基于回旋型镭射轨迹优化X型镭射孔应力均匀性的方法与流程

本发明涉及印刷电路，具体涉及一种基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法。

背景技术：

1、pcb基板芯板具有正反两面，分别对正面和反面进行镭射，形成x型镭射孔，x型镭射孔用于对后续的电镀填铜做准备。例如，中国专利公开号为cn115103512a公开的pcb板的激光导通微孔制作方法及pcb板、以及中国专利公开号为cn113950192a公开的hdi板直接镭射成孔方法，都针对单一x型镭射孔的结构进行多方面的描述，但是没有描述x型镭射孔的镭射轨迹。现行业内对x型镭射孔加工方法：读完标靶后按照“z字”镭射轨迹加工正面镭射孔，翻面读完标靶后按照“z字”镭射轨迹加工反面镭射孔。由于“z字”镭射轨迹，没有将整个pcb基板芯板形成相对闭合的状态，至少一半处于开口状态。由于芯板轨迹部分有应力，而开口部分无应力，导致铜箔与玻璃布后基板在受热后的收缩是不匀均的。因此，镭射烧断铜箔和玻璃布后基板因为应力的释放随着加工轨迹不均匀收缩，将会造成正反两面镭射孔对位错误。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，将x型镭射孔的“z字”镭射轨迹改为回旋型镭射轨迹，在pcb基板芯板的正面和反面均形成相对闭合的状态，从而使铜箔与玻璃布后基板在受热后收缩相对同步，利用优化后的镭射轨迹改善正反两面镭射孔的应力均匀性。

2、本发明的技术方案为：

3、一种基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，利用回旋型镭射轨迹对芯板的正反两面进行镭射，芯板自上而下依次包括铜箔层ⅰ、树脂层和铜箔层ⅱ，包括如下步骤：

4、s1、芯板正面的回旋型镭射：包括如下小步：

5、s11、首次读标靶后按照回旋型镭射轨迹加工一圈；

6、s12、再次读标靶后按照回旋型镭射轨迹加工一圈；

7、s13、依次类推，直至加工完芯板正面的镭射孔ⅰ；

8、s2、芯板反面的回旋型镭射：包括如下小步：

9、s21、翻面读标靶后按照回旋型镭射轨迹加工一圈；

10、s22、再次读标靶后按照回旋型镭射轨迹加工一圈；

11、s23、依次类推，直至加工完芯板反面的镭射孔ⅱ；

12、s3、正反两面应力的改善：镭射烧断铜箔层ⅰ、铜箔层ⅱ和树脂层，轨迹部分ⅰ的应力随着两圈加工过程中释放，且芯板随着回旋型镭射轨迹均匀收缩，正反两面的镭射孔ⅰ与镭射孔ⅱ形成应力均匀性的x型镭射孔。

13、优选地，所述回旋型镭射轨迹是以芯板的端角为起始点，沿芯板的边缘遍历其余端角，并逐层向内收缩直至遍历完所有镭射点，形成拐角为直角的螺旋线。

14、优选地，所述s1和s2中，芯板正面和芯板反面均需加工两圈，第一圈的目的是形成镭射孔；第二圈的目的是对镭射孔进行重叠对位，避免层间偏移而造成崩孔。

15、优选地，所述s1和s2中，读标靶的扫描方式采用回旋型扫描方式。

16、优选地，所述s11和s21中，读标靶用于对正反两面进行定位、确定激光镭射的位置。

17、优选地，所述s11和s21中，再次读标靶用于获取第一圈轨迹偏移量、确定第二圈镭射的位置。

18、本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：

19、在正反面镭射过程中，均需要两次读靶标、两次镭射加工，可以有效避免层间偏移，避免出现崩孔；

20、将传统的“z字”镭射轨迹改为回旋型镭射轨迹，回旋型镭射轨迹将芯板以螺旋线的方式均匀受热，在正反面均形成相对闭合的状态，从而使铜箔与玻璃布后基板在受热后收缩相对同步，利用优化后的镭射轨迹改善正反两面镭射孔的应力均匀性，避免x型镭射孔对位错误报废。

技术特征：

1.一种基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，利用回旋型镭射轨迹对芯板(1)的正反两面进行镭射，芯板(1)自上而下依次包括铜箔层ⅰ(11)、树脂层(12)和铜箔层ⅱ(13)，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，其特征在于，所述回旋型镭射轨迹(2)是以芯板(1)的端角为起始点，沿芯板(1)的边缘遍历其余端角，并逐层向内收缩直至遍历完所有镭射点，形成拐角为直角的螺旋线。

3.如权利要求1或2所述的基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，其特征在于，所述s1和s2中，芯板(1)正面和芯板(1)反面均需加工两圈，第一圈的目的是形成镭射孔；第二圈的目的是对镭射孔进行重叠对位，避免层间偏移而造成崩孔。

4.如权利要求3所述的基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，其特征在于，所述s1和s2中，读标靶的扫描方式采用回旋型扫描方式。

5.如权利要求1所述的基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，其特征在于，所述s11和s21中，读标靶用于对正反两面进行定位、确定激光镭射的位置。

6.如权利要求5所述的基于回旋型镭射轨迹优化x型镭射孔应力均匀性的方法，其特征在于，所述s11和s21中，再次读标靶用于获取第一圈轨迹偏移量、确定第二圈镭射的位置。

技术总结
本发明涉及印刷电路技术领域，具体涉及一种基于回旋型镭射轨迹优化X型镭射孔应力均匀性的方法。本发明利用回旋型镭射轨迹对芯板的正反两面进行镭射，包括如下步骤：S1、芯板正面的回旋型镭射；S2、芯板反面的回旋型镭射；S3、正反两面应力的改善：镭射烧断铜箔层Ⅰ、铜箔层Ⅱ和树脂层，轨迹部分Ⅰ的应力随着两圈加工过程中释放，且芯板随着回旋型镭射轨迹均匀收缩，正反两面的镭射孔Ⅰ与镭射孔Ⅱ形成应力均匀性的X型镭射孔。本发明回旋型镭射轨迹将芯板均匀受热，在正反面均形成相对闭合的状态，从而使铜箔与玻璃布后基板在受热后收缩相对同步，利用优化后的镭射轨迹改善正反两面镭射孔的应力均匀性，避免X型镭射孔对位错误报废。

技术研发人员：陈中义,覃祥丽,杨建利,祝国旗
受保护的技术使用者：淄博芯材集成电路有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13