晶体振子用的晶体晶片的制作方法

本发明涉及一种晶体振子用的包括多个晶体振动片的晶体晶片。

背景技术：

1、伴随电子设备的小型化，对晶体振子的小型化要求越来越高。另外，伴随通信频率的高频化，特别是在使用以厚度剪切模式振动的晶体振动片的晶体振子中，晶体振动片自身的厚度越来越薄。因此，在机械加工式的制造方法中，晶体振子的制造变得困难，作为其对策，采用基于光刻技术及湿式蚀刻技术的制造方法(例如专利文献1)。

2、图8是基于光刻技术及湿式蚀刻技术的晶体振动片的制造方法的概略的说明图。在所述制造方法中，多个晶体振动片71利用光刻技术及湿式蚀刻技术呈矩阵状地形成于晶体晶片70。晶体振动片71分别具有规定的外形且具有规定的电极71a。但是，晶体振动片71分别在一个边的一侧与框架70a连结。晶体振动片71分别从框架70a在折取线73的位置处被折取而经单片化，并安装于未图示的容器中，从而完成晶体振子。

3、[现有技术文献]

4、[专利文献]

5、[专利文献1]日本专利特开2015-73300

技术实现思路

1、[发明所要解决的问题]

2、且说，在利用光刻技术及湿式蚀刻技术来制造晶体振动片的情况下，经常进行晶体晶片的处理或搬送。另一方面，晶体晶片的外形尺寸例如为数英寸φ或数平方英寸左右，厚度例如为100μm左右，大且薄。因此，在晶体晶片的处理或搬送时，会产生晶体晶片的破损、或即便不至于破损也会在一部分产生龟裂等不良状况。发生破损或破裂时，会导致工序成品率降低等。

3、在晶体晶片的处理或搬送时产生晶体晶片的破损或龟裂的原因之一在于，如图8所示那样由晶体晶片70的框架70a的形状引起。即，当框架70a的与包围晶体振动片71的列71b(参照图8)的轮廓的两端对应的附近成为直角形状70b时，以直角形状70b为起点，在晶体晶片70产生龟裂75等，从而导致晶体晶片70的破损等。

4、本申请是鉴于所述方面而成，因此，本发明的目的在于提供一种在用于将多个晶体振动片形成为矩阵状的晶体晶片中，可减少处理或搬送时产生的破裂的具有新结构的晶体晶片。

5、[解决问题的技术手段]

6、为了实现所述目的，根据本发明的晶体晶片，其包括：晶体振动片，呈矩阵状地配置有多个；以及框架，包围所述呈矩阵状地配置的多个晶体振动片的各列，且连结有各晶体振动片，所述晶体晶片的特征在于，

7、框架的包围晶体振动片的列的轮廓在各列的两端成为沿着列朝向外侧为凸状的曲线，且在所述两端以外成为与所述曲线连续的直线。

8、在实施本发明时，所述凸状的曲线的曲率等可根据本发明的目的设为任意的设计。但是，在将所述轮廓的成为所述直线的部分之间的尺寸定义为h时，所述凸状的曲线优选为包含以h/2给出半径的曲线的曲线。若所述凸状的曲线是包含以h/2给出半径的曲线的曲线，则与并非如此的情况相比，框架的轮廓平滑地变化，因此不会产生图8所示的直角形状70b，因此容易防止因框架的轮廓形状引起的晶体晶片的破损。此外，所谓包含以h/2给出半径的曲线，是指在凸状的曲线全部包含以h/2给出的半径的曲线的情况、或者凸状的曲线的一部分包含以h/2给出半径的曲线且剩余的部分包含其他曲线条件(例如曲率不同的曲线)的至少一条曲线的情况下均可的宗旨。另外，所谓以h/2给出半径的曲线，也包含在本发明的目标范围内与所述曲线类似的曲线。例如也包含以相对于h/2为例如±数％、例如±0.1％～5％范围内的、能够实现本发明的目的的半径给出半径的曲线。

