低边开关驱动电路及驱动装置的制作方法

本发明涉及底边开关，尤其涉及一种低边开关驱动电路及驱动装置。

背景技术：

1、低边开关(low side switch)芯片在新能源汽车和工业上，有着广泛的应用前景，低边开关利用晶体管的性能来用作驱动的开关，现有技术中低边开关一般用作继电器，马达驱动等用途；在低边开关应用时，低边开关由自身内部芯片电源供电，芯片在正常工作时需要保证芯片内部电源的电量充足从而能够保证开关的稳定、可靠工作，但是在现有技术中在低边开关芯片在需要关断时无法保证可靠关闭。

技术实现思路

1、本发明的目的之一在于提供一种低边开关驱动电路，以解决现有技术中，低边开关芯片在需要关断的情况下无法保证可靠关闭的问题。

2、本发明的目的之一在于提供一种驱动装置。

3、为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种低边开关驱动电路，所述低边开关驱动电路包括：第一晶体管，串联在负载回路中；第二晶体管，串接在负载触发信号端和参考地之间；所述第二晶体管配置为：当所述负载触发信号指示的状态电压值下降至低于预设阈值时，导通并拉低所述状态电压值，以使所述第一晶体管关断。

4、为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种驱动装置，所述驱动装置包括上述实施方式中所述的低边开关驱动电路。

5、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：设置第二晶体管，第一晶体管关闭时，第一晶体管栅极的状态电压值低于预设阈值使得第二晶体管导通，从而可以拉低第一晶体管的栅极，能够将第一晶体管保持关闭，避免在芯片电源不足需要关闭第一晶体管时，第一晶体管被负载端上升的电压耦合打开，避免了芯片缺电工作造成损耗，保证了负载运行的安全性和可靠性。

技术特征：

1.一种低边开关驱动电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低边开关驱动电路，其特征在于，还包括第三晶体管(nm2)，所述第三晶体管(nm2)的栅极连接所述负载触发信号端，所述第三晶体管(nm2)串接在所述第二晶体管(nm3)的栅极和参考地之间；

3.根据权利要求1所述的低边开关驱动电路，其特征在于，还包括第四晶体管(nm5)，所述第四晶体管(nm5)串联在所述第一晶体管(nld0)的栅极和参考地之间，且所述第四晶体管(nm5)的栅极通过第一电容(c1)连接所述第一晶体管(nld0)的栅极，所述第四晶体管(nm5)的栅极还连接至参考地。

4.根据权利要求1所述的低边开关驱动电路，其特征在于，还包括第五晶体管(pm1)和第六晶体管(nm1)，所述第五晶体管(pm1)和所述第六晶体管(nm1)串联于供电端(vdd)和参考地之间，所述第五晶体管(pm1)和所述第六晶体管(nm1)的漏极相连并接于负载触发信号端，所述第五晶体管(pm1)和所述第六晶体管(nm1)的栅极相连并接入控制信号。

5.根据权利要求4所述的低边开关驱动电路，其特征在于，所述供电端(vdd)和所述参考地之间还串联有第七晶体管(pm0)和第八晶体管(nm0)，所述第七晶体管(pm0)和所述第八晶体管(nm0)的栅极相连并接入控制信号，所述第七晶体管(pm0)和所述第八晶体管(nm0)漏极相连并接于所述第五晶体管(pm1)和所述第六晶体管(nm1)的栅极。

6.根据权利要求5所述的低边开关驱动电路，其特征在于，还包括第二电容(c0)，所述第二电容(c0)的第一极分别连接供电端(vdd)和所述第七晶体管(pm0)的源极，所述第二电容(c0)的第二极接地。

7.根据权利要求1所述的低边开关驱动电路，其特征在于，所述低边开关驱动电路还包括第九晶体管(nm4)，所述第九晶体管(nm4)的漏极连接所述第二晶体管(nm3)的栅极，所述第九晶体管(nm4)的源极接地，所述第九晶体管(nm4)的栅极连接控制信号；

8.根据权利要求1所述的低边开关驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(nld0)的漏极连接至负载参考端(vin)以接收所述负载回路一侧的电信号输入；

9.根据权利要求8所述的低边开关驱动电路，其特征在于，所述第十晶体管(nld1)的栅极还通过稳压二极管(zener)接地。

10.根据权利要求6所述的低边开关驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(nld0)的漏极连接至负载参考端(vin)以接收所述负载回路一侧的电信号输入；

11.一种驱动装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的低边开关驱动电路。

技术总结
本发明揭示了一种低边开关驱动电路及驱动装置，该低边开关驱动电路包括第一晶体管，串联在负载回路中；第二晶体管，串接在负载触发信号端和参考地之间；所述第二晶体管配置为：当所述负载触发信号指示的状态电压值下降至低于预设阈值时，导通并拉低所述状态电压值，以使所述第一晶体管关断。本发明能够将第一晶体管保持关闭，避免在芯片电源不足需要关闭第一晶体管时，第一晶体管被负载端上升的电压耦合打开，避免了芯片缺电工作造成损耗，保证了负载运行的安全性和可靠性。

技术研发人员：陈文凯,林涛
受保护的技术使用者：苏州纳芯微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16