基板处理方法和基板处理装置与流程

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种显示装置的制造方法，该制造方法包括以覆盖发光元件和端子的方式在基板形成密封层的工序。在该制造方法中，形成密封层的工序包括以下工序：形成第一无机层；在第一无机层上形成有机层；以及以覆盖有机层并具有直接载置于第一无机层上的部分的方式形成第二无机层。

2、在专利文献2中公开了一种有机el面板的制造方法。该制造方法包括以下工序：在表面形成有多个发光元件的基板上形成第一无机绝缘膜；以及通过湿式成膜法在第一无机绝缘膜上形成有机绝缘膜，其中，该有机绝缘膜具有覆盖多个发光元件的全部的平坦部以及与该平坦部的周缘部分连接的倾斜部。另外，该制造方法包括以下工序：在有机绝缘膜上形成第二无机绝缘膜；以及形成覆盖上述平坦部上的第二无机绝缘膜的至少一部分并使上述倾斜部上的第二无机绝缘膜露出的掩模层。并且，该制造方法还包括以下工序：经由掩模层对第二无机绝缘膜和有机绝缘膜进行蚀刻；去除掩模层；以及在基板上形成第三无机绝缘膜，并通过使第一无机绝缘膜和第三无机绝缘膜接合来将有机绝缘膜密封。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2017-168411号公报

6、专利文献2：日本特开2022-72380号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开所涉及的技术在形成使有机绝缘膜被位于其上下等位置的无机绝缘膜密封而成的层叠膜、即覆盖发光元件的密封膜时，使有机绝缘膜的周端面成为所期望的角度的倾斜面。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式是基板处理方法，用于形成覆盖基板上的发光元件的密封膜，所述基板以覆盖所述发光元件的方式形成有第一无机绝缘膜，在所述第一无机绝缘膜上形成有具有周端面为倾斜面的周缘部的有机绝缘膜，在所述有机绝缘膜上形成有第二无机绝缘膜，在所述第二无机绝缘膜上形成有使所述周缘部上的该第二无机绝缘膜露出的光致抗蚀剂的掩模，该基板处理方法包括：工序(a)，进行经由所述光致抗蚀剂的掩模来去除所述第二无机绝缘膜的第一蚀刻，并形成所述第二无机绝缘膜的掩模；工序(b)，在所述工序(a)之后，进行经由所述光致抗蚀剂的掩模来去除所述有机绝缘膜的第二蚀刻；工序(c)，在所述工序(b)之后，在所述第二无机绝缘膜的掩模上选择性地形成第三无机绝缘膜，并形成所述第二无机绝缘膜和所述第三无机绝缘膜的层叠膜掩模；以及工序(d)，在所述工序(c)之后，进行经由所述层叠膜掩模来去除所述有机绝缘膜的第三蚀刻，在该第三蚀刻中，所述有机绝缘膜相对于无机绝缘膜的选择比低于所述第二蚀刻中的该选择比。

5、发明的效果

6、根据本公开，在形成使有机绝缘膜被位于其上下位置的无机绝缘膜密封而成的层叠膜、即覆盖发光元件的密封膜时，能够使有机绝缘膜的周端面成为所期望的角度的倾斜面。

技术特征：

1.一种基板处理方法，用于形成覆盖基板上的发光元件的密封膜，所述基板以覆盖所述发光元件的方式形成有第一无机绝缘膜，在所述第一无机绝缘膜上形成有具有周端面为倾斜面的周缘部的有机绝缘膜，在所述有机绝缘膜上形成有第二无机绝缘膜，在所述第二无机绝缘膜上形成有使所述周缘部上的该第二无机绝缘膜露出的光致抗蚀剂的掩模，所述基板处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

9.一种基板处理装置，用于形成覆盖基板的发光元件的密封膜，

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

14.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

15.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

16.根据权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法包括：工序(A)，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除第二无机绝缘膜的第一蚀刻，并形成第二无机绝缘膜的掩模；工序(B)，在工序(A)之后，进行经由光致抗蚀剂的掩模来去除有机绝缘膜的第二蚀刻；工序(C)，在工序(B)之后，在第二无机绝缘膜的掩模上选择性地形成第三无机绝缘膜，并形成第二无机绝缘膜和第三无机绝缘膜的层叠膜掩模；以及工序(D)，在工序(C)之后，进行经由层叠膜掩模来去除有机绝缘膜的第三蚀刻，在该第三蚀刻中，有机绝缘膜相对于无机绝缘膜的选择比低于第二蚀刻中的该选择比。

技术研发人员：太田直希,宫内国男,内田博章,飨场康
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8