射频前端模组封装结构及其形成方法与流程

本发明涉及封装领域，尤其涉及一种射频前端模组封装结构及其形成方法。

背景技术：

1、随着4g、5g通讯技术的发展，射频前端复杂程度越来越高，对终端射频前端架构、设计、制造提出更高的要求。将滤波器、射频开关、功率放大器(pa)、低噪声放大器(lna)、无源器件等集成封装在一起形成的射频前端模组以其高的集成度，微型化发展潜力逐步得到应用和推广，是技术发展的必然趋势。

2、在射频前端模组封装结构中包含需要空腔才能工作的滤波芯片及无需空腔即可工作的非滤波器元件，在塑封形成所述封装结构时，一方面需要防止塑封料进入滤波芯片的空腔内，另一方面需要在非滤波器元件底部填充塑封料以提高非滤波器元件的可靠性，这导致封装难度增大，封装成本提高，无法满足需求。

3、因此如何降低射频前端模组封装结构的封装难度及封装成本，一直是工程设计中的一大挑战。

技术实现思路

1、本发明提供了一种射频前端模组封装结构，其包括：基板，包括导电互连层及覆盖所述导电互连层的第一阻焊层，所述第一阻焊层包括第一窗口；滤波芯片，设置在所述第一阻焊层上且所述滤波芯片的表面与所述第一阻焊层的表面接触，所述滤波芯片包括功能区及设置在所述功能区外围的第一导电焊垫，所述功能区设置在所述第一窗口上方，所述滤波芯片、所述第一窗口的底部以及所述第一窗口的侧壁围合构成封闭的功能空腔，所述第一导电焊垫位于所述功能空腔外且与所述导电互连层电连接；非滤波芯片，设置在所述第一阻焊层表面，且所述非滤波芯片朝向所述第一阻焊层的表面与所述第一阻焊层的表面之间具有设定距离；塑封体，覆盖所述第一阻焊层、所述滤波芯片及所述非滤波芯片，且所述塑封体还填充在所述非滤波芯片与所述第一阻焊层之间。

2、在一实施例中，所述第一窗口暴露出所述导电互连层的表面，所述滤波芯片、所述导电互连层以及所述第一窗口的侧壁围合构成封闭的所述功能空腔。

3、在一实施例中，所述基板还包括第二导电焊垫，所述第二导电焊垫设置在所述导电互连层表面且与所述导电互连层电连接，所述第一阻焊层具有第一开口，所述第一开口暴露出所述第二导电焊垫，且所述第二导电焊垫的表面低于所述第一阻焊层的表面，所述第一导电焊垫穿过所述第一开口与所述第二导电焊垫接触连接，所述第一导电焊垫的高度与所述第二导电焊垫表面至所述滤波芯片表面的距离相等。

4、在一实施例中，所述基板还包括第三导电焊垫，所述第三导电焊垫设置在所述导电互连层表面且与所述导电互连层电连接，所述第一阻焊层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第三导电焊垫，且所述第三导电焊垫的表面低于所述第一阻焊层的表面，所述非滤波芯片朝向所述第一阻焊层的表面设置有第四导电焊垫，所述第四导电焊垫穿过所述第二开口与所述第三导电焊垫接触连接，且所述第四导电焊垫的高度大于所述第三导电焊垫表面至所述非滤波芯片表面的距离。

5、在一实施例中，所述第一阻焊层还包括环形窗口，所述环形窗口环绕所述第一窗口的外围，所述滤波芯片、所述环形窗口的底部以及所述环形窗口的侧壁围合构成缓冲空腔。

6、在一实施例中，所述环形窗口为连续或者断续的窗口。

7、在一实施例中，所述缓冲空腔位于所述功能空腔与所述第一导电焊垫之间。

8、在一实施例中，所述第一阻焊层还包括位于所述第一窗口至少一侧的第二窗口，所述滤波芯片覆盖所述第二窗口的部分区域，所述第一导电焊垫经所述第二窗口与所述导电互连层电连接，所述塑封体还填充在所述第二窗口内。

9、在一实施例中，所述第一阻焊层还包括第三窗口，所述射频前端模组封装结构还包括无源器件，所述无源器件设置在所述第三窗口内，且与所述导电互连层电连接，所述塑封体还覆盖所述无源器件且填充在所述第三窗口内。

