显示面板和显示面板的制造方法与流程

本申请涉及显示面板和显示面板的制造方法。

背景技术：

1、多个像素以矩阵状配置的有机el(electro luminescence(电致发光))显示面板，是已知的用于显示装置的显示面板。例如，具有顶部发射结构的有机el显示面板具有电路基板和设于电路基板上的el器件层，该电路基板具有薄膜晶体管(tft：thin filmtransistor(薄膜晶体管))等。薄膜晶体管通过在基板上层积多个绝缘膜和多个布线层等而形成。

2、近年来，随着显示装置的大型化，显示面板的带电量亦增加。因此，会导致在显示面板的制造过程中发生的由于绝缘击穿而导致的产量下降之问题。

3、为了抑制这种绝缘击穿，已知有显示面板具有薄膜晶体管式二极管等保护元件，该保护元件用于释放显示面板上的携带的电荷(例如，专利文献1等)。专利文献1中记载的保护元件通过连接薄膜晶体管的漏极和栅极而形成，该薄膜晶体管具有与多个像素包含的薄膜晶体管相同的结构。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：jp2010-186185号公报

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题

2、然而，随着显示装置的大型化，显示面板中包含的布线长度亦变长。据此，在显示面板的保护元件形成之前的制造工序中，各布线和绝缘膜之间积累的电荷量也随之变大。因此，例如，当用金属起重销等推起基板的背面以移动形成薄膜晶体管的基板时，电荷集中在位于起重销上方的基板区域，这可能导致绝缘击穿。

3、本申请是为了解决上述问题，并提供在制造过程中能够抑制绝缘击穿的显示面板等。

4、用于解决技术问题的技术方案

5、本申请为了解决上述问题，提供具有保护元件和有多个像素的显示部的显示面板，所述显示面板具有绝缘性的基板、配置于所述基板上方的下部金属层、配置于所述下部金属层上方的第一层间绝缘膜、配置于所述第一层间绝缘膜上方的半导体层、配置于所述半导体层上方的栅极绝缘膜、配置于所述栅极绝缘膜上方的栅极金属层、配置于所述栅极金属层上方的第二层间绝缘膜、配置于所述第二层间绝缘膜上方的源漏极金属层，各个所述多个像素具有包括所述半导体层、所述栅极金属层和所述源漏极金属层的部分的薄膜晶体管，所述保护元件具有包括所述下部金属层、所述半导体层和所述栅极金属层的各自的另一部分的薄膜晶体管式二极管。

6、本申请为了解决上述问题，提供具有保护元件和有多个像素的显示部的显示面板的制造方法，所述显示面板的制造方法包括准备绝缘性基板的准备工序、在所述基板上方形成下部金属层的工序、在所述下部金属层上方形成第一层间绝缘膜的工序、在所述第一层间绝缘膜上方形成半导体层的工序、在所述半导体层上方形成栅极绝缘膜的工序、在所述栅极绝缘膜上方形成栅极金属层的工序、在所述栅极金属层上方形成第二层间绝缘膜的工序、在所述第二层间绝缘膜上方形成源漏极金属层的工序，各个所述多个像素具有包括所述半导体层、所述栅极金属层和所述源漏极金属层的部分的薄膜晶体管，所述保护元件具有包括所述下部金属层、所述半导体层和所述栅极金属层的另一部分的薄膜晶体管式二极管。

7、通过本申请，可以提供能够抑制制造工序中的绝缘击穿的显示面板。

技术特征：

1.一种显示面板，具有含有多个像素的显示部和保护元件，其特征在于，

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

6.如权利要求1至5中任一项所述的显示面板，其特征在于，

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

8.一种显示面板的制造方法，是具有含有多个像素的显示部和保护元件的显示面板的制造方法，其特征在于，

9.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

10.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

11.如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

12.如权利要求11所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

13.如权利要求8至12中任一项所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

14.如权利要求13所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

15.如权利要求8至12中任一项所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

技术总结
本申请提供能够抑制制造工序中绝缘击穿的显示面板和显示面板的制造方法。显示面板具有保护元件和含有多个像素的显示部，显示面板具有绝缘性的基板、下部金属层、配置于下部金属层上方的第一层间绝缘膜、配置于第一层间绝缘膜上方的半导体层、配置于半导体层上方的栅极绝缘膜、配置于栅极绝缘膜上方的栅极金属层、配置于栅极金属层上方的第二层间绝缘膜、配置于第二层间绝缘膜上方的源漏极金属层，多个像素各自具有包括半导体层、栅极金属层和源漏极金属层的各自的一部分的薄膜晶体管，保护元件具有包括下部金属层、半导体层和栅极金属层的各自的另一部分的薄膜晶体管式二极管。

技术研发人员：村井淳人,林宏
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15