之间。

16.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述界面层在所述第二电极和所述中间层之间。

17.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，

18.一种存储装置，包括：

19.根据权利要求18所述的存储装置，其中，

20.根据权利要求18所述的存储装置，其中，

技术总结
公开了存储器件和包括该存储器件的存储装置。该存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层和界面层均可以具有双向阈值开关(OTS)特性。界面层的材料的阈值电压偏移可以大于中间层的阈值电压偏移(ΔVth)。

技术研发人员：梁基延,具本原,成河俊,李昌承,崔旻雨
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4