阵列基板及显示装置的制作方法

本申请属于显示，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

1、oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)，与lcd(liquidcrystal display，液晶显示器)有不同的发光原理，oled显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电和极高反应速度等优点，现已广泛应用于终端设备中。

2、串联式oled(英文名：tandem oled)，是将多个的传统的oled器件，通过连接层互相串联叠加而形成的一种高效率oled器件结构。相对于传统的oled器件，tandem oled器件在效率和寿命方面优势比较大，特别适用于对器件寿命、要求较高的显示装置。

3、但是，tandem oled器件内部存在迁移率比较高的膜层，比如电荷产生层(charge-generation layer，cgl)，高迁移率膜层容易对像素之间产生串扰作用，影响显示效果。

技术实现思路

1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种阵列基板及显示装置，能有效解决oled器件的像素间串扰问题，提高显示效果。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，包括：

3、衬底，所述衬底包括多个间隔设置的像素区域；

4、位于所述衬底上的第一电极层和隔断结构，所述第一电极层位于所述像素区域，所述隔断结构位于相邻的两个所述像素区域之间；

5、发光功能层，所述发光功能层至少位于所述像素区域，且覆盖所述第一电极层背离所述衬底的一侧；

6、第二电极层，所述第二电极层位于所述发光功能层背离所述衬底的一侧，且覆盖所述隔断结构；

7、其中，所述隔断结构包括辅助电极层和绝缘层，所述辅助电极层和所述第二电极层连接，所述绝缘层环绕所述像素区域设置，且所述辅助电极层位于所述绝缘层远离所述像素区域的一侧。

8、本申请实施例提供的阵列基板，通过设置位于衬底上的第一电极层和隔断结构，第一电极层位于像素区域，隔断结构位于相邻的两个像素区域之间，并使发光功能层至少位于像素区域，且覆盖第一电极层背离衬底的一侧；第二电极层位于发光功能层背离衬底的一侧，且覆盖隔断结构；其中，隔断结构包括辅助电极层和绝缘层，辅助电极层和第二电极层连接，绝缘层环绕像素区域设置，且辅助电极层位于绝缘层远离像素区域的一侧，从而能实现相邻像素区域处oled器件之间的隔断，避免oled器件中迁移率较高的膜层内的载流子向另一个oled器件迁移，有效解决了像素串扰现象。

9、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述衬底上相邻的两个所述像素区域之间；所述第二绝缘层和所述辅助电极层位于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，且所述辅助电极层位于所述第二绝缘层远离所述像素区域的一侧。

10、根据本申请实施例提供的阵列基板，位于相邻两个所述像素区域之间的所述第二绝缘层和所述辅助电极层构成的整体结构沿垂直于所述衬底的截面呈t字型或梯形，且所述整体结构靠近所述衬底一侧的截面宽度小于所述整体结构靠近所述第二电极层一侧的截面宽度。

11、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述辅助电极层靠近所述第二电极层一侧的表面和所述绝缘层靠近所述第二电极层一侧的表面之间的高度差小于或等于预设阈值。

12、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述辅助电极层靠近所述第二电极层一侧的表面相对于所述衬底的距离，大于所述绝缘层靠近所述第二电极层一侧的表面相对于所述衬底的距离。

13、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述第二电极层和所述辅助电极层背离所述衬底一侧的表面、以及所述辅助电极层的至少部分侧壁连接。

14、根据本申请实施例提供的阵列基板，位于相邻两个所述像素区域之间的所述辅助电极层沿垂直于所述衬底的截面呈t字形。

15、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述阵列基板还包括导电填充层，所述导电填充层位于所述第二电极层和所述发光功能层之间，且和所述辅助电极层的部分侧壁连接。

16、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述导电填充层的材料不同于所述第二电极层的材料。

17、根据本申请实施例提供的阵列基板，位于相邻两个所述像素区域之间的所述辅助电极层沿垂直于所述衬底的截面呈u字形，且所述阵列基板还包括填充层，所述填充层位于u字形的所述辅助电极层围绕而成的凹陷区域中，且所述填充层的材料和所述发光功能层中的至少部分材料相同。

18、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述第二电极层还位于所述凹陷区域中，且覆盖所述凹陷区域中的所述填充层。

