存储装置及存储装置的制造方法与流程

本公开总体涉及存储装置及该存储装置的制造方法，并且尤其涉及三维存储装置及该三维存储装置的制造方法。

背景技术：

1、存储装置可以分类为当电源中断时存储的数据消失的易失性存储装置或即使当电源中断时存储的数据仍保留的非易失性存储装置。

2、非易失性存储装置可以包括nand闪存、nor闪存、电阻随机存取存储器(reram)、相变随机存取存储器(pram)、磁阻随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移矩随机存取存储器(stt-ram)等。

3、nand闪存系统可以包括被配置为存储数据的存储装置和被配置为控制存储装置的控制器。存储装置可以包括其中存储数据的存储单元阵列和被配置为响应于从控制器传送的命令而执行编程、读取或擦除操作的外围电路。

4、存储单元阵列可以包括多个存储块，并且多个存储块中的每一个可以包括多个存储单元。

技术实现思路

1、根据本公开的一个方面，提供一种存储装置，其包括：层叠结构，所述层叠结构包括在第一方向上交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；多个第一插塞，所述多个第一插塞设置于所述层叠结构中，所述多个第一插塞在所述第一方向上延伸；以及第一支撑结构，所述第一支撑结构设置于所述层叠结构中，所述第一支撑结构与所述多个第一插塞中的至少一个第一插塞相邻，其中，所述第一支撑结构包括在所述第一方向层叠的绝缘结构和第二插塞，并且其中，所述多个第一插塞和所述第二插塞中的每一者包括沟道层。

2、根据本公开的另一方面，提供一种存储装置，其包括：第一层叠结构，所述第一层叠结构包括在第一方向上交替地层叠的多个第一绝缘层与多个第一导电图案；第二层叠结构，所述第二层叠结构包括在所述第一方向上交替地层叠的多个第二绝缘层和多个第二导电图案，其中，所述第二层叠结构形成于所述第一层叠结构上；第一插塞，所述第一插塞延伸穿过所述第一层叠结构和所述第二层叠结构；绝缘结构，所述绝缘结构设置于所述第一层叠结构中；以及第二插塞，所述第二插塞设置于所述第二层叠结构中，所述第二插塞在所述第一方向上连接到所述绝缘结构，其中，所述第一插塞和所述第二插塞中的每一者包括沟道层。

3、根据本公开的又一方面，提供一种制造存储装置的方法，该方法包括：形成包括在第一方向上交替地设置的多个第一材料层和多个第二材料层的第一层叠结构；在所述第一层叠结构中形成第一间隙填充层和绝缘结构；在所述第一层叠结构上形成第二层叠结构，所述第二层叠结构包括在所述第一方向上交替地设置的第三材料层和第四材料层；在所述第二层叠结构中形成暴露出所述第一间隙填充层的第一上孔和暴露出所述绝缘结构的第二上孔；通过去除所述第一间隙填充层，在所述第一层叠结构中形成第一下孔；在所述第一下孔和所述第一上孔中形成第一插塞，所述第一插塞延伸穿过所述第一层叠结构和所述第二层叠结构；以及在所述第二上孔中形成第二插塞，所述第二插塞延伸穿过所述第二层叠结构并连接至所述绝缘结构。

技术特征：

1.一种存储装置，所述存储装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，所述存储装置还包括多个接触插塞，所述多个接触插塞连接到所述多个导电层，

3.根据权利要求1所述的存储装置，所述存储装置还包括狭缝，所述狭缝将所述层叠结构隔离成第一存储单元阵列和第二存储单元阵列，

4.根据权利要求1所述的存储装置，所述存储装置包括隔着所述多个第一插塞在所述层叠结构的两端处设置在所述层叠结构中的多个第二支撑结构，

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述多个第二支撑结构包括在所述第一方向上比所述第一支撑结构的所述绝缘结构延伸得更长的绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在所述第一方向上，所述第二插塞的长度比所述多个第一插塞的长度短。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在所述第一方向上，所述绝缘结构的长度比所述多个第一插塞的长度短。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述绝缘结构的底部与所述多个第一插塞的底部位于同一平面上。

9.根据权利要求1所述的存储装置，所述存储装置还包括源极层，所述源极层设置在所述层叠结构的底部，

10.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述绝缘结构连接到所述源极层。

11.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个第一插塞和所述第二插塞中的每一者还包括围绕所述沟道层的隧道绝缘层、数据储存层和阻挡层。

12.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个第一插塞中的每一者在其侧壁上具有阶梯式角部分。

13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，所述多个第一插塞中的每一者的角部分和所述绝缘结构的上表面在同一平面上。

14.一种存储装置，所述存储装置包括：

15.一种制造存储装置的方法，所述方法包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成绝缘结构和第一间隙填充层的步骤包括以下步骤：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一层叠结构形成在源极层上，

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一间隙填充层和所述第二间隙填充层包括钨w、碳c和钼中的至少一种。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，用所述绝缘结构替换所述第二间隙填充层的步骤包括以下步骤：

20.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述第一插塞和所述第二插塞的步骤包括以下步骤：

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一层叠结构形成于源极层上，

技术总结
本发明提供一种存储装置及存储装置的制造方法。所述存储装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括在第一方向上交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；多个第一插塞，所述多个第一插塞设置于所述层叠结构中，所述多个第一插塞在所述第一方向上延伸；以及第一支撑结构，所述第一支撑结构设置于所述层叠结构中，所述第一支撑结构与所述多个第一插塞中的至少一个第一插塞相邻。所述第一支撑结构包括在所述第一方向层叠的绝缘结构和第二插塞。所述多个第一插塞和所述第二插塞中的每一者包括沟道层。

技术研发人员：金宰浩
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/19