声表面波谐振器、MEMS设备的制作方法

本申请涉及谐振器，例如涉及一种声表面波谐振器、mems设备。

背景技术：

1、声表面波谐振器由于其温度稳定性高、抗电磁干扰能力强等特点，被广泛应用于无线通信、自动控制、测量、医学等领域。但是，由于各种谐波的影响，导致在使用声表面波谐振器的过程中，声表面波谐振器的通带内的插损会出现很多的起伏，严重时甚至会导致插损的恶化。由此，如何提升声表面波谐振器的插损功能，亟待解决。

技术实现思路

1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

2、本发明实施例提供一种声表面波谐振器、mems设备，以提升声表面波谐振器的插损功能。

3、在一些实施例中，声表面波谐振器，包括：压电衬底，用于声电换能；压电衬底的外表面设置有叉指电极结构；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；第一温度补偿层，包裹叉指电极结构；多个弓形金属条，设置在第一温度补偿层上；各弓形金属条均设置于叉指电极结构的电极指末端区域。

4、在一些实施例中，声表面波谐振器还包括：第一钝化层，设置在弓形金属条和未被弓形金属条覆盖的第一温度补偿层上。

5、在一些实施例中，声表面波谐振器还包括：第二温度补偿层，设置在第一钝化层远离弓形金属条的一侧。

6、在一些实施例中，第一温度补偿层设置有第一通孔；第二温度补偿层设置有第二通孔；第一钝化层设置有第三通孔；第一通孔、第二通孔和第三通孔连通，暴露出叉指电极结构的汇流条；声表面波谐振器还包括：金属层，金属层通过第一通孔、第二通孔和第三通孔连接叉指电极结构的汇流条。

7、在一些实施例中，声表面波谐振器还包括：第二钝化层，设置在第二温度补偿层和金属层上。

8、在一些实施例中，各弓形金属条的长度与压电衬底的宽度相等。

9、在一些实施例中，各弓形金属条的弓形最高距离通过以下方式获得：计算q×m，获得弓形最高距离；q为预设参数；m为谐波频率对应的最大声波长。

10、在一些实施例中，多个弓形金属条分别连接叉指电极结构的电极指。

11、在一些实施例中，mems设备包括上述的声表面波谐振器。

12、在一些实施例中，mems设备包括液位传感器、振荡器、麦克风、射频开关或滤波器。

13、本发明实施例提供一种声表面波谐振器、mems设备。可以实现以下技术效果：通过设置用于声电换能的压电衬底，在压电衬底的外表面设置通过施加电压以激励声电换能的叉指电极结构。设置第一温度补偿层包裹叉指电极结构。并在第一温度补偿层上设置多个弓形金属条，各弓形金属条均位于叉指电极结构的电极指末端区域。这样，通过在叉指电极结构的电极指末端区域设置弓形金属条，能够更好的抑制谐波，从而提升声表面波谐振器的插损功能。

14、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

技术特征：

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，声表面波谐振器还包括：

3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，声表面波谐振器还包括：

4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，第一温度补偿层设置有第一通孔；第二温度补偿层设置有第二通孔；第一钝化层设置有第三通孔；第一通孔、第二通孔和第三通孔连通，暴露出叉指电极结构的汇流条；声表面波谐振器还包括：

5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，声表面波谐振器还包括：

6.根据权利要求1至5任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，各弓形金属条的长度与压电衬底的宽度相等。

7.根据权利要求1至5任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，各弓形金属条的弓形最高距离通过以下方式获得：计算q×m，获得弓形最高距离；q为预设参数；m为谐波频率对应的最大声波长。

8.根据权利要求1至5任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，多个弓形金属条分别连接叉指电极结构的电极指。

9.一种mems设备，其特征在于，所述mems设备包括如权利要求1至8任一项所述的声表面波谐振器。

10.根据权利要求9所述的mems设备，其特征在于，mems设备包括液位传感器、振荡器、麦克风、射频开关或滤波器。

技术总结
本申请涉及谐振器技术领域，公开一种声表面波谐振器，包括：压电衬底，用于声电换能；压电衬底的外表面设置有叉指电极结构；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；第一温度补偿层，包裹叉指电极结构；多个弓形金属条，设置在第一温度补偿层上；各弓形金属条均设置于叉指电极结构的电极指末端区域。这样，通过在叉指电极结构的电极指末端区域设置弓形金属条，能够更好的抑制谐波，从而提升声表面波谐振器的插损功能。本申请还公开一种MEMS设备。

技术研发人员：赵虎,邹洁,唐供宾
受保护的技术使用者：深圳新声半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15