玻璃基MiniLED线路板及其制备方法与流程

本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种玻璃基mini led线路板及其制备方法。

背景技术：

1、当前，在制备玻璃基mini led线路板时，通常采用玻璃开料、真空溅射铜膜、涂胶(使用光刻胶)、曝光、显影、蚀刻、阻焊油墨等一系列工艺。其中，涂胶、曝光、显影、蚀刻属于黄光制程。该黄光制程不仅需要在无尘车间中进行，还需要四个工位的设备及人力。

2、在制备玻璃基mini led线路板的过程中，黄光制程所涉及到的工艺路线长且复杂，导致制备效率低；所使用的光刻胶较为昂贵导致加工费用高；以及对设备、环境和人均有一定的要求，导致产品的良品率不稳定。

3、由此可知，现有制备玻璃基mini led线路板的过程中，存在工艺复杂、成本高、效率低和良品率不稳定的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例提供一种玻璃基mini led线路板及其制备方法，以解决现有制备玻璃基mini led线路板工艺复杂、成本高、效率低和良品率不稳定的问题。

2、为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

3、本发明实施例第一方面公开了一种玻璃基mini led线路板的制备方法，所述方法包括：

4、提供一玻璃基板；

5、在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层；

6、使用去离子水清洗形成导电层的玻璃基板；

7、利用激光蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图。

8、可选的，利用激光蚀刻所述导电层之前，还包括：

9、利用ccd相机定位标准线路图在所述导电层上的位置；

10、所述利用激光蚀刻所述导电层，包括：

11、基于所述位置利用激光蚀刻所述导电层。

12、可选的，采集形成于所述导电层上的线路图，将所述线路图与所述标准线路图进行比对；

13、若存在不一致的位置，对所述位置进行标注，并在完成比对之后对标注的位置进行维修。

14、可选的，提供一玻璃基板，包括：

15、提供一白玻璃；

16、利用开料机按照预设尺寸切割所述白玻璃，并对切割后的白玻璃利用去离子水和碱性清洗剂进行清洗，得到玻璃基板。

17、可选的，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：

18、在所述玻璃基板的上表面磁控溅射铜材料，形成铜导电层；

19、或者，在所述玻璃基板的上表面磁控溅射铝材料，形成铝导电层。

20、可选的，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：

21、将所述玻璃基板置于所述真空磁控溅射线腔体内，所述真空磁控溅射线腔体由缓冲室、过渡室、溅射室和出片室构成；

22、控制所述缓冲室、过渡室、溅射室和出片室处于预设温度时，在预设磁控溅射条件下，对所述玻璃基板上表面溅射厚度的铜或铝材料，形成铜导电层或铝导电层；

23、其中，所述缓冲室、过渡室、溅射室和出片室的预设温度分别为250±50℃、150±50℃、100±50℃和50±50℃；

24、所述预设磁控溅射条件包括：所述溅射室腔内使用ar保护气体，所述ar的气体流量取值范围为100±50sccm，所述溅射室腔内气压取值范围为1×10-1至7×10-1pa，溅射电流取值范围为1至13a，溅射电压取值范围为300至700v，溅射功率取值范围为1至7kw，靶材为铜靶或铝靶，靶材的传送速度为0.1至1.0m/min。

25、可选的，利用激光蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图，包括：

26、利用皮秒紫外激光器，在激光波长为355nm ps，激光能量为30w，光学质量为m2<1.3，蚀刻速度为100至3000mm/s，最小聚焦光斑直径为φ10μm，产品精度≤±30μm的蚀刻条件下蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图。

27、本发明实施例第二方面公开了一种玻璃基mini led线路板，所述玻璃基mini led线路板根据本发明实施例第一方面公开的玻璃基mini led线路板的制备方法制备得到；

28、所述玻璃基mini led线路板包括玻璃基板和形成有与标准线路图对应的线路图的导电层。

29、可选的，所述导电层为铜导电层或铝导电层。

30、可选的，若所述导电层为铜导电层，所述铜导电层的厚度为2μm。

31、基于上述本发明实施例提供的玻璃基mini led线路板及其制备方法，所述方法包括提供一玻璃基板；在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层；使用去离子水清洗形成导电层的玻璃基板；利用激光蚀刻导电层，在导电层上形成与标准线路图对应的线路图。在本发明实施例中，在通过磁控溅射的方式构建导电层之后，直接利用激光在导电层上进行蚀刻，不仅极大的降低了设备因素、人为因素和环境因素对产品良品率的影响，提高了产品良品率，还实现了缩短工艺周期、提升生产效率的目的。同时，该制备方法未使用昂贵的光刻胶，还实现了降低了生产成本的目的。

技术特征：

1.一种玻璃基mini led线路板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用激光蚀刻所述导电层之前，还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，提供一玻璃基板，包括：

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层，包括：

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，利用激光蚀刻所述导电层，在所述导电层上形成与标准线路图对应的线路图，包括：

8.一种玻璃基mini led线路板，其特征在于，所述玻璃基mini led线路板根据权利要求1至7中任一项所述的玻璃基mini led线路板的制备方法制备得到；

9.根据权利要求8所述的玻璃基mini led线路板，其特征在于，所述导电层为铜导电层或铝导电层。

10.根据权利要求8所述的玻璃基mini led线路板，其特征在于，若所述导电层为铜导电层，所述铜导电层的厚度为2μm。

技术总结
本发明提供一种玻璃基Mini LED线路板及其制备方法，所述方法包括提供一玻璃基板，在玻璃基板的上表面磁控溅射导电材料，形成导电层；使用去离子水清洗形成导电层的玻璃基板；利用激光蚀刻导电层，在导电层上形成与标准线路图对应的线路图。在本发明实施例中，在通过磁控溅射的方式构建导电层之后，直接利用激光在导电层上进行蚀刻，不仅极大的降低了设备因素、人为因素和环境因素对产品良品率的影响，提高了产品良品率，还实现了缩短工艺周期、提升生产效率的目的。同时，该制备方法未使用昂贵的光刻胶，还实现了降低了生产成本的目的。

技术研发人员：易伟华,张迅,洪华俊,曾庆乐,匡剑胜,陈才
受保护的技术使用者：湖北通格微电路科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14