19、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述阵列基板包括红光发光器件、蓝光发光器件和绿光发光器件，相邻的所述红光发光器件和所述蓝光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向具有第一高度，相邻的所述红光发光器件和所述绿光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向具有第二高度，相邻的所述蓝光发光器件和所述绿光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向具有第三高度，所述第一高度、所述第二高度和所述第三高度中的至少两者不相等。

20、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述阵列基板包括多个白光发光器件，相邻的两个所述白光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向上的高度相等。

21、根据本申请实施例提供的阵列基板，所述发光功能层包括位于所述第一电极层背离所述衬底一侧的第一发光层、位于所述第一发光层背离所述第一电极层一侧的电荷产生层、以及位于所述电荷产生层背离所述第一发光层一侧的第二发光层。

22、第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述衬底上相邻的两个所述像素区域之间；所述第二绝缘层和所述辅助电极层位于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧，且所述辅助电极层位于所述第二绝缘层远离所述像素区域的一侧。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，位于相邻两个所述像素区域之间的所述第二绝缘层和所述辅助电极层构成的整体结构沿垂直于所述衬底的截面呈t字型或梯形，且所述整体结构靠近所述衬底一侧的截面宽度小于所述整体结构靠近所述第二电极层一侧的截面宽度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极层靠近所述第二电极层一侧的表面和所述绝缘层靠近所述第二电极层一侧的表面之间的高度差小于或等于预设阈值。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极层靠近所述第二电极层一侧的表面相对于所述衬底的距离，大于所述绝缘层靠近所述第二电极层一侧的表面相对于所述衬底的距离。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极层和所述辅助电极层背离所述衬底一侧的表面、以及所述辅助电极层的至少部分侧壁连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，位于相邻两个所述像素区域之间的所述辅助电极层沿垂直于所述衬底的截面呈t字形。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括导电填充层，所述导电填充层位于所述第二电极层和所述发光功能层之间，且和所述辅助电极层的部分侧壁连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述导电填充层的材料不同于所述第二电极层的材料。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于相邻两个所述像素区域之间的所述辅助电极层沿垂直于所述衬底的截面呈u字形，且所述阵列基板还包括填充层，所述填充层位于u字形的所述辅助电极层围绕而成的凹陷区域中，所述填充层的材料和所述发光功能层中的至少部分材料相同。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极层还位于所述凹陷区域中，且覆盖所述凹陷区域中的所述填充层。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括红光发光器件、蓝光发光器件和绿光发光器件，相邻的所述红光发光器件和所述蓝光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向具有第一高度，相邻的所述红光发光器件和所述绿光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向具有第二高度，相邻的所述蓝光发光器件和所述绿光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向具有第三高度，所述第一高度、所述第二高度和所述第三高度中的至少两者不相等。

13.根据权利要求1-11中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个白光发光器件，相邻的两个所述白光发光器件之间的所述隔断结构沿垂直于所述衬底的方向上的高度相等。

14.根据权利要求1-11中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述发光功能层包括位于所述第一电极层背离所述衬底一侧的第一发光层、位于所述第一发光层背离所述第一电极层一侧的电荷产生层、以及位于所述电荷产生层背离所述第一发光层一侧的第二发光层。

15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-14中任一项所述的阵列基板。

技术总结
本申请公开了一种阵列基板及显示装置，包括：衬底，衬底包括多个间隔设置的像素区域；位于衬底上的第一电极层和隔断结构，第一电极层位于像素区域，隔断结构位于相邻的两个像素区域之间；发光功能层，发光功能层至少位于像素区域，且覆盖第一电极层背离衬底的一侧；第二电极层，第二电极层位于发光功能层背离衬底的一侧，且覆盖隔断结构；其中，隔断结构包括辅助电极层和绝缘层，辅助电极层和第二电极层连接，绝缘层环绕像素区域设置，且辅助电极层位于绝缘层远离像素区域的一侧，从而能实现相邻像素区域处OLED器件之间的隔断，避免OLED器件中迁移率较高的膜层内的载流子向另一个OLED器件迁移，有效解决了像素串扰现象。

技术研发人员：张峰杰,李晓虎,孙中元,王伟杰,薛金祥,张可忆
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15