一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极的制作方法

文档序号:36261584发布日期:2023-12-05 20:49阅读:42来源:国知局
一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极的制作方法

本发明涉及激光离子源,特别涉及一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极。


背景技术:

1、激光离子源是将高功率激光束由透镜聚焦到固态靶材表面打靶产生激光等离子体,激光等离子体在真空靶室内向三维空间绝热膨胀,经引出电极引出得到相应的离子束。激光离子源能够产生全剥离的碳离子(c6+)束流,采用直接等离子体注入方案(dpis)经过rfq与dtl初步加速后能够满足同步加速器单次单圈注入模式的需求,将其应用于医用重离子加速器,能够极大程度简化装置的运行模式,实现装置的小型化,降低医用重离子加速器的建设、运行与维护成本。

2、直接等离子体注入方案,是将激光烧蚀等离子体中的离子引出后直接注入到射频四极加速器,即将激光离子源与rfq直接连接,舍弃了传统束流引出设计中的低能传输线部分。激光烧蚀等离子体在进入rfq之前以电中性形式存在,避免了激光离子源产生的强流脉冲离子束引起空间电荷效应的影响,从而提高注入效率。在dpis方案中,激光离子源的引出电极同时也是rfq的注入电极,在实际应用中存在激光离子源产生的高电荷态离子束与射频四极加速器的注入匹配问题。现有技术中使用的电极结构是固定长度的,不具备调节功能。使用中一般采用更换不同的电极来实现调节作用。


技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,用以解决现有技术中使用的电极结构是固定长度的,不具备调节功能的问题。

2、一方面,本发明实施例提供了一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,包括:真空管道,所述真空管道一端连接有rfq射频四极杆加速器,所述真空管道另一端连接有靶室,所述靶室内设置有內靶室,所述真空管道外侧设置有伺服电机,所述真空管道内部设置有引出电极移动套筒,所述引出电极移动套筒靠近所述靶室一侧连接有引出电极,所述引出电极移动套筒靠近所述rfq射频四极杆加速器的一侧连接有rfq加速电极,所述伺服电机通过peek绝缘杆透过所述真空管道的管壁连接所述引出电极移动套筒。

3、在一种可能的实现方式中,所述引出电极移动套筒靠近所述rfq射频四极杆加速器的一侧深入所述rfq射频四极杆加速器。

4、在一种可能的实现方式中,所述引出电极靠近所述靶室一侧连接所述內靶室。

5、在一种可能的实现方式中,所述引出电极移动套筒与peek绝缘杆活动连接。

6、在一种可能的实现方式中,所述peek绝缘杆与所述真空管道刀口法兰密封。

7、本发明中的一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,具有以下优点:

8、通过电机和绝缘杆直接调整真空内的引出电极,无需拆卸装置即可完成电极的调节和匹配。



技术特征:

1.一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,其特征在于,包括:真空管道(3),所述真空管道(3)一端连接有rfq射频四极杆加速器(6),所述真空管道(3)另一端连接有靶室(2),所述靶室(2)内设置有內靶室(1),所述真空管道(3)外侧设置有伺服电机(4),所述真空管道(3)内部设置有引出电极移动套筒(8),所述引出电极移动套筒(8)靠近所述靶室(2)一侧连接有引出电极(9),所述引出电极移动套筒(8)靠近所述rfq射频四极杆加速器(6)的一侧连接有rfq加速电极(7),所述伺服电机(4)通过peek绝缘杆(5)透过所述真空管道(3)的管壁连接所述引出电极移动套筒(8)。

2.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,其特征在于,所述引出电极移动套筒(8)靠近所述rfq射频四极杆加速器(6)的一侧深入所述rfq射频四极杆加速器(6)。

3.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,其特征在于,所述引出电极(9)靠近所述靶室(2)一侧连接所述內靶室(1)。

4.根据权利要求1所述的一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,其特征在于,所述引出电极移动套筒(8)与peek绝缘杆(5)活动连接。

5.根据权利要求4所述的一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,其特征在于,所述peek绝缘杆(5)与所述真空管道(3)刀口法兰密封。


技术总结
本发明公开了一种激光烧蚀等离子体的可移动引出电极,包括:真空管道一端连接有RFQ射频四极杆加速器,所述真空管道另一端连接有靶室,所述靶室内设置有內靶室,所述真空管道外侧设置有伺服电机,所述真空管道内部设置有引出电极移动套筒,所述引出电极移动套筒靠近所述靶室一侧连接有引出电极,所述引出电极移动套筒靠近所述RFQ射频四极杆加速器的一侧连接有RFQ加速电极,所述伺服电机通过peek绝缘杆透过所述真空管道的管壁连接所述引出电极移动套筒。本发明通过电机和绝缘杆直接调整真空内的引出电极,无需拆卸装置即可完成电极的调节和匹配。

技术研发人员:王桂才,闫果,王大友,石晓艳
受保护的技术使用者:西安聚能医工科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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