一种陶瓷氮化硅发热体的制作方法

本发明涉及发热体，特别是涉及一种陶瓷氮化硅发热体。

背景技术：

1、现有的氮化硅发热体通常为一个一次性烧结成为一体的发热体，采用在氮化硅粉料中埋电热丝，然后在模具中一次性烧结成型，假设预埋的电热丝出现短路或断路，则该氮化硅发热体将直接报废，增加了维修成本；此外，氮化硅发热体的一次性烧结成型工艺所生产的氮化硅发热体容易形成烧结应力，在使用过程中容易断裂。因此，需要设计一种新的氮化硅发热体以解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种陶瓷氮化硅发热体，以解决上述现有技术存在的问题，能够降低结构应力，延长氮化硅发热体的使用寿命，同时还能够降低维修成本。

2、为实现上述目的，本发明提供了如下方案：本发明提供一种陶瓷氮化硅发热体，包括

3、氮化硅基体，所述氮化硅基体包括氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二烧结为一体后形成所述氮化硅基体；以及

4、发热源，所述发热源印刷在所述氮化硅陶瓷片一或氮化硅陶瓷片二的表面上，所述发热源的引出电极分别连接电源正负极；以及

5、发热真空腔，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上均开设有所述发热真空腔，所述发热真空腔为烧结时的预制腔，所述发热真空腔的开口处密封件进行密封；所述发热真空腔内用于容纳备用发热源。

6、优选地，所述氮化硅基体为圆柱体，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二均为截面是半圆形的半圆柱体，所述发热源印刷在所述氮化硅陶瓷片一或氮化硅陶瓷片二的内表面处；烧结完成后，所述发热源位于氮化硅基体的中间位置。

7、优选地，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上沿周向均布有一个或多个发热真空腔。

8、优选地，所述氮化硅基体为矩形体，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二对称设置，所述发热源印刷在所述氮化硅陶瓷片一或氮化硅陶瓷片二的内表面处；烧结完成后，所述发热源位于氮化硅基体的中间位置。

9、优选地，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上均设置有与连接面平行的发热真空腔。

10、优选地，所述氮化硅基体的端部设置有两个接线端，所述发热源的引出电极分别通过所述接线端与电源的正负极相连；所述氮化硅基体上靠近所述接线端的端部外侧套设有绝缘隔热套。

11、优选地，所述发热源采用高温电热膜。

12、优选地，所述备用发热源包括发热丝和引出极，所述发热丝的两端与所述引出极连接，所述发热丝采用钨丝，所述引出极采用钼丝，两个引出极分别电源正负极连接。

13、本发明相对于现有技术取得了以下有益技术效果：

14、本发明中的陶瓷氮化硅发热体，包括氮化硅基体、发热源和发热真空腔，氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二烧结为一体后形成氮化硅基体，采用已经烧制好的氮化硅陶瓷片在进行再次烧结的时候，其结构应力很小；氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上均开设有发热真空腔，发热真空腔为烧结时的预制腔，在初始的氮化硅发热体正常工作时，发热真空腔的开口处密封件进行密封；当初始发热源故障后，通过将密封件打开在发热真空腔内放置备用发热源，使得该氮化硅基体仍能使用，降低了维修成本。

技术特征：

1.一种陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：包括

2.根据权利要求1所述的陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：所述氮化硅基体为圆柱体，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二均为截面是半圆形的半圆柱体，所述发热源印刷在所述氮化硅陶瓷片一或氮化硅陶瓷片二的内表面处；烧结完成后，所述发热源位于氮化硅基体的中间位置。

3.根据权利要求2所述的陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上沿周向均布有一个或多个发热真空腔。

4.根据权利要求1所述的陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：所述氮化硅基体为矩形体，所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二对称设置，所述发热源印刷在所述氮化硅陶瓷片一或氮化硅陶瓷片二的内表面处；烧结完成后，所述发热源位于氮化硅基体的中间位置。

5.根据权利要求4所述的陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：所述氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上均设置有与连接面平行的发热真空腔。

6.根据权利要求1所述的陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：所述氮化硅基体的端部设置有两个接线端，所述发热源的引出电极分别通过所述接线端与电源的正负极相连；所述氮化硅基体上靠近所述接线端的端部外侧套设有绝缘隔热套。

7.根据权利要求1所述的陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：所述发热源采用高温电热膜。

8.根据权利要求1所述的陶瓷氮化硅发热体，其特征在于：所述备用发热源包括发热丝和引出极，所述发热丝的两端与所述引出极连接，所述发热丝采用钨丝，所述引出极采用钼丝，两个引出极分别电源正负极连接。

技术总结
本发明公开一种陶瓷氮化硅发热体，包括氮化硅基体、发热源和发热真空腔，氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二烧结为一体后形成氮化硅基体，采用已经烧制好的氮化硅陶瓷片在进行再次烧结的时候，其结构应力很小；氮化硅陶瓷片一和氮化硅陶瓷片二上均开设有发热真空腔，发热真空腔为烧结时的预制腔，在初始的氮化硅发热体正常工作时，发热真空腔的开口处密封件进行密封；当初始发热源故障后，通过将密封件打开在发热真空腔内放置备用发热源，使得该氮化硅基体仍能使用，降低了维修成本。

技术研发人员：曾小锋,肖立,谢山穗,谭皓文,李杨
受保护的技术使用者：衡阳凯新特种材料科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15