显示装置和制造显示装置的方法与流程

一个或多个实施例涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置向用户提供诸如图像或视频的视觉信息。随着诸如计算机和大型电视机(tv)等的各种电子装置的发展，已经开发了适用于各种电子装置的各种类型的显示装置。基于移动性的电子装置已经被广泛地使用，并且最近，除了诸如移动电话的小型电子装置之外，平板个人计算机(pc)还被广泛地用作移动电子装置。

2、显示装置可以包括显示区域和非显示区域，并且多个发光元件布置在显示区域中。显示装置可以通过由发光元件发射的光提供图像。发光元件可以包括像素电极和对电极。

技术实现思路

1、一个或多个实施例包括具有改善的可靠性的显示装置以及制造显示装置的方法。

2、然而，本公开的实施例不限于本文中阐述的实施例。通过参考本公开的下面给出的详细描述，对于本公开所属领域的普通技术人员而言，上述和其它实施例将变得更明显。

3、根据一个或多个实施例，一种显示装置可以包括：基底；像素电路层，设置在所述基底上并且包括至少一个薄膜晶体管；以及像素电极，设置在所述像素电路层上并且电连接到所述至少一个薄膜晶体管，其中，所述像素电极可以包括：下层，包括铝和铝合金中的至少一种；中间层，设置在所述下层上并且包括氧化钨；和上层，设置在所述中间层上并且包括透明导电氧化物。

4、在实施例中，所述下层可以包括al-ti合金。

5、在实施例中，在所述al-ti合金中，钛(ti)的原子比可以在大约0.01at％至大约0.1at％的范围内。

6、在实施例中，所述上层可以包括氧化铟锡(ito)。

7、在实施例中，所述上层的厚度可以在大约至大约的范围内。

8、在实施例中，所述基底可以是包括半导体材料的半导体基底。

9、在实施例中，所述显示装置还可以包括：发光层，设置在所述像素电极上；对电极，设置在所述发光层上；以及薄膜封装层，设置在所述对电极上。

10、在实施例中，所述显示装置还可以包括：设置在所述薄膜封装层上的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。

11、根据一个或多个实施例，一种显示装置可以包括：基底；像素电路层，设置在所述基底上并且包括至少一个薄膜晶体管；以及像素电极，设置在所述像素电路层上并且电连接到所述至少一个薄膜晶体管，其中，所述像素电极可以包括：下层，包括铝和铝合金中的至少一种；中间层，设置在所述下层上并且包括氧化钨；和上层，设置在所述中间层上并且包括ito。

12、在实施例中，所述下层可以包括al-ti合金，并且在所述al-ti合金中，ti的原子比可以在大约0.01at％至大约0.1at％的范围内。

13、在实施例中，所述上层的厚度可以在大约至大约的范围内。

14、在实施例中，所述基底可以包括半导体基底。

15、根据一个或多个实施例，一种制造显示装置的方法可以包括：在基底上形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层；在所述像素电路层上形成电连接到所述至少一个薄膜晶体管并且包括铝和铝合金中的至少一种的初步下导电层；在所述初步下导电层上形成包括氧化钨的初步中间导电层；在所述初步中间导电层上形成包括透明导电氧化物的初步上导电层；以及通过对所述初步下导电层、所述初步中间导电层和所述初步上导电层进行干蚀刻，形成包括下层、中间层和上层的像素电极。

16、在实施例中，所述像素电极的所述形成可以包括：对所述初步上导电层进行干蚀刻的第一蚀刻操作；以及对所述初步下导电层和所述初步中间导电层进行干蚀刻的第二蚀刻操作。

17、在实施例中，对所述初步下导电层和所述初步中间导电层进行干蚀刻的所述第二蚀刻操作可以通过使用氯基蚀刻气体执行。

18、在实施例中，所述初步下导电层可以包括al-ti合金。

19、在实施例中，在所述al-ti合金中，ti的原子比可以在大约0.01at％至大约0.1at％的范围内。

20、在实施例中，所述初步上导电层可以包括氧化铟锡(ito)。

21、在实施例中，所述初步上导电层的厚度可以在大约至大约的范围内。

22、在实施例中，所述基底可以包括半导体基底。

技术特征：

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下层包括al-ti合金。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述al-ti合金中，钛的原子比在0.01at％至0.1at％的范围内。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上层包括氧化铟锡。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上层的厚度在至的范围内。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底是包括半导体材料的半导体基底。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：设置在所述薄膜封装层上的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。

9.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述上层的厚度在至的范围内。

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述基底包括半导体基底。

13.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述像素电极的所述形成包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，对所述初步下导电层和所述初步中间导电层进行干蚀刻的所述第二蚀刻操作通过使用氯基蚀刻气体执行。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述初步下导电层包括al-ti合金。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述al-ti合金中，钛的原子比在0.01at％至0.1at％的范围内。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述初步上导电层包括氧化铟锡。

19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述初步上导电层的厚度在至的范围内。

20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述基底包括半导体基底。

技术总结
本公开涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；像素电路层，设置在所述基底上并且包括至少一个薄膜晶体管；以及像素电极，设置在所述像素电路层上并且电连接到所述至少一个薄膜晶体管，其中，所述像素电极包括：下层，包括铝和铝合金中的至少一种，中间层，设置在所述下层上并且包括氧化钨，和上层，设置在所述中间层上并且包括透明导电氧化物。

技术研发人员：申铉亿,权圣周,金湘甲,宋都根
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/29