显示装置的制作方法

本公开涉及一种显示装置，更具体地涉及一种通过屏蔽光将可靠性的减少最小化或者至少减少可靠性的减少的显示装置。

背景技术：

1、随着信息社会的进步，对显示图像的显示装置的需求增长。已利用了诸如液晶显示(lcd)装置和有机发光二极管(oled)显示装置的各种显示装置。

2、用作计算机显示器的显示装置或电视和移动电话的显示面板包括发光型的有机发光二极管(oled)显示装置和非发光型的液晶显示(lcd)装置。

3、由于oled显示装置不使用附加光源并且使用发光型的发光元件，因此oled显示装置由于其薄的外形和优异的显示质量而被广泛使用。具体地，由于发光元件形成在柔性基板上，oled显示装置可以具有诸如弯曲、折叠的各种形状并且可以应用于各种显示应用。

4、各种显示应用当中，针对具有大量静态图像的智能手表和监控器的显示装置要求具有在静态图像中防止或至少减少漏电流的新的驱动元件部的oled显示装置。结果，正在开发氧化物半导体层被用作驱动元件部的薄膜晶体管的有源层的技术。

技术实现思路

1、因此，本公开的实施方式旨在提供一种基本上消除了现有技术的局限性和缺点所致的问题中的一个或更多个的显示装置。

2、本公开的一个目的在于提供一种通过屏蔽从子像素发出并发送的光和/或从外部输入的光来减小对驱动元件部的薄膜晶体管的氧化物半导体层的影响的显示装置。

3、本公开的另一目的在于提供一种其中通过防止或至少减少入射光通过穿透和/或反射到达驱动元件部的半导体层来提高可靠性的显示装置。

4、本公开的附加特征和优点将在以下描述中被阐述，并且部分地将对于本领域普通技术人员来说从描述中显而易见或者可以通过本公开的实践习得。本公开的这些和其它优点可以通过在具体实施方式、本文中的权利要求书和附图中特别指出或者派生出的结构来实现和达到。

5、为了实现这些和其它优点并且根据本公开的目的，如在本文中实施和广义上描述的，显示装置包括：基板，所述基板具有显示区域和非显示区域；发光元件，所述发光元件在所述显示区域中连接至选通线和与所述选通线相交的数据线，所述发光元件包括第一电极、发光层和第二电极；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管根据所述数据线的数据电压向所述发光元件提供驱动电流，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层、第一源电极和第一漏电极；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管根据所述选通线的选通电压控制所述第一薄膜晶体管的操作，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层；第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管通过感测所述第一薄膜晶体管的阈值电压控制所述第一薄膜晶体管的操作，所述第三薄膜晶体管包括第三半导体层；第三电极，所述第三电极电连接所述第一漏电极和所述第一电极；以及第四电极，所述第四电极在与所述第三电极相同的层上。

6、在另一方面，一种显示装置包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述基板上，所述薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括氧化物半导体，以及源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述半导体层上方；发光元件，所述发光元件在所述薄膜晶体管上，其中，所述发光元件包括第一电极、发光层和第二电极；第三电极，所述第三电极在平坦化层上并且在所述薄膜晶体管与所述发光元件之间，所述第三电极将所述第一电极与所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极中的一个电连接；以及第四电极，所述第四电极在所述平坦化层上，所述第四电极在第一方向上与所述半导体层交叠，并且所述第四电极的至少一部分与所述第三电极间隔设置。

7、应当理解，前述的一般性描述和以下的详细描述二者均为解释性的且是以示例的方式，并且旨在提供本公开的进一步的解释，如权利要求书所述而不限制其范围。

技术特征：

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管还包括所述第一半导体层上的第一上栅电极，

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第三半导体层与所述第三上栅电极之间的距离大于所述第一半导体层与所述第一上栅电极之间的距离，并且

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管还包括所述第一半导体层下的第一下栅电极，

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二半导体层和所述第二下栅电极之间的距离大于所述第一半导体层和所述第一下栅电极之间的距离，并且

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层、所述第二半导体层或所述第三半导体层中的至少一个包括氧化物半导体材料。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三半导体层包括氧化物半导体材料。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第四电极与所述第三电极分离，并且

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三电极或所述第四电极包括多个层。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个层的底层包括低反射材料。

11.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二薄膜晶体管还包括第二源电极和第二漏电极，

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个层的顶层包括低反射材料。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述低反射材料包括钼mo、钛ti、锆zr、铪hf、钽ta、铬cr、钨w、钒v、铌nb、锰mn、铁fe、钴co、镍ni、铜cu、锌zn、银ag、铝al和金au及其合金中的至少一者。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一源电极电连接至所述第一下栅电极。

15.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第四半导体层包括多晶半导体材料。

17.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

18.一种显示装置，所述显示装置包括：

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第四电极被配置为阻挡入射到所述第四电极的光的至少一部分到达所述半导体层。

20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第四电极包括多个层，并且所述多个层中的底层是低反射材料层，所述低反射材料层被配置为吸收反射到所述低反射材料层的光的至少一部分。

21.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第三电极包括多个层，并且所述多个层中的底层是低反射材料层，所述低反射材料层被配置为吸收反射到所述低反射材料层的光的至少一部分。

22.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述源电极或所述漏电极包括多个层，所述多个层中的顶层是低反射材料层，所述低反射材料层被配置为吸收从所述第四电极的底表面反射到所述低反射材料层的光的至少一部分。

23.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述低反射材料层包括钼mo、钛ti、锆zr、铪hf、钽ta、铬cr、钨w、钒v、铌nb、锰mn、铁fe、钴co、镍ni、铜cu、锌zn、银ag、铝al和金au及其合金中的至少一者。

24.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述基板包括像素区域，所述像素区域包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括所述薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管中的每一个包括包含氧化物半导体的半导体层，并且所述第四电极跨越所述多个薄膜晶体管的所述半导体层延伸以与所述多个薄膜晶体管的所述半导体层交叠。

技术总结
一种显示装置，该显示装置包括：基板，所述基板具有显示区域和非显示区域；发光元件，所述发光元件连接至选通线和数据线，所述发光元件包括第一电极、发光层和第二电极；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管根据数据电压向发光元件提供驱动电流；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管根据选通线的选通电压控制所述第一薄膜晶体管的操作；第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管通过感测所述第一薄膜晶体管的阈值电压控制所述第一薄膜晶体管的操作；第三电极，所述第三电极连接所述第一漏电极和所述第一电极；以及第四电极，所述第四电极具有与所述第三电极相同的层。

技术研发人员：崔召熙
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5