显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本公开实施例涉及但不限于显示，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)为主动发光显示器件，具有发光、超薄、广视角、高亮度、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。依据驱动方式的不同，oled可分为无源矩阵驱动(passive matrix，简称pm)型和有源矩阵驱动(active matrix，简称am)型两种，其中amoled是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。

技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的至少一个绝缘膜层以及设置在所述绝缘膜层远离所述基底一侧的第一电极；其中：至少一个所述绝缘膜层远离所述基底的一侧设置有凹凸结构，所述凹凸结构在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影包含重叠区域，其中，所述凹凸结构包括锯齿状凸起。

3、在示例性实施例中，所述显示基板包括：依次形成在所述基底上的平坦层、发光结构层和封装层，所述发光结构层包括像素定义层、阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述像素开口暴露出至少部分所述阳极；所述阴极覆盖所述像素定义层；

4、所述显示基板还包括彩膜层，所述彩膜层相比于所述发光结构层而言，位于所述发光结构层的出光侧。

5、在示例性实施例中，至少一个所述绝缘膜层包括：所述像素定义层，所述第一电极包括：所述阴极。

6、在示例性实施例中，所述像素定义层包括多个第一凸起部，相邻的所述第一凸起部之间形成有第一凹陷部。

7、在示例性实施例中，所述彩膜层包括间隔设置的黑矩阵和彩色滤光片，所述黑矩阵具有呈矩阵排列的多个开口区域，所述彩色滤光片至少部分填充于所述开口区域内，所述彩色滤光片与所述黑矩阵至少包括部分交叠区域，在所述交叠区域，所述彩色滤光片覆盖所述黑矩阵。

8、在示例性实施例中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的凹槽，相邻所述凹槽之间的距离为所述黑矩阵的开口区域的边缘与所述像素定义层形成的像素开口的边缘之间的距离的1/8到7/8之间。

9、在示例性实施例中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的开孔，所述开孔的宽度在0.5微米至1.8微米之间。

10、在示例性实施例中，多个所述开孔组成多个环形结构单元，至少一个环形结构单元包括n个围绕所述像素开口设置且相互平行的环形结构，最内层环形结构包括多个第一开孔，所述第一开孔与所述像素开口邻接，n为大于1的自然数。

11、在示例性实施例中，多个所述第一开孔之间形成所述锯齿状凸起，相邻所述锯齿状凸起之间的距离为所述黑矩阵的开口区域的边缘与所述像素定义层形成的像素开口的边缘之间的距离的1/8到7/8之间。

12、在示例性实施例中，至少一个所述绝缘膜层包括：所述平坦层，所述第一电极包括：所述阳极。

13、在示例性实施例中，所述平坦层包括多个第二凸起部，相邻的所述第二凸起部之间形成有第二凹陷部。

14、在示例性实施例中，所述第二凸起部为锯齿形。

15、在示例性实施例中，所述像素定义层在所述基底上的正投影与所述凹凸结构在所述基底上的正投影存在交叠区域。

16、在示例性实施例中，相邻所述第二凸起部之间的距离大于或等于所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差。

17、在示例性实施例中，在垂直于所述基底的方向上，所述第二凹陷部对应的有机发光层的厚度大于或等于所述第二凸起部对应的有机发光层的厚度。

18、在示例性实施例中，相邻所述第二凸起部之间的距离大于所述第二凹陷部下对应的所述平坦层的厚度。

19、在示例性实施例中，所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差为所述平坦层的厚度的1/8到7/8之间。

20、在示例性实施例中，所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差在0.2微米至0.8微米之间。

21、在示例性实施例中，所述彩膜层位于所述平坦层和发光结构层之间，或位于所述发光结构层和所述封装层之间。

22、在示例性实施例中，当所述彩膜层位于所述发光结构层和所述封装层之间时，所述显示基板还包括设置在所述封装层和所述彩膜层之间的触控结构层，所述触控结构层包括多个触控电极，所述彩膜层包括间隔设置的黑矩阵和彩色滤光片，所述黑矩阵在所述基底上的正投影包含所述触控电极在所述基底上的正投影。

23、在示例性实施例中，至少一个所述绝缘膜层包括所述像素定义层和所述平坦层，所述第一电极包括所述阴极和所述阳极；所述像素定义层远离所述基底的一侧设置有第一凹凸结构，所述第一凹凸结构在所述基底上的正投影与所述阴极在所述基底上的正投影包含重叠区域；所述平坦层远离所述基底的一侧设置有第二凹凸结构，所述第二凹凸结构在所述基底上的正投影与所述阳极在所述基底上的正投影包含重叠区域。

