串联式OLED结构及显示面板的制作方法

本发明涉及显示设备领域，尤其涉及一种串联式oled结构及显示面板。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，人们对显示器件的显示质量要求也越来越高。相较于普通的oled器件，tandem(串联式)oled器件有长寿命、窄半峰宽(用以实现高色域)、低功耗的特点。

2、tandem oled器件中，发光材料层之间通过cgl(电荷产生层)连接，在电场作用下，cgl层发生电荷分离，电子与空穴分别向不同的发光材料层传输，在相同电流密度下，实现数倍于单叠oled器件的发光效率。

3、然而，现有的tandem oled中cgl中产生的空穴会被阴极层的电子影响，进而影响到发光材料层的发光效率。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种具有较高发光效率的串联式oled结构及显示面板。

2、本申请公开了一种串联式oled结构，其包括：

3、阴极层；

4、阳极层；

5、若干发光材料层，所述若干发光材料层串联连接，所述若干发光材料层位于所述阴极层与所述阳极层之间；

6、电荷产生层，所述电荷产生层位于所述若干发光材料层之间，所述发光材料层在第一方向上的投影落入所述电荷产生层；

7、空穴阻挡层，位于所述阴极层靠近所述发光材料层的一侧，所述空穴阻挡层在第一方向上隔离所述电荷产生层与所述阴极层；

8、隔离部，所述隔离部位于所述电荷产生层的边缘，所述隔离部在第二方向上隔离所述电荷产生层与所述阴极层；

9、所述第一方向平行于从所述阴极层到所述阳极层的方向，所述第二方向垂直于从所述阴极层到所述阳极层的方向。

10、可选地，所述隔离部包括自所述空穴阻挡层的边缘延伸形成的第一隔离结构。

11、可选地，所述串联式oled结构还包括：

12、电子传输层，所述电子传输层位于所述空穴阻挡层与所述阴极层之间；

13、所述隔离部包括由所述空穴阻挡层及所述电子传输层的边缘共同延伸形成的第二隔离结构。

14、可选地，所述隔离部包括由绝缘材料制成的第三隔离结构。

15、可选地，所述串联式oled结构还包括：

16、基底；

17、第一平坦层，所述第一平坦层设置于所述基底与所述阳极层之间；

18、像素界定层，所述像素界定层位于所述第一平坦层远离所述基底的一侧；

19、空穴传输层，所述空穴传输层位于所述像素界定层靠近所述电荷产生层的一侧；

20、所述空穴传输层在第一方向上的投影与所述电荷产生层重叠，所述电荷产生层在第一方向上的投影落入所述像素界定层。

21、可选地，所述第三隔离结构设置于所述像素界定层朝向所述电荷产生层的一侧。

22、可选地，所述基底靠近所述第一平坦层的一侧设置有第一凸起结构，所述第一平坦层覆盖所述第一凸起结构，所述第一凸起结构在第一方向上的投影被所述第三隔离结构在所述第一方向上的投影覆盖。

23、可选地所述第一平坦层靠近所述像素界定层的一侧设置有第二平坦层，所述第一平坦层靠近所述第二平坦层一侧设置有第二凸起结构，所述第二平坦层覆盖所述第二凸起结构，所述第二凸起结构在第一方向上的投影被所述第三隔离结构在所述第一方向上的投影覆盖。

24、可选地，所述电荷产生层包括电子提取层与电子接收层，所述电子提取层位于靠近阳极层的一侧，所述电子接收层位于靠近所述阴极层的一侧。

25、可选地，所述电子提取层的材料包括n型掺杂的有机层，所述电子接收层包括p型掺杂的有机层。

26、可选地，所述隔离部的外边缘距所述电荷产生层的外边缘的距离大于等于5μm。

27、本申请还公开了一种显示面板，其包括如上所述的串联式oled结构，所述显示面板包括显示区与绕显示区的周边区。

28、可选地，在所述周边区内，所述像素界定层远离所述基底的一侧与所述空穴传输层及所述电子传输层接触。

29、可选地，在所述周边区内，与所述阳极层同层设置有导电层，所述导电层与所述阴极层接触传输信号至阴极层。

30、可选地，所述阴极层远离所述基底的一侧设置有封装层，所述封装层远离所述阴极层的一侧设置有触控电极层，所述触控电极层设置有触控电极，所述显示区与所述周边区均设置有所述触控电极。

