半导体结构的制备方法与流程

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的制备方法。

背景技术：

1、在半导体结构的制程中，通常需要利用图案化工艺在基底内形成沟槽，之后，通过氧化工艺形成覆盖沟槽内壁的介质层。例如，利用图案化工艺在基底的有源区内形成栅极沟槽，之后，在栅极沟槽内形成栅介质层。但是，在形成栅介质层的过程会氧化部分厚度的基底，造成基底的损耗，降低了半导体结构的良率。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，用于降低基底的损耗，能够提高半导体结构的良率。

2、本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，其包括如下步骤：

3、提供基底，所述基底内具有沟槽；

4、对暴露在所述沟槽内的基底进行氮化处理；

5、形成覆盖所述沟槽内壁的前驱体层，并通过原位水汽生长工艺氧化所述前驱体层，以形成介质层。

6、在一些实施例中，在预设温度下，向所述沟槽内通入含氮气体，再通过等离子体工艺对暴露在所述沟槽内的基底进行氮化处理。

7、在一些实施例中，所述基底靠近所述前驱体层的表面中氮离子浓度大于基底内部中氮离子浓度。

8、在一些实施例中，对暴露在所述沟槽内的基底进行氮化处理的步骤，还包括：

9、形成阻隔层，所述阻隔层覆盖在所述沟槽的内壁上。

10、在一些实施例中，所述含氮气体包括氨气、氮气和一氧化二氮中至少一种。

11、在一些实施例中，所述含氮气体的流量为0.5l/min-5l/min。

12、在一些实施例中，所述含氮气体的压力为3torr-10torr。

13、在一些实施例中，所述预设温度为700℃-800℃。

14、在一些实施例中，形成覆盖所述沟槽内壁的前驱体层的步骤包括：通过沉积工艺在所述沟槽的内壁上形成前驱体层，所述前驱体层的材质包括非晶硅。

15、在一些实施例中，所述前驱体层的台阶覆盖率小于40％。

16、本公开实施例所提供的半导体结构的制备方法中，通过对暴露在沟槽内的基底进行氮化处理，使得基底中具有氮离子；当后续通过原位水汽生长工艺氧化前驱体层，氮离子具有阻挡功能，能够阻挡氧原子与基底中硅原子结合，避免氧化基底，降低了基底的损耗，进而提高了半导体结构的良率。

17、此外，对暴露在沟槽内的基底内进行氮化处理，还提高沉积的前驱体层的均匀性，降低甚至避免前驱体层中形成针孔(pin-hole)，在后续原位水汽生长工艺氧化前驱体层形成介质层时，能够防止介质层中出现孔洞，降低了漏电的风险，提高了半导体结构的良率。

18、除了上面所描述的本公开实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本公开实施例提供的半导体结构的制备方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

技术特征：

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在预设温度下，向所述沟槽内通入含氮气体，再通过等离子体工艺对暴露在所述沟槽内的基底进行氮化处理。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底靠近所述前驱体层的表面中氮离子浓度大于基底内部中氮离子浓度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对暴露在所述沟槽内的基底进行氮化处理的步骤，还包括：

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述含氮气体包括氨气、氮气和一氧化二氮中至少一种。

6.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述含氮气体的流量为0.5l/min-5l/min。

7.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述含氮气体的压力为3torr-10torr。

8.根据权利要求2-5任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述预设温度为700℃-800℃。

9.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成覆盖所述沟槽内壁的前驱体层的步骤包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述前驱体层的台阶覆盖率小于40％。

技术总结
本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决基底被损耗的技术问题。该半导体结构的制备方法包括提供基底，基底内具有沟槽；对暴露在沟槽内的基底进行氮化处理；形成覆盖沟槽内壁的前驱体层，并通过原位水汽生长工艺氧化前驱体层，以形成介质层。本公开用于阻挡氧原子与基底中硅原子结合，避免氧化基底，降低了基底的损耗，进而提高了半导体结构的良率。

技术研发人员：郭帅,刘忠明
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18