控制晶体管的转换速率的电路的制作方法

本公开涉及诸如高电子迁移率晶体管(hemt)和金属-绝缘体-半导体hemt(mishemt)之类的晶体管，更具体地说，涉及用于控制这种晶体管的转换速率的电路的实施例。

背景技术：

1、诸如氮化镓(gan)基高电子迁移率晶体管(hemt)和金属-绝缘体-半导体hemt(mishemt)之类的iii-v族半导体器件或其他iii-v族半导体晶体管已成为射频(rf)和毫米波(mmwave)(例如，3-300ghz)无线应用的领先技术。由于低电容和跨导，这样的器件具有极快的切换速率。遗憾的是，这些快速切换速率可能导致振铃和更高阶谐波。在诸如电源之类的一些器件中，振铃和更高阶谐波会导致电磁干扰，这种干扰需要昂贵的滤波部件来使其最小化。

技术实现思路

1、本文公开了控制电路的实施例，该控制电路用于在切换期间控制诸如iii-v族半导体晶体管(例如，gan基hemt或mishemt)之类的晶体管的转换(slew)速率，特别是控制该晶体管的输出电压随时间的导数(dvout/dt)，以便最小化电磁干扰，从而最小化对昂贵滤波部件的需求。

2、这种控制电路的一个实施例可以包括衬垫、第一晶体管、电容器和第二晶体管。在该实施例中，所述第一晶体管可以是增强模式器件，并且，所述第二晶体管可以是耗尽模式器件。所述第一晶体管可以具有连接到地的第一源极区、第一漏极区，以及第一栅极。所述电容器可以具有连接到所述第一漏极区的第一板和与所述第一板相对的第二板。所述第二晶体管可以具有连接到所述第一栅极的第二源极区、连接到所述衬垫的第二漏极区，以及连接到所述第二板的第二栅极。

3、这种控制电路的另一实施例可以包括衬垫、第一晶体管、电容器和第二晶体管。在该实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管都可以是增强模式器件。所述第一晶体管可以具有连接到地的第一源极区、第一漏极区，以及连接到所述衬垫的第一栅极。所述电容器可以具有连接到所述第一漏极区的第一板和与所述第一板相对的第二板。所述第二晶体管可以具有连接到地的第二源极区、连接到所述第一栅极的第二漏极区，以及连接到所述第二板的第二栅极。

4、这种控制电路的又一实施例可以包括衬垫、第一晶体管、电容器和第二晶体管。在该实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管都可以是耗尽模式器件。所述第一晶体管可以具有第一源极区、第一漏极区，以及连接到所述衬垫的第一栅极。所述电容器可以具有连接到所述第一漏极区的第一板和与所述第一板相对的第二板。所述第二晶体管可以具有连接到地的第二源极区、连接到所述第一栅极的第二漏极区，以及连接到所述第二板的第二栅极，

技术特征：

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是iii-v族半导体晶体管。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一晶体管是氮化镓基高电子迁移率晶体管和氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的一者。

4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述衬垫接收脉宽调制信号。

5.根据权利要求4所述的结构，还包括并联连接在所述第二栅极和地之间的第三晶体管、电阻器、电压箝位器和第四晶体管。

6.根据权利要求5所述的结构，

7.根据权利要求5所述的结构，

8.一种结构，包括：

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是iii-v族半导体晶体管。

10.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第一晶体管是氮化镓基高电子迁移率晶体管和氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的一者。

11.根据权利要求8所述的结构，其中，所述衬垫接收脉宽调制信号。

12.根据权利要求11所述的结构，还包括：

13.根据权利要求12所述的结构，

14.根据权利要求12所述的结构，

15.一种结构，包括：

16.根据权利要求15所述的结构，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是iii-v族半导体晶体管。

17.根据权利要求15所述的结构，其中，所述第一晶体管是氮化镓基高电子迁移率晶体管和氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的一者。

18.根据权利要求15所述的结构，其中，所述衬垫接收脉宽调制信号。

19.根据权利要求18所述的结构，还包括：

20.根据权利要求19所述的结构，

技术总结
本公开涉及控制晶体管的转换速率的电路。公开了用于在切换期间控制晶体管的转换速率的电路。每个电路包括第一晶体管(例如，氮化镓基(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)或金属‑绝缘体‑半导体HEMT(MISHEMT))、电容器和第二晶体管。第一晶体管包括连接到用于接收脉宽调制(PWM)信号的衬垫的第一栅极、连接到电容器的第一板的第一漏极区，以及第一源极区。第二晶体管包括连接到电容器的第二板的第二栅极、第二漏极区和第二源极区，并且同时连接到衬垫和第一晶体管。第一晶体管和第二晶体管之间的连接根据第一晶体管是增强模式器件还是耗尽模式器件以及转换速率控制是用于导通状态切换还是关断状态切换而变化。

技术研发人员：S·沙玛
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17