9、在实施本发明时，所述框架的厚度与晶体振动片的区域的厚度可相同也可不同。但是，伴随高频化，晶体振动片的区域的厚度比框架的厚度薄的情况也多。即，在将框架的厚度定义为t、将各晶体振动片的厚度定义为t时，会产生t>t的情况。在所述情况下，也可在所述框架的成为所述凸状的曲线的区域包括与所述区域连续但厚度与晶体振动片的厚度t相同的补强区域。认为在包括补强区域的情况下补强区域起到梁的作用，因此与不包括补强区域的情况相比，可强化框架的强度，因此容易防止晶体晶片的破损。此外，所谓框架的厚度t，典型而言是指晶体晶片的起始时的厚度，例如是数10μm至数100μm的范围的厚度。另外，所谓晶体振动片的厚度t，典型而言是可实现晶体振动片所要求的厚度剪切振动的厚度。

10、[发明的效果]

11、根据本发明的晶体晶片，框架的包围晶体振动片的列的轮廓在各列的两端成为沿着所述列朝向外侧为凸状的曲线，因此，在框架的与晶体振动片的列的两端对应的轮廓附近不会产生直角形状70b(参照图8)，因此不易在晶体晶片产生龟裂。因此，可提供一种可减少在对晶体晶片进行处理及搬送时产生的晶体晶片的龟裂产生或破损的具有新结构的晶体晶片。

技术特征：

1.一种晶体晶片，包括：晶体振动片，呈矩阵状地配置有多个；以及框架，包围所述呈矩阵状地配置的多个晶体振动片的各列，且连结有各晶体振动片，所述晶体晶片的特征在于，

2.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，在将所述轮廓的成为所述直线的部分之间的尺寸定义为h时，所述凸状的曲线是包含以h/2给出半径的曲线的曲线。

3.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，在将所述轮廓的成为所述直线的部分之间的尺寸定义为h时，所述凸状的曲线是以h/2给出半径的曲线与为除此以外的曲线条件的至少一条其他曲线的连续曲线。

4.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，在将所述框架的厚度定义为t、且将各晶体振动片的厚度定义为t时，在所述框架的成为所述凸状的曲线的区域包括与所述区域连续但厚度与晶体振动片的厚度t相同的补强区域，其中，t＞t。

5.根据权利要求4所述的晶体晶片，其特征在于，各晶体振动片的厚度t是与所述晶体振动片所要求的频率对应的厚度。

6.根据权利要求4所述的晶体晶片，其特征在于，所述补强区域包含具有倾斜面的区域，所述倾斜面的厚度从厚度为t的所述框架的边缘朝向厚度为t的所述补强区域而减少。

7.根据权利要求6所述的晶体晶片，其特征在于，所述补强区域包含第一区域、第二区域、第三区域及第四区域这四个区域，

8.根据权利要求1所述的晶体晶片，其特征在于，晶体晶片的其中一个面上的包围晶体振动片的列的轮廓、与另一个面上的包围晶体振动片的列的轮廓彼此的位置和/或形状不同。

技术总结
本发明提供一种在用于将多个晶体振动片形成为矩阵状的晶体晶片中，可减少处理及搬送时产生的破裂的具有新结构的晶体振子用的晶体晶片。晶体晶片(10)包括：晶体振动片(11)，呈矩阵状地配置有多个；以及框架(10a)，包围所述呈矩阵状地配置的多个晶体振动片的各列(11a)，且连结有各晶体振动片。框架的包围所述晶体振动片的列的轮廓(10b)在各列的两端成为沿着列朝向外侧为凸状的曲线(10ba)，且在所述两端以外成为与所述曲线(10ba)连续的直线(10bb)。在将所述轮廓的成为所述直线的部分之间的尺寸定义为H时，凸状的曲线是包含以H/2给出半径的曲线的曲线。

技术研发人员：松尾清治,桜庭肇
受保护的技术使用者：日本电波工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/6/11