显示基板、显示装置及其制备方法与流程

本申请涉及显示设备，尤其涉及一种显示基板、显示装置及其制备方法。

背景技术：

1、随着显示器技术不断进步，使用者对于电子产品的要求越来越高，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，因此目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备(lcd)或有机发光二极管装置(oled)。在lcd或oled中，薄膜晶体管(tft)由于其低漏电、适合大世代线生产等优点，已经在越来越多的显示产品中得到应用。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示基板、显示装置及其制备方法。

2、基于上述目的，本申请第一方面提供了一种显示基板，包括：

3、基底；

4、薄膜晶体管单元，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管单元包括：栅极、与所述栅极绝缘的有源层，与所述栅极绝缘并与所述有源层接触的源电极和漏电极，所述有源层包括沟道区；

5、滤波层，设置于基底和所述薄膜晶体管单元之间，用于遮挡预设波长的光进入所述沟道区，所述滤波层包括叠置的多个滤波子层。

6、在一些实施例中，波长小于或等于480nm的光在所述滤波层的透过率小于或等于5％，波长大于480nm的光在所述滤波层的透过率大于或等于90％。

7、在一些实施例中，所述滤波子层包括多个功能层，至少两个所述功能层的折射率不同。

8、在一些实施例中，所述滤波子层包括叠置的第一子层和第二子层，所述第一子层的折射率大于所述第二子层的折射率，所述第一子层靠近所述基底设置。

9、在一些实施例中，所述第一子层与所述第二子层的折射率之差为0.1～2。

10、在一些实施例中，所述第一子层的折射率为2～3，所述第二子层的折射率为1～1.9。

11、在一些实施例中，所述功能层、第一子层和/或第二子层的厚度为20～65nm，所述滤波层的厚度为500nm～1000nm。

12、在一些实施例中，所述滤波层在所述基底上的正投影覆盖所述沟道区在所述基底上的正投影。

13、在一些实施例中，所述滤波层在所述基底上的正投影的边缘与所述沟道区在所述基底上的正投影的边缘之间的距离为0～2cm。

14、在一些实施例中，还包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述基底和所述薄膜晶体管单元之间，所述缓冲层覆盖所述滤波层远离所述基底的一侧。

15、在一些实施例中，还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述缓冲层和所述基底之间，所述平坦化层覆盖所述滤波层远离所述基底的一侧。

16、本申请第二方面提供了一种显示基板的制备方法，包括：

17、在基底上制备滤波层，所述滤波层包括叠置的多个滤波子层，所述滤波层用于遮挡预设波长的光；

18、在所述滤波层远离所述基底的一侧制备薄膜晶体管单元。

19、本申请第三方面提供了一种显示装置，包括上述第一方面任一项所述的显示基板，所述显示装置为有机发光二极管显示装置或液晶显示装置。

20、从上面所述可以看出，本申请提供的显示基板、显示装置及其制备方法，通过在基底和所述薄膜晶体管单元之间设置滤波层，滤波层包括叠置的多个滤波子层，叠置的多个滤波子层使得对薄膜晶体管单元特性影响较大的波长的光在滤波层的反射率高而透射率低，进而阻挡其进入沟道区，以改善光照对薄膜晶体管特性的影响，同时，滤波层允许对薄膜晶体管单元特性影响较小的波长的光进入沟道区，进而使得滤波层的设置不会影响显示产品的像素开口率。

技术特征：

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，波长小于或等于480nm的光在所述滤波层的透过率小于或等于5％，波长大于480nm的光在所述滤波层的透过率大于或等于90％。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述滤波子层包括多个功能层，至少两个所述功能层的折射率不同。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述滤波子层包括叠置的第一子层和第二子层，所述第一子层的折射率大于所述第二子层的折射率，所述第一子层靠近所述基底设置。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层与所述第二子层的折射率之差为0.1～2。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一子层的折射率为2～3，所述第二子层的折射率为1～1.9。

7.根据权利要求3或4所述的显示基板，其特征在于，所述功能层、第一子层和/或第二子层的厚度为20～65nm，所述滤波层的厚度为500nm～1000nm。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述滤波层在所述基底上的正投影覆盖所述沟道区在所述基底上的正投影。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述滤波层在所述基底上的正投影的边缘与所述沟道区在所述基底上的正投影的边缘之间的距离为0～2cm。

10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述基底和所述薄膜晶体管单元之间，所述缓冲层覆盖所述滤波层远离所述基底的一侧。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述缓冲层和所述基底之间，所述平坦化层覆盖所述滤波层远离所述基底的一侧。

12.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

13.一种显示装置，包括权利要求1至11任一项所述的显示基板，所述显示装置为有机发光二极管显示装置或液晶显示装置。

技术总结
本申请提供一种显示基板、显示装置及其制备方法，所述显示基板包括基底；薄膜晶体管单元，设置于所述基底上，所述薄膜晶体管单元包括：栅极、与所述栅极绝缘的有源层，与所述栅极绝缘并与所述有源层接触的源电极和漏电极，所述有源层包括沟道区；滤波层，设置于基底和所述薄膜晶体管单元之间，用于遮挡预设波长的光进入所述沟道区，所述滤波层包括叠置的多个滤波子层。通过在基底和所述薄膜晶体管单元之间设置滤波层，叠置的多个滤波子层使得对薄膜晶体管单元特性影响较大的波长的光在滤波层的反射率高而透射率低，进而阻挡其进入沟道区，以改善光照对TFT特性的影响，同时，不会影响显示产品的像素开口率。

技术研发人员：杨维,周天民,童彬彬,顾鹏飞
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14