10、本公开实施例还提供一种射频前端模组封装结构的形成方法，其包括：提供基板，所述基板包括导电互连层及覆盖所述导电互连层的第一阻焊层，所述第一阻焊层包括第一窗口；将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上，所述滤波芯片的表面与所述第一阻焊层的表面接触，所述滤波芯片包括功能区及设置在所述功能区外围的第一导电焊垫，所述功能区设置在所述第一窗口上方，所述滤波芯片、所述第一窗口的底部以及所述第一窗口的侧壁围合构成封闭的功能空腔，所述第一导电焊垫位于所述功能空腔外且与所述导电互连层电连接，所述非滤波芯片朝向所述第一阻焊层的表面与所述第一阻焊层的表面之间具有设定距离；塑封，以形成塑封体，所述塑封体覆盖所述第一阻焊层、所述滤波芯片及所述非滤波芯片，且所述塑封体还填充在所述非滤波芯片与所述第一阻焊层之间。

11、在一实施例中，在塑封，以形成塑封体的步骤中，塑封压力小于或者等于3mpa。

12、在一实施例中，所述第一导电焊垫的初始高度大于设定值，在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，执行回流工艺，所述第一导电焊垫的初始高度减小，以使所述滤波芯片的表面与所述第一阻焊层的表面接触。

13、在一实施例中，所述非滤波芯片朝向所述第一阻焊层的表面与所述第一阻焊层的表面之间的所述设定距离大于10微米。

14、在一实施例中，所述第一阻焊层还包括环形窗口，所述环形窗口环绕所述第一窗口的外围；在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，所述滤波芯片、所述环形窗口的底部以及所述环形窗口的侧壁围合构成缓冲空腔；在塑封，以形成塑封体的步骤中，所述缓冲空腔为塑封料提供蔓延的空间。

15、在一实施例中，所述第一阻焊层还包括位于所述第一窗口至少一侧的第二窗口；在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，所述滤波芯片覆盖所述第二窗口的部分区域，所述第一导电焊垫经所述第二窗口与所述导电互连层电连接；在塑封，以形成塑封体的步骤中，所述塑封体还填充在所述第二窗口内。

16、在一实施例中，所述第一阻焊层还包括第三窗口；在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，还包括将无源器件贴装在所述第一阻焊层上，所述无源器件设置在所述第三窗口内，且与所述导电互连层电连接；在塑封，以形成塑封体的步骤中，所述塑封体还覆盖所述无源器件且填充在所述第三窗口内。

17、在本发明实施例提供的射频前端模组封装结构及形成方法中，所述第一阻焊层提供第一窗口，所述滤波芯片、所述第一窗口的底部以及所述第一窗口的侧壁围合构成封闭的功能空腔，其利用所述滤波芯片的表面与所述第一阻焊层的表面接触而形成的屏障，使得所述塑封体不会进入所述功能空腔内，从而可避免塑封体影响所述滤波芯片的微波滤波功能；同时，第一阻焊层还能够为所述滤波芯片提供支撑，提高了所述射频前端模组封装结构的可靠性；并且所述塑封体还能够填充在所述非滤波芯片与所述第一阻焊层之间，提高了所述射频前端模组封装结构的可靠性。本发明实施例提供的射频前端模组封装结构及其形成方法无需为了形成功能空腔而执行形成胶膜、去除胶膜、点胶等步骤，大大降低了封装成本，有利于射频前端模组封装结构的推广应用。

技术特征：

1.一种射频前端模组封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述第一窗口暴露出所述导电互连层的表面，所述滤波芯片、所述导电互连层以及所述第一窗口的侧壁围合构成封闭的所述功能空腔。

3.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述基板还包括第二导电焊垫，所述第二导电焊垫设置在所述导电互连层表面且与所述导电互连层电连接，所述第一阻焊层具有第一开口，所述第一开口暴露出所述第二导电焊垫，且所述第二导电焊垫的表面低于所述第一阻焊层的表面，所述第一导电焊垫穿过所述第一开口与所述第二导电焊垫接触连接，所述第一导电焊垫的高度与所述第二导电焊垫表面至所述滤波芯片表面的距离相等。

