显示装置的制作方法

本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种通过提高晶体管的性能提高了性能的显示装置。

背景技术：

1、显示装置可以包括液晶显示(lcd)装置、场发射显示(fed)装置和有机发光二极管(oled)显示装置。这些显示装置中的oled显示装置可以是自发光显示装置。自发光显示装置包括多个子像素，并且可以在多个子像素的每一个中设置发光器件来发光而不需要单独光源。由于自发光显示装置与其他显示装置相比具有响应速度快以及发光效率、亮度和视角方面的优点，因此自发光型的显示装置得到了广泛的发展。

2、此外，由于发光器件可以形成在柔性基板上，显示屏可以具有例如弯曲形状或折叠形状的各种形状。oled显示装置由于具有优异的薄的特性而可以应用于例如智能手表的小型电子设备。

3、另外，为了用作显示静止图像的智能手表的显示装置，需要包括防止静止图像中的漏电流的新结构的晶体管的显示装置。因此，提出了氧化物半导体的半导体层被用作具有阻挡漏电流的优点的薄膜晶体管。

技术实现思路

1、由于包括不同半导体层(例如，多晶半导体层和氧化物半导体层)的显示装置是通过形成多晶半导体层的工艺和形成氧化物半导体层的工艺来制造的，所以制造工序复杂。另外，由于多晶半导体层和氧化物半导体层对化学气体具有不同的特性，所以需要更复杂的工艺。

2、与具有多晶半导体层的薄膜晶体管相比，具有氧化物半导体层的薄膜晶体管更灵敏地响应阈值电压的变化。此外，当具有氧化物半导体层的薄膜晶体管由于电流应力(current stress)而发生变化时，显示装置的图像和可靠性受到具有氧化物半导体层的薄膜晶体管的影响。另外，由于具有氧化物半导体层的薄膜晶体管相对于单位电压变化具有较大的电流变化，因此需要精确电流控制的较低的灰度级区域发生劣化。

3、发明人已经认识到上述问题，并且已经进行了大量的减小阈值电压的变化并且改善显示装置的性能的研究和实验。通过大量的研究和实验，减小了由于电流应力引起的电流变化率，并且发明了一种性能得到提高的新的显示装置。

4、本公开的一个或多个方面是提供一种通过提高晶体管的性能提高了性能的显示装置。

5、本公开的另外的特征、优点和方面在本公开内容中阐述并且部分地也将从本公开内容中显而易见或者可以通过本公开的实践获知。本公开的其他特征、优点和方面可以通过本公开内容中具体指出的结构来实现和取得，或者可以从本文的书面描述、权利要求以及附图中导出。

6、为了实现本公开的这些和其他优点和方面，如本文所实施和广泛描述的，一种显示装置可以包括：基板，具有显示区域和非显示区域；第一晶体管，包括基板上的第一半导体层、第一半导体层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第一栅极和第一栅极上的第二绝缘层；第二晶体管，包括基板上的第二半导体层和第一绝缘层上的第二栅极；以及第三晶体管，包括基板上的第三半导体层和第二绝缘层上的第三栅极。

7、在本公开的另一方面中，一种显示装置可以包括：基板，具有显示区域和非显示区域；第一晶体管，包括基板上的第一半导体层、第一半导体层上的第一绝缘层和第一绝缘层上的第一栅极；第二晶体管，包括基板上的第二半导体层、第二半导体层上的第一绝缘层和第一绝缘层上的第二栅极；以及第三晶体管，包括基板上的第三半导体层、第三半导体层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层和第二绝缘层上的第三栅极。

8、在另一个实施例中，显示装置可以包括基板和第一晶体管，基板具有显示区域和非显示区域，第一晶体管包括：基板上的第一半导体层，第一半导体层包含氧化物半导体；第一半导体层上的第一绝缘层的至少一部分；以及第一绝缘层的该一部分上的第一栅极。显示装置还可以包括第二晶体管，第二晶体管包括：基板上的第二半导体层；第二半层体层上的第一绝缘层；以及第一绝缘层上的第二栅极。显示装置还可以包括：第三晶体管，第三晶体管包括基板上的第三半导体层，第三半导体层包含氧化物半导体。第三半导体层可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域。第一绝缘层的至少另一部分可以设置在第三半导体层上，第二绝缘层的至少一部分可以设置在第一绝缘层上，并且第三栅极可以设置在第二绝缘层上。源极区域和漏极区域的至少一部分可以通过第一绝缘层的设置为与第三半导体层相邻的一部分的一个端部与第一绝缘层的另一部分之间的区域暴露。暴露的部分可以被掺杂有掺杂剂。在查阅下述附图和详细说明后，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是或将变为显而易见的。意在所有这种另外的系统、方法、特征和优点被包括在本说明书之内，在本公开的范围之内，并且由所附权利要求保护。本节中的任何内容都不应被视为对权利要求的限制。下面结合本公开的方面讨论进一步的方面和优点。

9、应当理解，本公开的前述描述和以下描述均是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层设置在所述第二半导体层上，并且所述第二绝缘层设置在所述第二栅极上。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层设置在所述第三半导体层上，并且所述第三晶体管的所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层和所述第一栅极之间的距离与所述第二半导体层和所述第二栅极之间的距离相同。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层和所述第一栅极之间的距离与所述第三半导体层和所述第三栅极之间的距离不同。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体层和所述第一栅极之间的距离小于所述第三半导体层和所述第三栅极之间的距离。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体层和所述第二栅极之间的距离与所述第三半导体层和所述第三栅极之间的距离不同。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二半导体层和所述第二栅极之间的距离小于所述第三半导体层和所述第三栅极之间的距离。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三半导体层和所述第三栅极之间的电容小于所述第一半导体层和所述第一栅极之间的电容。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第三半导体层和所述第三栅极之间的电容小于所述第二半导体层和所述第二栅极之间的电容。

技术总结
一种显示装置，包括：基板，具有显示区域和非显示区域；第一晶体管，包括基板上的第一半导体层、第一半导体层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第一栅极和第一栅极上的第二绝缘层；第二晶体管，包括基板上的第二半导体层和第一绝缘层上的第二栅极；以及第三晶体管，包括基板上的第三半导体层和第二绝缘层上的第三栅极。

技术研发人员：崔召熙,李俊昊,柳成彬,李成秦,李帝贤
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5