24、本公开实施例还提供了一种显示装置，包括如前任一所述的显示基板。

25、本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：在基底上形成至少一个绝缘膜层，至少一个所述绝缘膜层远离所述基底的一侧设置有凹凸结构；在所述绝缘膜层远离所述基底的一侧形成第一电极，所述凹凸结构在所述基底上的正投影与所述第一电极在所述基底上的正投影包含重叠区域，其中，所述凹凸结构包括锯齿状凸起。

26、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

技术特征：

1.一种显示基板，包括：基底、设置在所述基底上的至少一个绝缘膜层以及设置在所述绝缘膜层远离所述基底一侧的第一电极；其中：

2.根据权利要求1所述的显示基板，包括：依次形成在所述基底上的平坦层、发光结构层和封装层，所述发光结构层包括像素定义层、阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述像素开口暴露出至少部分所述阳极；所述阴极覆盖所述像素定义层；所述显示基板还包括彩膜层，所述彩膜层相比于所述发光结构层而言，位于所述发光结构层的出光侧。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，至少一个所述绝缘膜层包括所述像素定义层，所述像素定义层包括多个第一凸起部，相邻的所述第一凸起部之间形成有第一凹陷部。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述彩膜层包括间隔设置的黑矩阵和彩色滤光片，所述黑矩阵具有呈矩阵排列的多个开口区域，所述彩色滤光片至少部分填充于所述开口区域内，所述彩色滤光片与所述黑矩阵至少包括部分交叠区域，在所述交叠区域，所述彩色滤光片覆盖所述黑矩阵。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的凹槽，相邻所述凹槽之间的距离为所述黑矩阵的开口区域的边缘与所述像素定义层形成的像素开口的边缘之间的距离的1/8到7/8之间。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述第一凹陷部为环绕所述像素开口的开孔，所述开孔的宽度在0.5微米至1.8微米之间。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，多个所述开孔组成多个环形结构单元，至少一个环形结构单元包括n个围绕所述像素开口设置且相互平行的环形结构，最内层环形结构包括多个第一开孔，所述第一开孔与所述像素开口邻接，n为大于1的自然数。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，多个所述第一开孔之间形成所述锯齿状凸起，相邻所述锯齿状凸起之间的距离为所述黑矩阵的开口区域的边缘与所述像素定义层形成的像素开口的边缘之间的距离的1/8到7/8之间。

9.根据权利要求2所述的显示基板，其中，至少一个所述绝缘膜层包括：所述平坦层，所述平坦层包括多个第二凸起部，相邻的所述第二凸起部之间形成有第二凹陷部，所述第二凸起部为锯齿状。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述像素定义层在所述基底上的正投影与所述凹凸结构在所述基底上的正投影存在交叠区域。

11.根据权利要求9所述的显示基板，其中，相邻所述第二凸起部之间的距离大于或等于所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差。

12.根据权利要求9所述的显示基板，其中，在垂直于所述基底的方向上，所述第二凹陷部对应的有机发光层的厚度大于或等于所述第二凸起部对应的有机发光层的厚度。

13.根据权利要求9所述的显示基板，其中，相邻所述第二凸起部之间的距离大于所述第二凹陷部下对应的所述平坦层的厚度。

14.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差为所述平坦层的厚度的1/8到7/8之间。

15.根据权利要求9所述的显示基板，其中，至少一个所述第二凸起部与所述第二凹陷部之间的段差在0.2微米至0.8微米之间。

16.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述彩膜层位于所述平坦层和发光结构层之间，或位于所述发光结构层和所述封装层之间。

17.根据权利要求16所述的显示基板，其中，当所述彩膜层位于所述发光结构层和所述封装层之间时，所述显示基板还包括设置在所述封装层和所述彩膜层之间的触控结构层，所述触控结构层包括多个触控电极，所述彩膜层包括间隔设置的黑矩阵和彩色滤光片，所述黑矩阵在所述基底上的正投影包含所述触控电极在所述基底上的正投影。

18.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

19.一种显示装置，包括权利要求1至18任一项所述的显示基板。

20.一种显示基板的制备方法，包括：

技术总结
一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括基底(10)、设置在所述基底(10)上的至少一个绝缘膜层以及设置在所述绝缘膜层远离所述基底(10)一侧的第一电极；其中：至少一个所述绝缘膜层远离所述基底(10)的一侧设置有凹凸结构，所述凹凸结构在所述基底(10)上的正投影与所述第一电极在所述基底(10)上的正投影包含重叠区域；其中，所述凹凸结构包括锯齿状凸起。

技术研发人员：黄海涛,徐传祥,于勇,吴慧利,崔钊,刘文渠,舒适,井丽娜,孟德天,倪子博
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14