三维非易失性存储器件的制作方法

本发明构思涉及存储器件，更具体地涉及三维非易失性存储器件。

背景技术：

1、存储器件是可以用于存储数据的器件。存储器件可以分类为易失性存储器件或非易失性存储器件。为了满足高容量和小型化的需要，非易失性存储器件可以设计为三维存储器件，在三维存储器件中，存储单元阵列和外围电路沿竖直方向布置。为了实现高容量的非易失性存储器件，随着堆叠在衬底上的字线数量的增加，连接到字线的传输晶体管的数量会增加。因此，用于字线与传输晶体管之间的连接的连接布线的数量、长度和复杂性可能增加，并且由于此，存储器件的可靠性可能由于连接布线之间的耦接缺陷而降低。

技术实现思路

1、一种非易失性存储器件包括第一半导体层，该第一半导体层包括：多个存储单元，电连接到多条位线和多条字线，每一条位线沿第一方向延伸，每一条字线沿第二方向延伸并沿竖直方向堆叠。分别对应于多条字线的多个字线焊盘以阶梯形布置。多个字线接触部分别电连接到多个字线焊盘。包括多个传输晶体管的第二半导体层分别电连接到多个字线接触部，并且在竖直方向上分别与多个字线焊盘重叠。多个字线焊盘中的每一个具有在第一方向上的第一宽度和在第二方向上的第二宽度，并且多个传输晶体管中的每一个具有在第一方向上的第一间距和在第二方向上的第二间距。

2、一种非易失性存储器件包括在第一方向上彼此相邻的上存储块和下存储块。多个上字线焊盘电连接到上存储块并且以阶梯形在第二方向上与上存储块相邻布置。多个下字线焊盘电连接到下存储块并且以阶梯形在第二方向上与下存储块相邻布置。多个上字线接触部分别电连接到多个上字线焊盘。多个下字线接触部分别电连接到多个下字线焊盘。多个上传输晶体管分别电连接到多个上字线接触部，并且在竖直方向上分别与多个上字线焊盘重叠。多个下传输晶体管分别电连接到多个下字线接触部，并且在竖直方向上分别与多个下字线焊盘重叠。多个上字线焊盘和多个下字线焊盘在第二方向上具有相同的宽度，并且多个上传输晶体管和多个下传输晶体管中的每一个在第二方向上具有相同的间距。

3、一种非易失性存储器件包括：多个存储单元，电连接到多条位线和多条字线，每一条位线沿第一方向延伸，每一条字线沿第二方向延伸并沿竖直方向堆叠。分别对应于多条字线的多个字线焊盘以阶梯形布置。多个字线接触部分别电连接到多个字线焊盘。多个传输晶体管分别电连接到多个字线接触部，并且在竖直方向上分别与多个字线焊盘重叠。多个字线焊盘在第二方向上具有相同的宽度，并且多个字线接触部和多个传输晶体管中的每一个在第二方向上具有第一间距。

技术特征：

1.一种非易失性存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个字线接触部中的每一个具有在所述第一方向上的所述第一间距和在所述第二方向上的所述第二间距。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一宽度对应于所述第一间距，并且所述第二宽度对应于所述第二间距。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个字线接触部沿所述竖直方向穿过所述多条字线，所述多个字线接触部中的每一个沿所述竖直方向延伸，并且分别电连接到所述多个传输晶体管。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个字线接触部分别从所述多条字线沿所述竖直方向延伸，并且分别电连接到所述多个传输晶体管，并且

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个字线焊盘包括在所述第一方向上彼此相邻的第一字线焊盘和第二字线焊盘，

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述多个字线焊盘还包括在所述第二方向上与所述第二字线焊盘相邻的第三字线焊盘，所述第二字线焊盘和所述第三字线焊盘在所述竖直方向上的高度彼此不同，并且

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述第一传输晶体管包括第一栅极端子和电连接到所述第一字线接触部的第一源/漏极端子，

9.根据权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，所述第一传输晶体管包括第一栅极端子和电连接到所述第一字线接触部的第一源/漏极端子，

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述第一半导体层还包括分别电连接到所述多个字线接触部的多个顶部接合焊盘，

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述第一半导体层还包括：

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器件，其中，所述多个顶部金属接触部包括多个第一顶部金属接触部，所述多个第一顶部金属接触部设置在所述多个顶部金属图案中的对应的第一顶部金属图案与所述多个顶部接合焊盘中的对应的第一顶部接合焊盘之间，或者

13.根据权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述第一半导体层还包括分别电连接到所述多个字线接触部的多个顶部金属接触部，

14.所述权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述多个字线接触部沿所述竖直方向穿过所述多条字线，

15.一种非易失性存储器件，包括：

16.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述多个上字线接触部和所述多个下字线接触部中的每一个在所述第二方向上具有彼此相同的间距。

17.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述多个上字线焊盘和所述多个下字线焊盘在所述第一方向上具有彼此相同的宽度。

18.根据权利要求15所述的非易失性存储器件，其中，所述多个上字线焊盘包括在所述第一方向上彼此相邻的第一字线焊盘和第二字线焊盘，

19.根据权利要求18所述的非易失性存储器件，其中，所述多个上传输晶体管包括在所述第一方向上彼此相邻的第一传输晶体管和第二传输晶体管，

20.根据权利要求19所述的非易失性存储器件，其中，所述第一传输晶体管包括第四源/漏极端子，所述第四源/漏极端子电连接到所述第一字线焊盘并且与所述第二源/漏极端子相邻设置，并且

技术总结
一种非易失性存储器件包括第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层包括：存储单元，电连接到位线和字线，每一条位线沿第一方向延伸，每一条字线沿第二方向延伸并沿竖直方向堆叠；字线焊盘，分别对应于字线并以阶梯形布置；以及字线接触部，分别电连接到字线焊盘。第二半导体层包括：传输晶体管，分别电连接到字线接触部以在竖直方向上分别与字线焊盘重叠。每一个字线焊盘具有在第一方向上的第一宽度和在第二方向上的第二宽度。每一个传输晶体管具有在第一方向上的第一间距和在第二方向上的第二间距。

技术研发人员：金胜渊,二山拓也,朴珠用,赵栢衡
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8