半导体存储装置的制作方法

本实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术：

1、伴随于半导体存储装置的高集成化，关于半导体存储装置的三维化的研究正在进行。

2、现有技术文献

3、专利文献1：美国专利第9514792号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、提供良好地工作的半导体存储装置。

3、用于解决课题的技术方案

4、一个实施方式的半导体存储装置具备：基板；第1存储层，在与基板的表面交叉的第1方向上与基板间隔开；以及第1过孔布线及第2过孔布线，在第1方向上延伸且在与第1方向交叉的第2方向上的位置不同。第1存储层具备：与第1过孔布线电连接的第1晶体管；与第1晶体管电连接的存储部；与第1晶体管电连接且在第2方向上延伸的第1布线；与第2过孔布线电连接且与第1布线电连接的第2晶体管；与第2晶体管电连接的第1电极；以及与第1布线及第1电极电连接的第2电极。第1电极包括在第1方向上排列的第1导电层及第2导电层。第2导电层包含导电性氧化物。第2电极的第1方向上的长度，比第1布线的第1方向上的长度以及第1导电层的第1方向上的长度中的一方或双方长。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，具备：

2.一种半导体存储装置，具备：

3.一种半导体存储装置，具备：

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体存储装置，

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，

8.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，

11.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

12.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

13.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

14.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

15.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

16.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，

技术总结
本公开提供良好地工作的半导体存储装置。半导体存储装置具备：基板；第1存储层，在第1方向上与基板间隔开；及第1过孔布线及第2过孔布线，在第1方向上延伸且在第2方向上的位置不同。第1存储层具备：与第1过孔布线电连接的第1晶体管；与第1晶体管电连接的存储部；与第1晶体管电连接且在第2方向上延伸的第1布线；与第2过孔布线电连接且与第1布线电连接的第2晶体管；与第2晶体管电连接的第1电极；及与第1布线及第1电极电连接的第2电极。第1电极包括在第1方向上排列的第1导电层及第2导电层。第2导电层包含导电性氧化物。第2电极的第1方向上的长度比第1布线的第1方向上的长度及第1导电层的第1方向上的长度中的一方或双方长。

技术研发人员：增田贵史,冈岛睦,齐藤信美,池田圭司
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/5