一种改善闪存器件制作过程中字线损伤的工艺的制作方法

本申请涉及半导体制造的，具体涉及一种改善闪存器件制作过程中字线损伤的工艺。

背景技术：

1、闪存器件作为一种非易失性半导体存储器件，由于具有高速、高密度、断电后仍能保持数据等特点，被广泛应用于手机、笔记本电脑、u盘等各类电子产品中。

2、在nord flash结构中，字线表面氧化层在炉管生长过程中会沿着多晶硅晶格生长，在后续控制栅接触孔等工艺刻蚀过程中，氧化层会清除掉，从而会在字线表面形成凹坑状缺陷，如图1a和图1b所示，进而会影响在线缺陷的监控，严重的甚至会影响产品良率。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请提供了一种改善闪存器件制作过程中字线损伤的工艺。

2、本申请实施例提供的一种改善闪存器件制作过程中字线损伤的工艺，包括：

3、s1：提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围区域，所述衬底上依次沉积有隧穿氧化层、浮栅多晶硅层、ono层、控制栅多晶硅层和氮化硅层，位于所述存储单元区域的所述氮化硅层内形成有字线窗口，所述字线窗口内形成有字线结构，所述字线结构的底部接触所述隧穿氧化层；

4、s2：研磨所述字线结构的顶部，直至去除指定厚度的所述字线结构；

5、s3：在所述氮化硅层和所述字线窗口上形成teos层；

6、s4：对所述teos层进行平坦化处理，以去除高于所述氮化硅层顶部的所述teos层。

7、在一些实施例中，所述s1中的字线结构包括：

8、第一侧墙，所述第一侧墙形成在所述字线窗口相对的两侧；

9、第二侧墙，形成在部分所述第一侧墙表面，且所述第二侧墙的底部接触所述浮栅多晶硅层；

10、第三侧墙，形成在部分所述第二侧墙表面和露出的所述浮栅多晶硅层表面，所述第三侧墙的底部接触所述隧穿氧化层；

11、字线多晶硅，填充在露出的所述第一侧墙、第三侧墙和隧穿氧化层所围成的区域内。

12、在一些实施例中，在所述s2中，所述指定厚度为500-700a。

13、在一些实施例中，在所述s3中，所述在所述氮化硅层和所述字线窗口上形成teos层，包括：

14、通过cvd工艺在所述氮化硅层和所述字线窗口上形成一层teos，并对其进行热退火处理使其致密化，以形成teos层。

15、在一些实施例中，所述teos层的厚度大于700a。

16、在一些实施例中，所述第一侧墙为氧化层，所述第二侧墙为氮化层，所述第三侧墙为氧化层。

17、在一些实施例中，所述隧穿氧化层为二氧化硅。

18、本申请技术方案，至少包括如下优点：

19、1.通过使用在氮化硅层和字线窗口上形成teos层的方式替代现有技术中使用炉管生长氧化层的方式，能够避免氧化层沿着晶格生长导致后续刻蚀过程中形成凹坑状缺陷。

技术特征：

1.一种改善闪存器件制作过程中字线损伤的工艺，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述s1中的字线结构包括：

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在所述s2中，所述指定厚度为500-700a。

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在所述s3中，所述在所述氮化硅层和所述字线窗口上形成teos层，包括：

5.根据权利要求1-4任一所述的工艺，其特征在于，所述teos层的厚度大于700a。

6.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，所述第一侧墙为氧化层，所述第二侧墙为氮化层，所述第三侧墙为氧化层。

7.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述隧穿氧化层为二氧化硅。

技术总结
本申请公开了一种改善闪存器件制作过程中字线损伤的工艺，包括：S1：提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和外围区域，所述衬底上依次沉积有隧穿氧化层、浮栅多晶硅层、ONO层、控制栅多晶硅层和氮化硅层，位于所述存储单元区域的所述氮化硅层内形成有字线窗口，所述字线窗口内形成有字线结构，所述字线结构的底部接触所述隧穿氧化层；S2：研磨所述字线结构的顶部，直至去除指定厚度的所述字线结构；S3：在所述氮化硅层和所述字线窗口上形成TEOS层；S4：对所述TEOS层进行平坦化处理，以去除高于所述氮化硅层顶部的所述TEOS层。本申请通过上述方案，能够解决刻蚀过程中字线表面形成凹坑状缺陷的问题。

技术研发人员：周洋,徐杰
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15