FINFET隔离装置和方法与流程

本公开涉及一种finfet隔离装置和方法。

背景技术：

1、存储器装置是为主机系统(例如，计算机或其它电子装置)提供数据的电子存储的半导体电路。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器需要电力来维护数据，并且包含例如随机存取存储器(ram)、静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)或同步动态随机存取存储器(sdram)等装置。非易失性存储器可在未供电时保留所存储数据，并且包含例如快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)、电阻可变存储器等装置，所述电阻可变存储器例如为相变随机存取存储器(pcram)、电阻随机存取存储器(rram)或磁阻随机存取存储器(mram)等。

2、主机系统通常包含主机处理器、用以支持主机处理器的第一量的主存储器(例如，通常为易失性存储器，例如dram)，以及作为主存储器的补充或与主存储器分离的提供额外存储装置来保持数据的一或多个存储系统(例如，通常为非易失性存储器，例如快闪存储器)。

3、例如固态硬盘(ssd)的存储系统可包含存储器控制器和一或多个存储器装置，包含数个裸片或逻辑单元(lun)。在某些实例中，每一裸片可包含数个存储器阵列和其上的外围电路系统，例如裸片逻辑或裸片处理器。存储器控制器可包含接口电路系统，其被配置成通过通信接口(例如，双向并行或串行通信接口)与主机装置(例如，主机处理器或接口电路系统)通信。

4、本说明书大体上涉及用于finfet晶体管和鳍片之间的隔离结构的示例结构和方法。

技术实现思路

1、在一个方面中，本公开涉及一种存储器装置，其包括：鳍片沟道，其在半导体衬底上；数个栅极，其在鳍片沟道上方，数个栅极通过一或多个栅极电介质与鳍片分离；以及栅极间电介质结构，其在邻近栅极之间，其中栅极间电介质结构包含邻近鳍片沟道的第一电介质材料和位于第一电介质材料上方的不同于第一电介质材料的第二电介质材料。

2、在另一方面中，本公开涉及一种计算系统，其包括：一或多个处理核心；dram存储器，其耦合到一或多个处理核心，dram存储器包含：存储器单元阵列，其包含：鳍片沟道，其在半导体衬底上；数个栅极，其在鳍片沟道上方，数个栅极通过一或多个栅极电介质与鳍片分离；以及栅极间电介质结构，其在邻近栅极之间，其中栅极间电介质结构包含邻近鳍片沟道的第一电介质材料和位于第一电介质材料上方的不同于第一电介质材料的第二电介质材料。

3、在另一方面中，本公开涉及一种方法，其包括：在半导体衬底上的鳍片沟道上方形成两个或更多个虚拟栅极；将两个或更多个虚拟栅极围封在第一电介质内；将第一电介质平坦化到两个或更多个虚拟栅极的顶部表面；将第一电介质的顶部部分移除到低于两个或更多个虚拟栅极的顶部表面的层级；在第一电介质上方形成第二电介质以填充在两个或更多个虚拟栅极之间直到至少顶部表面；将第二电介质平坦化到两个或更多个虚拟栅极的顶部表面；以及用金属栅极替换两个或更多个虚拟栅极。

技术特征：

1.一种存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电介质材料和所述第二电介质材料包含不同化学物质。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电介质材料和所述第二电介质材料包含不同密度。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电介质材料包含氧化物，并且其中所述第二电介质材料包含氮化物。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述栅极电介质进一步层叠在所述栅极的侧面上。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中氮化硅进一步层叠在所述栅极的侧面上在所述栅极电介质上方。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数个栅极包含金属栅极。

8.一种计算系统，其包括：

9.根据权利要求8所述的计算系统，其中所述第二电介质材料包含氮化硅。

10.根据权利要求8所述的计算系统，其中所述第二电介质材料包含比所述第一电介质材料更高的密度。

11.根据权利要求8所述的计算系统，其中所述第一电介质材料包含氧化硅，并且其中所述第二电介质材料包含氮化硅。

12.根据权利要求8所述的计算系统，其进一步包含耦合到所述一或多个处理核心的网络接口装置。

13.根据权利要求12所述的计算系统，其中所述网络接口装置包含一或多个天线。

14.根据权利要求8所述的计算系统，其中所述数个栅极包含金属栅极。

15.一种方法，其包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成两个或更多个虚拟栅极包含形成两个或更多个多晶硅栅极。

17.根据权利要求15所述的方法，其中将所述两个或更多个虚拟栅极围封在第一电介质内包含使用旋涂玻璃工艺来围封所述两个或更多个虚拟栅极。

18.根据权利要求17所述的方法，其中在所述第一电介质上方形成所述第二电介质包含使用氧化硅的高密度等离子体沉积来形成所述第二电介质。

19.根据权利要求15所述的方法，其中在所述第一电介质上方形成所述第二电介质包含在所述第一电介质上方形成氮化硅。

20.根据权利要求15所述的方法，其中将所述第二电介质平坦化到所述两个或更多个虚拟栅极的所述顶部表面包含具有多晶硅终止设置的化学机械抛光。

技术总结
本公开涉及一种FinFET隔离装置和方法。公开了包含晶体管、存储器装置和系统的设备和方法。示例晶体管、存储器装置、系统和方法包含邻近栅极之间的栅极间电介质结构，其中所述栅极间电介质结构包含邻近鳍片沟道的第一电介质材料和位于所述第一电介质材料上方的不同于所述第一电介质材料的第二电介质材料。

技术研发人员：N·K·陈,J·赵,A·D·卡斯韦尔
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16