显示设备和制造显示设备的方法与流程

一个或多个实施方式涉及显示设备和制造显示设备的方法。

背景技术：

1、通常，显示设备包括基于电信号发射光以显示图像的多个像素。有机发光显示设备的像素包括作为显示元件的有机发光二极管。有机发光二极管包括像素电极、发射层和相对电极。有机发光二极管的发射层可以通过将包括发光材料的墨水排放到像素电极上来形成。

技术实现思路

1、然而，在相关技术的这样的显示设备和制造显示设备的方法中，存在难以均匀地形成有机发光二极管的发射层的厚度的问题。一个或多个实施方式包括用于通过在发射层的厚度均匀性方面进行改善来显示高质量图像的显示设备和制造显示设备的方法。然而，这些问题仅仅为示例，并且本公开的范围不限于此。

2、然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，以上和其他实施方式对本公开所属的领域的普通技术人员将变得更显而易见。

3、根据一个或多个实施方式，显示设备包括：显示元件，该显示元件包括像素电极、包括发光材料的发射层和相对电极；第一堤层，该第一堤层包括暴露像素电极的中心部分的第一开口；第二堤层，该第二堤层布置在第一堤层上面并且包括与第一开口重叠的第二开口；以及剩余牺牲层，该剩余牺牲层布置在第一堤层和第二堤层之间并且与第二堤层重叠，其中第二堤层的上表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面具有疏液性。

4、在实施方式中，剩余牺牲层的内侧表面可以布置在第一堤层的限定第一开口的内侧表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面之间，并且发射层的边界区域可以布置在剩余牺牲层的内侧表面或者第一堤层的与剩余牺牲层的内侧表面相邻的内侧表面上。在本文中，发射层的边界区域可以是指发射层的布置有边界(例如，下文中的边界221bp和/或边界222bp)的区域。

5、在实施方式中，第一堤层的限定第一开口的内侧表面可以具有亲液性。

6、在实施方式中，像素电极的上表面可以具有亲液性。

7、在实施方式中，第二堤层的接触剩余牺牲层的下表面可以具有亲液性。

8、在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，第一开口可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口，并且第二开口可以具有在第一方向上延伸的线形状，以与多个第一开口重叠。

9、在实施方式中，发射层可以在第一方向上连续地延伸。

10、在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，并且第一开口和第二开口可以各自提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口以及分别与多个像素电极重叠的多个第二开口。

11、在实施方式中，发射层可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个发射层。

12、在实施方式中，第一堤层的厚度可以在大约200nm至大约500nm的范围内。

13、在实施方式中，第二堤层的厚度可以在大约500nm至大约1μm的范围内。

14、在实施方式中，剩余牺牲层可以包括钨氧化物(wox)、钼氧化物(moox)或它们的混合物。

15、根据一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括：在衬底上面形成像素电极，形成包括暴露像素电极的中心部分的第一开口的第一堤层，在第一堤层上形成牺牲层，在牺牲层上形成包括与第一开口重叠的第二开口的第二堤层，对布置有第二堤层的衬底的前表面执行等离子体处理，通过去除通过第二开口暴露的牺牲层来形成剩余牺牲层，以及通过将包括发光材料的墨水排放到像素电极上来形成发射层。

16、在实施方式中，剩余牺牲层的内侧表面可以布置在第一堤层的限定第一开口的内侧表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面之间，并且包括发光材料的墨水的外侧表面可以布置在剩余牺牲层的内侧表面或者第一堤层的与剩余牺牲层的内侧表面相邻的内侧表面上。

17、在实施方式中，在执行等离子体处理中，可以将第二堤层的上表面、第二堤层的内侧表面和牺牲层的通过第二开口暴露的上表面处理为具有疏液性。

18、在实施方式中，牺牲层可以包括钨氧化物(wox)、钼氧化物(moox)或它们的混合物。

19、在实施方式中，牺牲层的厚度可以在大约20nm至大约50nm的范围内。

20、在实施方式中，第一堤层的内侧表面和像素电极的上表面可以具有亲液性。

21、在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，第一开口可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口，并且第二开口可以具有在第一方向上延伸的线形状，以与多个第一开口重叠。

22、在实施方式中，在形成发射层中，可以在第一方向上排放包括发光材料的墨水，并且发射层可以在第一方向上连续地延伸。

23、在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，并且第一开口和第二开口可以各自提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口以及分别与多个像素电极重叠的多个第二开口。

24、在实施方式中，在形成发射层中，发射层可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个发射层。

25、上述方面、特征和优点以外的其他方面、特征和优点将通过本公开的附图、所附权利要求书和详细描述而变得显而易见。

技术特征：

1.一种显示设备，包括：

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一堤层的限定所述第一开口的内侧表面具有亲液性。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素电极的上表面具有亲液性。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二堤层的接触所述剩余牺牲层的下表面具有亲液性。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，

7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述发射层在所述第一方向上连续地延伸。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，

9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述发射层提供为多个，以使得包括分别与所述多个像素电极重叠的多个发射层。

10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一堤层的厚度在200nm至500nm的范围内。

11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二堤层的厚度在500nm至1μm的范围内。

12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述剩余牺牲层包括钨氧化物、钼氧化物或它们的混合物。

13.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

15.根据权利要求13所述的方法，其中，在执行所述等离子体处理中，将所述第二堤层的上表面、所述第二堤层的内侧表面和所述牺牲层的通过所述第二开口暴露的上表面处理为具有疏液性。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述牺牲层包括钨氧化物、钼氧化物或它们的混合物。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述牺牲层的厚度在20nm至50nm的范围内。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一堤层的内侧表面和所述像素电极的上表面具有亲液性。

19.根据权利要求13所述的方法，其中，

20.根据权利要求19所述的方法，其中，在形成所述发射层中，在所述第一方向上排放包括所述发光材料的所述墨水，并且所述发射层在所述第一方向上连续地延伸。

21.根据权利要求13所述的方法，其中，

22.根据权利要求21所述的方法，其中，在形成所述发射层中，所述发射层提供为多个，以使得包括分别与所述多个像素电极重叠的多个发射层。

技术总结
提供了显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括：显示元件，该显示元件包括像素电极、包括发光材料的发射层和相对电极；第一堤层，该第一堤层包括暴露像素电极的中心部分的第一开口；第二堤层，该第二堤层布置在第一堤层上面并且包括与第一开口重叠的第二开口；以及剩余牺牲层，该剩余牺牲层布置在第一堤层和第二堤层之间并且与第二堤层重叠，其中第二堤层的上表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面具有疏液性。

技术研发人员：金志允
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16