一种电容结构以及电容版图的制作方法

文档序号:37336725发布日期:2024-03-18 18:02阅读:17来源:国知局
一种电容结构以及电容版图的制作方法

本公开实施例涉及集成电路领域,特别涉及一种电容结构以及电容版图。


背景技术:

1、在集成电路领域中,成品芯片与设计版图常出现失配问题,成品芯片的精度和性能达不到设计版图设计出来的要求,导致成品芯片的良率较低。电容失配是失配问题的其中一种表现。电容版图设计的不对称性、工艺厂在电路板的制作过程中在电容阵列上自动添加的dummy以及工艺误差造成的电容失配都会导致电路的精度和性能受到影响,从而影响成品芯片的良率。

2、目前的电容结构包括两种类型,一种是传统的定制电容,另一种是工艺厂自定制的pdk电容(process design kits)。传统的定制电容层叠度一般为1-2层,由侧壁正对的第一极板和第二极板间产生侧壁电容,定制电容整体的面积利用率较低,导致单位容值较小。pdk电容的两极板间则存在边缘效应的问题,pdk电容边缘处的电场发散,导致pdk电容产生电容误差,进一步降低了pdk电容的单位容值。这两种电容结构的性能都不高,难以改善失配问题。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种电容结构以及电容版图,至少有利于改善成品芯片的失配问题,提高芯片良率。

2、根据本公开一些实施例,本公开实施例提供一种电容结构,包括相对设置的上极板以及下极板;至少一层导电层,导电层设置在上极板与下极板之间,任一导电层包括正对的第一布线以及位于两个第一布线之间的第二布线,第一布线与第二布线具有正对部分,邻近上极板的第二布线与上极板具有正对部分,邻近下极板的第二布线与下极板具有正对部分;其中,上极板与第一布线之间通过导电孔电连接,下极板与第一布线之间通过导电孔电连接。

3、在一些实施例中,第一布线包括第一梳柄部以及设置在第一梳柄部一侧的间隔排布的多个第一梳齿部;第二布线包括第二梳柄部以及设置在第二梳柄部相对两侧且间隔排布的多个第二梳齿部;其中,位于第二梳柄部同一侧的第一梳齿部与第二梳齿部间隔排布。

4、在一些实施例中,同一层导电层中,两个第一布线的第一梳柄部相对第二梳柄部对称设置;和/或,位于第二梳柄部两侧的第一梳齿部相对于第二梳柄部对称设置。

5、在一些实施例中,电容结构包括至少2层导电层;相邻层的第二布线的第二梳柄部在下极板上的正投影重合,且在相邻层的导电层中,位于第二梳柄部同一侧的第一梳柄部在下极板上的正投影重合。

6、在一些实施例中,相邻层的导电层中,位于第二梳柄部同一侧的第一梳齿部在下极板上的正投影至少部分重合。

7、在一些实施例中,电容结构包括至少两层导电层,相邻层的导电层中,第二梳柄部间通过导电孔连接,且位于第二梳柄部同一侧的第一梳柄部间通过导电孔连接。

8、在一些实施例中,电容结构包括3层导电层;其中,处于最上层的导电层中的第二梳齿部与处于中间的导电层中的第一梳齿部具有正对部分。

9、在一些实施例中,处于最上层以外的其余导电层中,相邻层的第二梳齿部之间具有正对部分。

10、在一些实施例中,电容结构还包括屏蔽层,屏蔽层位于下极板下方。

11、根据本公开一些实施例,本公开实施例另一方面还提供一种电容版图,用于设计上述任一项的电容结构。

12、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点:本公开实施例提供的电容结构通过相对设置的上极板以及下极板与中间的至少一层导电层间产生邻层电容,且任一导电层还包括正对的第一布线以及位于两个所述第一布线之间的第二布线,上极板与第一布线之间通过导电孔电连接,下极板与第一布线之间也通过导电孔电连接。如此,给电容结构通电之后,上极板、第一布线以及下极板会电连接形成一块外极板,将第二布线形成的内极板包裹在中间,避免了电容结构的边缘效应。而且在电容结构间不仅存在第一布线和第二布线形成的侧壁电容,还存在上极板与第二布线、下极板与第二布线以及相邻导电层的第一布线与另一层的第二布线之间形成的邻层电容,提高了电容结构的单位面积容值,从而提高了电容的性能。通过提高电容的性能可以降低失配带来的影响。



技术特征:

1.一种电容结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于,所述第一布线包括第一梳柄部以及设置在所述第一梳柄部一侧的间隔排布的多个第一梳齿部;

3.根据权利要求2所述的电容结构,其特征在于,同一层所述导电层中,两个所述第一布线的所述第一梳柄部相对所述第二梳柄部对称设置;和/或,位于所述第二梳柄部两侧的第一梳齿部相对于所述第二梳柄部对称设置。

4.根据权利要求2所述的电容结构,其特征在于,所述电容结构包括至少2层所述导电层;相邻层的所述第二布线的第二梳柄部在所述下极板上的正投影重合,且在相邻层的所述导电层中,位于所述第二梳柄部同一侧的所述第一梳柄部在所述下极板上的正投影重合。

5.根据权利要求4所述的电容结构,其特征在于,相邻层的所述导电层中,位于所述第二梳柄部同一侧的所述第一梳齿部在所述下极板上的正投影至少部分重合。

6.根据权利要求2所述的电容结构,其特征在于,所述电容结构包括至少两层所述导电层,相邻层的所述导电层中,所述第二梳柄部间通过导电孔连接,且位于所述第二梳柄部同一侧的所述第一梳柄部间通过导电孔连接。

7.根据权利要求2所述的电容结构,其特征在于,所述电容结构包括3层所述导电层;其中,处于最上层的所述导电层中的所述第二梳齿部与处于中间的所述导电层中的所述第一梳齿部具有正对部分。

8.根据权利要求7所述的电容结构,其特征在于,处于最上层以外的其余所述导电层中,相邻层的所述第二梳齿部之间具有正对部分。

9.根据权利要求1所述的电容结构,其特征在于,所述电容结构还包括屏蔽层,所述屏蔽层位于所述下极板下方。

10.一种电容版图,其特征在于,用于设计如权利要求1-9任一项所述的电容结构。


技术总结
本公开实施例涉及集成电路领域,提供一种电容结构以及电容版图,电容结构包括相对设置的上极板以及下极板,还有至少一层导电层,导电层设置在上极板与下极板之间,任一导电层包括正对的第一布线以及位于两个第一布线之间的第二布线,第一布线与第二布线具有正对部分,邻近上极板的第二布线与上极板具有正对部分,邻近下极板的第二布线与下极板具有正对部分。其中,上极板与第一布线之间通过导电孔电连接,下极板与第一布线之间通过导电孔电连接。本公开实施例提供的电容结构有利于降低失配对电路精度和性能的影响。

技术研发人员:高丽
受保护的技术使用者:南京云程半导体有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/17
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