半导体存储器装置的制作方法

本发明构思涉及半导体存储器装置，并且更具体地说，涉及具有电容器结构的半导体存储器装置。

背景技术：

1、电子工业迅速发展，为了满足用户需求，电子装置变得更小更轻。针对用于电子装置中的半导体存储器装置，需要高集成度，从而半导体存储器装置的结构的设计规则已经减少，并且已经实现精细结构。

技术实现思路

1、本发明构思提供了一种半导体存储器装置，其制造工艺简化，同时确保可靠性。

2、本发明构思的实施例提供了如下的一种半导体存储器装置。根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：衬底，其具有多个有源区；多条字线，其形成在衬底中，并且设置在在第一方向上延伸的多个字线沟槽中；多个单元焊盘图案，其位于多个有源区上；多个位线结构，其形成在衬底上，并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及多个隔离绝缘图案，其填充在第二方向上在多个单元焊盘图案之间延伸的多个隔离沟槽的至少一部分，其中，多个隔离绝缘图案中的每一个包括彼此连接并且形成为整体的具有线形的隔离绝缘线部分和具有环形的隔离绝缘间隔件部分，隔离绝缘线部分和隔离绝缘间隔件部分设置在多个隔离沟槽中的交替的隔离沟槽中，并且在第二方向上延伸。

3、根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：衬底，其具有多个有源区；多条字线和多条字线上的多个埋置绝缘层，多条字线形成在衬底中并且设置在在第一方向上延伸的多个字线沟槽中；多个有源区上的多个单元焊盘图案；绝缘层图案，其在多个埋置绝缘层和多个单元焊盘图案上；多个隔离绝缘图案，其填充在垂直于第一方向的第二方向上在多个单元焊盘图案与绝缘层图案之间延伸的多个隔离沟槽的至少一部分；多个位线结构，其形成在衬底上并且在第二方向上延伸；以及多个直接接触导电图案，其在多个位线结构与多个有源区之间，其中，多个直接接触导电图案的下部分别位于多个隔离沟槽中，其中，多个隔离绝缘图案中的每一个包括彼此连接并且形成为整体的具有线形的隔离绝缘线部分和具有环形的隔离绝缘间隔件部分，隔离绝缘线部分和隔离绝缘间隔件部分设置在多个隔离沟槽中的交替的隔离沟槽中并且在第二方向上延伸，并且其中，多个隔离绝缘间隔件部分分别至少部分地围绕多个直接接触导电图案。

4、根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：衬底，其具有多个有源区；多条字线和多条字线上的多个埋置绝缘层，多条字线形成在衬底中并且设置在在第一方向上延伸的多个字线沟槽中；多个有源区上的多个单元焊盘图案；多个埋置绝缘层和多个单元焊盘图案上的绝缘层图案；多个隔离绝缘图案，其填充在垂直于第一方向的第二方向上在多个单元焊盘图案与绝缘层图案之间延伸的多个隔离沟槽的至少一部分；多个位线结构，其形成在衬底上，并且在第二方向上延伸；多个直接接触导电图案，其位于多个位线结构与多个有源区之间，其中，多个直接接触导电图案的下部分别位于多个隔离沟槽中；多个着陆焊盘，其接触多个单元焊盘图案，并且延伸至多个位线结构中的两个相邻的位线结构中的任一个的上部；以及多个电容器结构，其包括与多个着陆焊盘接触的多个下电极、上电极和插入在多个下电极与上电极之间的电容器电介质层，其中，多个隔离绝缘图案中的每一个包括彼此连接并且形成为整体的具有线形的隔离绝缘线部分和具有环形的隔离绝缘间隔件部分，隔离绝缘线部分和隔离绝缘间隔件部分设置在多个隔离沟槽中的交替的隔离沟槽中并且在第二方向上延伸，其中，多个隔离绝缘间隔件部分分别至少部分地围绕多个直接接触导电图案，并且其中，多个单元焊盘图案通过多个埋置绝缘层和多个隔离绝缘图案彼此分离并绝缘。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个隔离沟槽中的每一个包括具有线形的线沟槽部分和具有圆形的孔沟槽部分，所述线沟槽部分和所述孔沟槽部分在所述第二方向上交替地布置。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘线部分填充所述线沟槽部分的至少一部分，并且所述隔离绝缘间隔件部分位于所述孔沟槽部分的侧壁上。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述多个隔离绝缘间隔件部分在所述多个直接接触导电图案与所述多个单元焊盘图案之间。

6.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘间隔件部分在所述孔沟槽部分的侧壁上的厚度的值等于或大于所述线沟槽部分在所述第一方向上的宽度的1/2并且小于所述孔沟槽部分的宽度的1/2。

7.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述孔沟槽部分的宽度大于所述线沟槽部分的宽度，并且所述孔沟槽部分的底表面位于比所述线沟槽部分的底表面更低的水平高度，其中所述衬底提供基准参考水平高度。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个单元焊盘图案具有在所述第一方向和所述第二方向中的每一个上布置成线的矩阵布置。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在平面图中，所述多个单元焊盘图案中的每一个具有其中一个侧边凹进的矩形。

11.一种半导体存储器装置，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，在平面图中，所述多个单元焊盘图案中的每一个具有四个侧边，所述多个单元焊盘图案中的每一个在所述第二方向上的两个侧边具有在所述第一方向上延伸的直线形状，所述多个单元焊盘图案中的每一个在所述第一方向上的两个侧边中的一个侧边具有在所述第二方向上延伸的直线形状，并且所述多个单元焊盘图案中的每一个在所述第一方向上的两个侧边中的另一侧边具有向内凹进的弧形。

13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中，在所述多个单元焊盘图案中的每一个的所述四个侧边中，具有向内凹进的弧形的所述另一侧边与所述隔离绝缘间隔件部分中的对应的隔离绝缘间隔件部分接触。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘图案的上表面位于与所述绝缘层图案的上表面相同的水平高度，以形成共面表面。

15.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述隔离绝缘图案的上表面位于比所述绝缘层图案的上表面低的水平高度，其中所述衬底提供基准参考水平高度。

16.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，利用极紫外光刻工艺来形成所述多个隔离沟槽。

17.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述多个单元焊盘图案通过所述多个埋置绝缘层和所述多个隔离绝缘图案而彼此分离并绝缘，并且具有在所述第一方向和所述第二方向中的每一个上布置成线的矩阵布置。

18.一种半导体存储器装置，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，

20.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，

技术总结
一种半导体存储器包括：衬底，其具有多个有源区；多条字线，其形成在衬底中，并且设置在在第一方向上延伸的多个字线沟槽中；多个单元焊盘图案，其位于多个有源区上；多个位线结构，其形成在衬底上，并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及多个隔离绝缘图案，其填充在第二方向上在多个单元焊盘图案之间延伸的多个隔离沟槽的至少一部分，其中，多个隔离绝缘图案中的每一个包括彼此连接并且形成为整体的隔离绝缘线部分和隔离绝缘间隔件部分。隔离绝缘线部分和隔离绝缘间隔件部分设置在多个隔离沟槽中的交替的隔离沟槽中，并且在第二方向上延伸。

技术研发人员：李蕙兰,李基硕
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15