31、与相关技术相比，本申请通过设置隔离部在第二方向上隔离电荷产生层与阴极层，防止电荷产生层产生的空穴与阴极层产生的电子发生复合猝灭，扰乱电荷产生层内部电子空穴的有序排布和传输，提升发光材料层的发光效率。

32、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本说明书。

技术特征：

1.一种串联式oled结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的串联式oled结构，其特征在于，所述隔离部包括自所述空穴阻挡层的边缘延伸形成的第一隔离结构。

3.根据权利要求1所述的串联式oled结构，其特征在于，所述串联式oled结构还包括：

4.根据权利要求1所述的串联式oled结构，其特征在于，所述隔离部包括由绝缘材料制成的第三隔离结构。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的串联式oled结构，其特征在于，所述串联式oled结构还包括：

6.根据权利要求5所述的串联式oled结构，其特征在于，所述第三隔离结构设置于所述像素界定层朝向所述电荷产生层的一侧。

7.根据权利要求6所述的串联式oled结构，其特征在于，所述基底靠近所述第一平坦层的一侧设置有第一凸起结构，所述第一平坦层覆盖所述第一凸起结构，所述第一凸起结构在第一方向上的投影被所述第三隔离结构在所述第一方向上的投影覆盖。

8.根据权利要求6所述的串联式oled结构，其特征在于，所述第一平坦层靠近所述像素界定层的一侧设置有第二平坦层，所述第一平坦层靠近所述第二平坦层一侧设置有第二凸起结构，所述第二平坦层覆盖所述第二凸起结构，所述第二凸起结构在第一方向上的投影被所述第三隔离结构在所述第一方向上的投影覆盖。

9.根据权利要求1所述的串联式oled结构，其特征在于，所述电荷产生层包括电子提取层与电子接收层，所述电子提取层位于靠近阳极层的一侧，所述电子接收层位于靠近所述阴极层的一侧。

10.根据权利要求9所述的串联式oled结构，其特征在于，所述电子提取层的材料包括n型掺杂的有机层，所述电子接收层包括p型掺杂的有机层。

11.根据权利要求1所述的串联式oled结构，其特征在于，所述隔离部的外边缘距所述电荷产生层的外边缘的距离大于等于5μm。

12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11中任意一项所述的串联式oled结构，所述显示面板包括显示区与绕显示区的周边区。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，在所述周边区内，所述像素界定层远离所述基底的一侧与所述空穴传输层及所述电子传输层接触。

14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，在所述周边区内，与所述阳极层同层设置有导电层，所述导电层与所述阴极层接触传输信号至阴极层。

15.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层远离所述基底的一侧设置有封装层，所述封装层远离所述阴极层的一侧设置有触控电极层，所述触控电极层设置有触控电极，所述显示区与所述周边区均设置有所述触控电极。

技术总结
本申请公开了一种串联式OLED结构及显示面板。串联式OLED结构包括阴极层、阳极层、若干发光材料层、电荷产生层、空穴阻挡层以及隔离部。空穴阻挡层位于阴极层靠近发光材料层的一侧，空穴阻挡层在第一方向上隔离电荷产生层与阴极层。隔离部位于电荷产生层的边缘，隔离部在第二方向上隔离电荷产生层与阴极层。第一方向平行于从阴极层到阳极层的方向，第二方向垂直于从阴极层到阳极层的方向。本申请通过设置隔离部在第二方向上隔离电荷产生层与阴极层，防止电荷产生层产生的空穴与阴极层产生的电子发生复合猝灭，扰乱电荷产生层内部电子空穴的有序排布和传输，提升发光材料层的发光效率。

技术研发人员：李筠连,徐光华,谢涛峰,何帆,黄世雄,文小雪,何磊,薛兴皓
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16