包含高纵横比导电触点的存储器装置的制作方法

本文中所描述的实施例涉及包含竖直导电触点的存储器装置。一些实施例涉及存储器装置的阶梯结构处的竖直导电触点。

背景技术：

1、一些常规存储器装置具有竖直导电结构作为在存储器装置的元件之间提供电信号的导电路径的一部分。例如，一些存储器装置具有竖直导电结构以形成与存储器装置的存储器胞元的相应控制栅极(例如，字线结构)的接触。信号可通过竖直导电结构提供到控制栅极。在常规存储器装置中，此类竖直导电结构具有相对高的纵横比。在存储器装置的特定尺寸下，形成此类高纵横比的竖直导电结构可能影响(例如，降级或损坏)存储器装置中的其它竖直导电结构或其它结构。此类冲击会导致装置不可靠或有缺陷。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种设备，其包括：存储器胞元，其位于所述设备的层上；控制栅极，其用于所述存储器胞元，所述控制栅极包含位于所述层的第一层上的第一控制栅极，及位于所述层的第二层上的第二控制栅极；介电结构，其位于所述控制栅极上方；第一导电触点，其形成在所述介电结构中并接触所述第一控制栅极，所述第一导电触点在从所述第一层到所述第二层的方向上具有第一长度；及第二导电触点，其形成在所述介电结构中并接触所述第二控制栅极，所述第二导电触点在从所述第一层到所述第二层的所述方向上具有第二长度，所述第二长度不等于所述第一长度，其中：所述第二导电触点包含第一部分及第二部分，所述第二部分位于所述第一部分与所述第二控制栅极之间，所述第一部分包含具有第一宽度的第一区域，所述第二部分包含具有第二宽度的第二区域，且所述第二宽度大于所述第一宽度。

2、本公开的另一实施例提供一种设备，其包括：存储器胞元，其位于所述设备的层上；控制栅极，其用于所述存储器胞元，所述控制栅极包含形成阶梯结构的相应部分，所述控制栅极包含位于所述层的第一层上的第一控制栅极及位于层的第二层上的第二控制栅极，所述第一控制栅极包含第一部分，所述第二控制栅极包含第二部分，所述第一及第二部分是形成所述阶梯结构的所述部分的一部分；第一介电材料，其位于所述阶梯结构上方；第二介电材料，其位于所述第一介电材料上方；第三介电材料，其位于所述第二介电材料上方；第一导电触点，其穿过所述第一、第二及第三介电材料并接触所述第一控制栅极的所述第一部分，所述第一导电触点在从所述第一层到所述第二层的方向上具有第一长度；及第二导电触点，其穿过所述第一、第二及第三介电材料并接触所述第二控制栅极的所述第二部分，所述第二导电触点在从所述第一层到所述第二层的所述方向上具有第二长度，所述第二长度不等于所述第一长度，其中：所述第二导电触点包含第一导电部分及第二导电部分，所述第二导电部分位于所述第一导电部分与所述第二控制栅极的所述第二部分之间，所述第一导电部分包含具有第一宽度的第一区域，所述第二导电部分包含具有第二宽度的第二区域，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。

3、本公开的又一实施例提供一种方法，其包括：形成用于存储器装置的存储器胞元的控制栅极，所述控制栅极形成在所述存储器装置的层上；在阶梯结构上方形成介电结构；移除所述介电结构的第一部分以在所述介电结构中形成开口，使得所述介电结构的第二部分位于所述开口与所述控制栅极当中的控制栅极之间；在所述开口的至少一部分上形成介电衬里；移除所述介电结构的所述第二部分，使得在所述开口处暴露所述控制栅极当中的控制栅极的部分；移除所述介电衬里；及在所述开口中及在所述控制栅极的所述部分上方形成导电材料。

4、本公开的又一实施例提供一种方法，其包：形成用于存储器装置的存储器胞元的控制栅极，所述控制栅极包含形成阶梯结构的相应部分；在所述阶梯结构上方形成介电结构，所述介电结构包含形成在所述阶梯结构上方的第一介电材料、形成在所述第一介电材料上方的第二介电材料及形成在所述第二介电材料上方的第三介电材料；移除所述介电结构的第一部分以在所述介电结构中形成开口，使得所述介电结构的第二部分位于所述开口与所述控制栅极当中的控制栅极之间；在所述开口的至少一部分上形成介电衬里；移除所述介电结构的所述第二部分，使得在所述开口处暴露所述控制栅极的部分；移除所述介电衬里；及在所述开口中及在所述控制栅极的所述部分上方形成导电材料。