4.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述基板还包括第三导电焊垫，所述第三导电焊垫设置在所述导电互连层表面且与所述导电互连层电连接，所述第一阻焊层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第三导电焊垫，且所述第三导电焊垫的表面低于所述第一阻焊层的表面，所述非滤波芯片朝向所述第一阻焊层的表面设置有第四导电焊垫，所述第四导电焊垫穿过所述第二开口与所述第三导电焊垫接触连接，且所述第四导电焊垫的高度大于所述第三导电焊垫表面至所述非滤波芯片表面的距离。

5.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述第一阻焊层还包括环形窗口，所述环形窗口环绕所述第一窗口的外围，所述滤波芯片、所述环形窗口的底部以及所述环形窗口的侧壁围合构成缓冲空腔。

6.根据权利要求5所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述环形窗口为连续或者断续的窗口。

7.根据权利要求5所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述缓冲空腔位于所述功能空腔与所述第一导电焊垫之间。

8.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述第一阻焊层还包括位于所述第一窗口至少一侧的第二窗口，所述滤波芯片覆盖所述第二窗口的部分区域，所述第一导电焊垫经所述第二窗口与所述导电互连层电连接，所述塑封体还填充在所述第二窗口内。

9.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构，其特征在于，所述第一阻焊层还包括第三窗口，所述射频前端模组封装结构还包括无源器件，所述无源器件设置在所述第三窗口内，且与所述导电互连层电连接，所述塑封体还覆盖所述无源器件且填充在所述第三窗口内。

10.一种射频前端模组封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述的射频前端模组封装结构的形成方法，其特征在于，在塑封，以形成塑封体的步骤中，塑封压力小于或者等于3mpa。

12.根据权利要求10所述的射频前端模组封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电焊垫的初始高度大于设定值，在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，执行回流工艺，所述第一导电焊垫的初始高度减小，以使所述滤波芯片的表面与所述第一阻焊层的表面接触。

13.根据权利要求10所述的射频前端模组封装结构的形成方法，其特征在于，所述非滤波芯片朝向所述第一阻焊层的表面与所述第一阻焊层的表面之间的所述设定距离大于10微米。

14.根据权利要求10所述的射频前端模组封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻焊层还包括环形窗口，所述环形窗口环绕所述第一窗口的外围；在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，所述滤波芯片、所述环形窗口的底部以及所述环形窗口的侧壁围合构成缓冲空腔；在塑封，以形成塑封体的步骤中，所述缓冲空腔为塑封料提供蔓延的空间。

15.根据权利要求1所述的射频前端模组封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻焊层还包括位于所述第一窗口至少一侧的第二窗口；在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，所述滤波芯片覆盖所述第二窗口的部分区域，所述第一导电焊垫经所述第二窗口与所述导电互连层电连接；在塑封，以形成塑封体的步骤中，所述塑封体还填充在所述第二窗口内。

16.根据权利要求10所述的射频前端模组封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻焊层还包括第三窗口；在将滤波芯片及非滤波芯片贴装在所述第一阻焊层上的步骤中，还包括将无源器件贴装在所述第一阻焊层上，所述无源器件设置在所述第三窗口内，且与所述导电互连层电连接；在塑封，以形成塑封体的步骤中，所述塑封体还覆盖所述无源器件且填充在所述第三窗口内。

技术总结
本发明提供一种射频前端模组封装结构及其形成方法，射频前端模组封装结构包括：基板，包括导电互连层及覆盖导电互连层的第一阻焊层，第一阻焊层包括第一窗口；滤波芯片，设置在第一阻焊层上且滤波芯片的表面与第一阻焊层的表面接触，滤波芯片包括功能区及设置在功能区外围的第一导电焊垫，功能区设置在第一窗口上方，滤波芯片、第一窗口的底部以及第一窗口的侧壁围合构成封闭的功能空腔，第一导电焊垫位于功能空腔外且与导电互连层电连接；非滤波芯片，设置在第一阻焊层表面，且非滤波芯片朝向第一阻焊层的表面与第一阻焊层的表面之间具有设定距离；塑封体，覆盖第一阻焊层、滤波芯片及非滤波芯片，且塑封体还填充在非滤波芯片与第一阻焊层之间。

技术研发人员：李曜,周青云,林耀剑
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16