5、本公开的又一实施例提供一种方法，其包括：形成用于存储器装置的存储器胞元的控制栅极，所述控制栅极包含形成阶梯结构的相应部分；在所述阶梯结构上方形成介电结构，所述介电结构包含形成在所述阶梯结构上方的第一介电材料、形成在所述第一介电材料上方的第二介电材料及形成在所述第二介电材料上方的第三介电材料；在所述第一介电材料中及在所述第一及第二介电材料中的一者的至少一部分中形成第一开口；仅在所述第一、第二及第三介电材料当中的所述第三介电材料中形成第二开口；在所述第一开口的至少一部分上形成第一介电衬里；在所述第二开口的至少一部分上形成第二介电衬里；移除在所述第一开口下方的所述介电结构的部分，使得在所述第一开口处暴露所述控制栅极当中的第一控制栅极的部分；移除在所述第二开口下方的所述介电结构的部分，使得在所述第一开口处暴露所述控制栅极当中的第二控制栅极的部分；移除所述第一介电衬里及所述第二介电衬里；在所述开口中及在所述控制栅极的所述部分上方形成导电材料；及在所述第二开口中及在所述第二控制栅极的所述部分上方形成导电材料。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述介电结构包含：

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一介电材料包含二氧化硅。

5.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二介电材料包含氮化硅。

6.根据权利要求3所述的设备，其中所述第三介电材料包含二氧化硅。

7.一种设备，其包括：

8.根据权利要求7所述的设备，其中：

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一及第二导电触点中的每一者包含接触所述第三介电材料的导电材料。

10.根据权利要求7所述的设备，其中所述第二介电材料包含氮化硅。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一介电材料包含二氧化硅。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第三介电材料包含二氧化硅。

13.一种方法，其包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述介电衬里包含氮化硅。

15.根据权利要求13所述的方法，其中在所述开口的至少一部分上形成介电衬里包含仅在所述开口的侧壁上形成所述介电衬里。

16.根据权利要求13所述的方法，其中在所述开口的至少一部分上形成介电衬里包含在所述开口的侧壁上及在所述开口的底部上形成所述介电衬里。

17.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述介电结构包含：

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述开口仅形成在所述第一、第二及第三介电材料当中的所述第三介电材料中。

19.根据权利要求17所述的方法，其中移除所述介电结构的所述第二部分，使得所述控制栅极当中的所述控制栅极的所述部分在所述开口处暴露包含：

20.一种方法，其包：

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述介电衬里包含氮化硅。

22.根据权利要求20所述的方法，其中：

23.根据权利要求20所述的方法，其中在所述开口的至少所述部分上形成所述介电衬里包含仅在所述开口的侧壁上形成所述介电衬里。

24.根据权利要求20所述的方法，其中在所述开口的至少所述部分上形成所述介电衬里包含在所述开口的侧壁上及在所述开口的底部上形成所述介电衬里。

25.一种方法，其包括：

26.根据权利要求25所述的方法，其中所述第一及第二介电衬里中的每一者包含氮化硅。

27.根据权利要求25所述的方法，其中所述第二开口的深度大于所述第一开口。

28.根据权利要求25所述的方法，其中：

29.根据权利要求25所述的方法，其中在所述第二开口的至少一部分上形成介电衬里包含仅在所述第二开口的侧壁上形成所述介电衬里。

30.根据权利要求25所述的方法，其中：

技术总结
本申请案涉及一种包含高纵横比导电触点的存储器装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：存储器胞元，其位于层上；控制栅极，其用于所述存储器胞元并位于相应层上；介电结构，其位于所述控制栅极上方；第一导电触点，其形成在所述介电结构中并接触第一控制栅极，所述第一导电触点具有第一长度；及第二导电触点，其形成在所述介电结构中并接触所述第二控制栅极，所述第二导电触点具有不等于所述第一长度的第二长度，其中所述第二导电触点包含第一部分及第二部分，所述第二部分位于所述第一部分与所述第二控制栅极之间，所述第一部分包含具有第一宽度的第一区域，所述第二部分包含具有第二宽度的第二区域，且所述第二宽度大于所述第一宽度。

技术研发人员：罗双强,I·V·恰雷
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15